[發(fā)明專利]激光加工方法、激光加工裝置以及加工產(chǎn)品

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010165964.3
• 申請日: 2004-07-16
• 公開（公告）號: CN101862907A
• 公開（公告）日: 2010-10-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 福滿憲志
• 申請（專利權(quán)）人: 浜松光子學(xué)株式會社
• 主分類號: B23K26/36
• 分類號: B23K26/36;B28D5/00;H01L21/78;H01L21/301
• 代理公司: 北京尚誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

1.一種激光加工方法，其特征在于，包括：

使集光點對準加工對象物內(nèi)部來照射激光，沿著所述加工對象物的切斷預(yù)定線在所述加工對象物的內(nèi)部通過多光子吸收而形成被處理部，同時，在所述加工對象物內(nèi)部、在對應(yīng)于所述被處理部的規(guī)定位置上形成微小空洞的工序。

2.如權(quán)利要求1所述的激光加工方法，其特征在于：

還包括設(shè)定所述切斷預(yù)定線的工序。

3.一種激光加工方法，其特征在于，包括：

設(shè)定加工對象物的切斷預(yù)定線的工序；以及

使集光點對準加工對象物內(nèi)部來照射激光，沿著所述切斷預(yù)定線在所述加工對象物的內(nèi)部通過多光子吸收而形成被處理部，同時，在所述加工對象物內(nèi)部、在對應(yīng)于所述被處理部的規(guī)定位置上形成微小空洞的工序。

4.如權(quán)利要求1至3中任一項所述的激光加工方法，其特征在于：

所述加工對象物為半導(dǎo)體基板，所述被處理部為熔融處理區(qū)域。

5.如權(quán)利要求1至3中任一項所述的激光加工方法，其特征在于：

所述加工對象物為半導(dǎo)體基板，所述激光為脈沖激光，其脈沖寬度為500nsec以下。

6.如權(quán)利要求1至3中任一項所述的激光加工方法，其特征在于：

所述加工對象物為半導(dǎo)體基板，所述激光為脈沖激光，其脈沖節(jié)距為1.00～7.00μm。

7.如權(quán)利要求1至6中任一項所述的激光加工方法，其特征在于：

所述微小空洞沿著所述切斷預(yù)定線而形成多個，各個微小空洞相互之間具有間隔。

8.如權(quán)利要求1至7中任一項所述的激光加工方法，其特征在于：

所述微小空洞沿著所述切斷預(yù)定線而形成多個，各個微小空洞相互之間具有間隔。

9.如權(quán)利要求1至8中任一項所述的激光加工方法，其特征在于：

在所述加工對象物的主面上形成有功能元件，所述微小空洞在所述主面與所述被處理部之間形成。

10.如權(quán)利要求1至9中任一項所述的激光加工方法，其特征在于：

所述微小空洞是將所述被處理部包夾、且在所述激光入射側(cè)的相反側(cè)而形成。

11.如權(quán)利要求1至10中任一項的激光加工方法，其特征在于：

還包括切斷形成有所述微小空洞的加工對象物的工序。

12.一種激光加工方法，其特征在于，包括：

設(shè)定半導(dǎo)體基板的切斷預(yù)定線的工序；以及

使集光點對準半導(dǎo)體基板的內(nèi)部來照射激光，沿著所述切斷預(yù)定線在所述半導(dǎo)體基板的內(nèi)部形成熔融處理區(qū)域，同時，在所述半導(dǎo)體基板內(nèi)部、在對應(yīng)于所述熔融處理區(qū)域的規(guī)定位置上形成微小空洞的工序。

13.一種激光加工方法，其特征在于，包括：

設(shè)定半導(dǎo)體基板的切斷預(yù)定線的工序；以及

使集光點對準半導(dǎo)體基板的內(nèi)部來照射脈沖激光，沿著所述切斷預(yù)定線在所述半導(dǎo)體基板的內(nèi)部形成熔融處理區(qū)域，同時，在所述半導(dǎo)體基板內(nèi)部、在對應(yīng)于所述熔融處理區(qū)域的規(guī)定位置上形成微小空洞的工序，其中，

所述脈沖激光的脈沖寬度在500nsec以下。

14.一種激光加工方法，其特征在于，包括：

設(shè)定半導(dǎo)體基板的切斷預(yù)定線的工序；以及

使集光點對準半導(dǎo)體基板的內(nèi)部來照射脈沖激光，沿著所述切斷預(yù)定線在所述半導(dǎo)體基板的內(nèi)部形成熔融處理區(qū)域，同時，在所述半導(dǎo)體基板內(nèi)部、在對應(yīng)于所述熔融處理區(qū)域的規(guī)定位置上形成微小空洞的工序，其中，

所述脈沖激光的脈沖節(jié)距是為1.00～7.00μm。

15.如權(quán)利要求12至14中任一項所述的激光加工方法，其特征在于：

所述微小空洞沿著所述切斷預(yù)定線而形成多個，各個微小空洞相互之間具有間隔。

16.如權(quán)利要求12至15中任一項所述的激光加工方法，其特征在于：

所述半導(dǎo)體基板的主面形成有功能元件，所述微小空洞在所述主面與所述熔融處理區(qū)域之間形成。

17.如權(quán)利要求12至16中任一項所述的激光加工方法，其特征在于：

所述微小空洞是將所述熔融處理區(qū)域包夾、且在所述激光入射側(cè)的相反側(cè)而形成。