[發(fā)明專利]無基島靜電釋放圈引線框結構及其生產方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010165884.8
• 申請日: 2010-04-30
• 公開（公告）號: CN101840901A
• 公開（公告）日: 2010-09-22
• 發(fā)明（設計）人: 王新潮;梁志忠
• 申請（專利權）人: 江蘇長電科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495;H01L23/31;H01L21/48
• 代理公司: 江陰市同盛專利事務所 32210
• 代理人: 唐紉蘭

1.一種無基島靜電釋放圈引線框結構，包括靜電釋放圈(1)和引腳(2)，在所述靜電釋放圈(1)和引腳(2)的正面設置有第一金屬層(4)，在所述靜電釋放圈(1)和引腳(2)的背面設置有第二金屬層(5)，其特征在于：所述引腳(2)正面延伸到靜電釋放圈(1)旁邊，在所述引腳(2)外圍的區(qū)域、引腳(2)與靜電釋放圈(1)之間的區(qū)域以及引腳(2)與引腳(2)之間的區(qū)域嵌置有無填料的塑封料(3)，所述無填料的塑封料(3)將引腳下部外圍、引腳(2)下部與靜電釋放圈(1)下部以及引腳(2)下部與引腳(2)下部連接成一體，且使所述靜電釋放圈(1)和引腳(2)背面尺寸小于靜電釋放圈(1)和引腳(1)正面尺寸，形成上大下小的靜電釋放圈和引腳結構。

2.一種如權利要求1所述的無基島多圈腳靜電釋放圈引線框的生產方法，其特征在于所述方法包括以下工藝步驟：

步驟一、取金屬基板

步驟二、貼膜作業(yè)

利用貼膜設備在金屬基板的正面及背面分別貼上可進行曝光顯影的光刻膠膜，

步驟三、金屬基板正面去除部分光刻膠膜

利用曝光顯影設備將步驟二完成貼膜作業(yè)的金屬基板正面進行曝光顯影去除部分光刻膠膜，以露出金屬基板上后續(xù)需要進行半蝕刻的區(qū)域，

步驟四、金屬基板正面半蝕刻

對步驟三中金屬基板正面去除部分光刻膠膜的區(qū)域進行半蝕刻，在金屬基板正面形成凹陷的半蝕刻區(qū)域，同時相對形成靜電釋放圈和引腳的背面，

步驟五、金屬基板正背面揭膜作業(yè)

將金屬基板正面余下的光刻膠膜和背面的光刻膠膜揭除。

步驟六、金屬基板正面半蝕刻區(qū)域填涂無填料的軟性填縫劑

在步驟四金屬基板正面形成凹陷的半蝕刻區(qū)域，填涂上無填料的軟性填縫劑，并同時進行烘烤，促使無填料的軟性填縫劑固化成無填料的塑封料。

步驟七、金屬基板正背面貼膜作業(yè)

利用貼膜設備在已完成填涂無填料的軟性填縫劑作業(yè)的金屬基板的正面及背面分別貼上可進行曝光顯影的光刻膠膜，

步驟八、去除部分光刻膠膜

在金屬基板的正面及背面去除部分光刻膠膜，用意是露出靜電釋放圈和引腳的背面以及正面，

步驟九、鍍金屬層

在步驟八露出的靜電釋放圈和引腳的背面鍍上第二金屬層，在靜電釋放圈和引腳的正面鍍上第一金屬層，

步驟十、去除金屬基板背面部分光刻膠膜

去除金屬基板背面部分光刻膠膜，以露出金屬基板背面引腳外圍的區(qū)域、引腳與靜電釋放圈之間的區(qū)域以及引腳與引腳之間的區(qū)域，

步驟十一、金屬基板背面半蝕刻

在金屬基板的背面對不被光刻膠膜覆蓋的區(qū)域即步驟四余下部分的金屬蝕刻出所述的靜電釋放圈和引腳的正面，同時將金屬腳正面盡可能的延伸到靜電釋放圈旁邊，且使所述靜電釋放圈和引腳背面尺寸小于靜電釋放圈和引腳正面尺寸，形成上大下小的靜電釋放圈和引腳結構，

步驟十二、金屬基板正背面揭膜作業(yè)

將金屬基板正面和背面余下的光刻膠膜揭除。