[發明專利]無基島靜電釋放圈引線框結構及其生產方法

有效

• 申請號: 201010165884.8
• 申請日: 2010-04-30
• 公開（公告）號: CN101840901A
• 公開（公告）日: 2010-09-22
• 發明（設計）人: 王新潮;梁志忠
• 申請（專利權）人: 江蘇長電科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495;H01L23/31;H01L21/48
• 代理公司: 江陰市同盛專利事務所 32210
• 代理人: 唐紉蘭

(一)技術領域

本發明涉及一種引線框結構及其生產方法。屬于半導體封裝技術領域。

(二)背景技術

傳統的引線框結構主要有二種：

第一種：

采用金屬基板的正面進行化學蝕刻及表面電鍍層后，在金屬基板的背面貼上一層耐高溫的膠膜形成可以進行封裝過程的引線框載體(如圖14所示)。

第二種：

采用金屬基板的正面進行化學蝕刻及表面電鍍層后，即完成引線框的制作(如圖15所示)。而引線框的背面則在封裝過程中再進行背面蝕刻。

而上述的二種引線框在封裝過程中存在了以下的不足點：

第一種：

1)此種引線框架因背面必須要貼上一層昂貴可抗高溫的膠膜。所以直接增加了高昂的成本。

2)也因為此種引線框架的背面必須要貼上一層可抗高溫的膠膜，所以在封裝過程中的裝片工藝只能使用導電或是不導電的樹脂工藝，而完全不能采用共晶工藝以及軟焊料的工藝進行裝片，所以可選擇的產品種類就有較大的局限性。

3)又因為此種引線框架的背面必須要貼上一層可抗高溫的膠膜，而在封裝過程中的球焊鍵合工藝中，因為此可抗高溫的膠膜是軟性材質，所以造成了球焊鍵合參數的不穩定，嚴重的影響了球焊的質量與產品可靠度的穩定性。

4)再因為此種引線框架的背面必須要貼上一層可抗高溫的膠膜，而在封裝過程中的塑封工藝過程，因為塑封的高壓關系很容易造成引線框架與膠膜之間滲入塑封料，而將原本應屬金屬腳是導電的型態因為滲入了塑封料反而變成了絕緣腳(如圖16所示)。

第二種：

此種引線框架結構在金屬基板正面進行了半蝕刻工藝，雖然可以解決第一種引線框架的問題，但是因為只在金屬基板正面進行了半蝕刻工作，而在塑封過程中塑封料只有包覆住半只腳的高度，所以塑封體與金屬腳的束縛能力就變小了，如果塑封體貼片到PCB板上不是很好時，再進行返工重貼，就容易產生掉腳的問題(如圖17所示)。

尤其塑封料的種類是采用有填料時候，因為材料在生產過程的環境與后續表面貼裝的應力變化關系，會造成金屬與塑封料產生垂直型的裂縫，其特性是填料比例越高則越硬越脆越容易產生裂縫。

另外，由于芯片與引腳之間的距離較遠，如圖18～19所示，金屬線的長度較長，金屬線成本較高(尤其是昂貴的純金質的金屬線)；同樣由于金屬線的長度較長，使得芯片的信號輸出速度較慢(由其是存儲類的產品以及需要大量數據的計算，更為突出)；也同樣由于金屬線的長度較長，所以金屬線所存在的寄生電阻/寄生電容與寄生電桿對信號的干擾也較高；再由于芯片與引腳之間的距離較遠，使得封裝的體積與面積較大，材料成本較高，廢棄物較多。

(三)發明內容

本發明的目的在于克服上述不足，提供一種降低封裝成本、可選擇的產品種類廣、球焊的質量與產品可靠度的穩定性好、塑封體與金屬腳的束縛能力大的無基島靜電釋放圈引線框結構及其生產方法。

(三)發明內容

本發明的目的是這樣實現的：一種無基島靜電釋放圈引線框結構，包括靜電釋放圈和引腳，在所述靜電釋放圈和引腳的正面設置有第一金屬層，在所述靜電釋放圈和引腳的背面設置有第二金屬層，所述引腳正面盡可能的延伸到靜電釋放圈旁邊，在所述引腳外圍的區域、引腳與靜電釋放圈之間的區域以及引腳與引腳之間的區域嵌置有無填料的塑封料，所述無填料的塑封料將引腳下部外圍、引腳下部與靜電釋放圈下部以及引腳下部與引腳下部連接成一體，且使所述靜電釋放圈和引腳背面尺寸小于靜電釋放圈和引腳正面尺寸，形成上大下小的靜電釋放圈和引腳結構。

本發明無基島靜電釋放圈引線框結構的生產方法，所述方法包括以下工藝步驟：

步驟一、取金屬基板

步驟二、貼膜作業

利用貼膜設備在金屬基板的正面及背面分別貼上可進行曝光顯影的光刻膠膜，

步驟三、金屬基板正面去除部分光刻膠膜

利用曝光顯影設備將步驟二完成貼膜作業的金屬基板正面進行曝光顯影去除部分光刻膠膜，以露出金屬基板上后續需要進行半蝕刻的區域，

步驟四、金屬基板正面半蝕刻

對步驟三中金屬基板正面去除部分光刻膠膜的區域進行半蝕刻，在金屬基板正面形成凹陷的半蝕刻區域，同時相對形成靜電釋放圈和引腳的背面，

步驟五、金屬基板正背面揭膜作業

將金屬基板正面余下的光刻膠膜和背面的光刻膠膜揭除。

步驟六、金屬基板正面半蝕刻區域填涂無填料的軟性填縫劑