[發(fā)明專利]半導體裝置的制造方法和制造裝置

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010165751.0
• 申請日: 2007-07-27
• 公開（公告）號: CN101847580A
• 公開（公告）日: 2010-09-29
• 發(fā)明（設計）人: 丸山智久;出道仁彥;吹野康彥
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會社
• 主分類號: H01L21/3213
• 分類號: H01L21/3213;H01L21/28
• 代理公司: 北京尚誠知識產(chǎn)權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

本申請是申請日為2007年7月27日、申請?zhí)枮?00710139703.2、發(fā)明名稱為“半導體裝置的制造方法和制造裝置”的專利申請的分案申請。

技術領域

本發(fā)明涉及例如適用于制造液晶顯示裝置等半導體裝置的半導體裝置的制造方法、半導體裝置的制造裝置、計算機存儲介質以及存儲有處理方案的存儲介質。

背景技術

一直以來，在半導體裝置的制造工序中，對規(guī)定部位進行蝕刻時，大多采用使用藥液的濕式蝕刻和使用氣體的干式蝕刻。作為干式蝕刻已知例如產(chǎn)生蝕刻氣體的等離子體，利用該等離子體的作用進行蝕刻的等離子體蝕刻等。

例如，在液晶顯示裝置中的非晶硅TFT(薄膜晶體管)的制造工序等中，在對金屬膜進行蝕刻形成柵極電極、源極電極和漏極電極的工序，對非晶硅膜進行蝕刻形成島狀構造的工序，形成溝槽(channel)的工序等工序中，使用適當?shù)臐袷轿g刻和干式蝕刻。其中，濕式蝕刻大多主要用于金屬膜的蝕刻工序中。而且，在上述蝕刻工序中，已知利用含有氧氣和含氟氣體的混合氣體進行灰化，除去半導體層邊緣部的隆起層，改善電流的特性的技術(例如參照專利文獻1)。

并且，在上述液晶顯示裝置中的非晶硅TFT的制造工序中，通過使用形成為臺階狀的抗蝕劑掩模，使掩模數(shù)減少，向節(jié)省掩模處理推進。在該節(jié)省掩模處理中，通過對形成為臺階狀的抗蝕劑掩模在途中進行灰化，改變其形狀，作為兩種掩模使用，從而能夠減少一次掩模形成工序。

并且，在使用上述形成為臺階狀的抗蝕劑掩模的工序中，采用進行兩次濕式蝕刻工序和兩次干式蝕刻工序的方法，通過將第二次濕式蝕刻工序替換為干式蝕刻工序，提高對配線寬度、溝槽長度等的控制性，降低濕式藥液的流動成本，縮短工序等，因而能夠提高生產(chǎn)力和成品率。

但是，例如，如果對進行了一次濕式蝕刻后的金屬膜隨后再利用干式蝕刻進行蝕刻，由于在進行濕式蝕刻時與蝕刻液接觸而在金屬膜的邊緣(露出部)形成變質層，該變質層在干式蝕刻時不會被蝕刻而作為殘渣以柵欄(fence)狀殘留下來，存在對以后的工序帶來惡性影響、對設備特性帶來惡性影響的問題。例如，如果在源極、漏極之間存在上述殘渣，有時會產(chǎn)生源極、漏極之間的電短路。

專利文獻1：日本特開2005-72443號公報

如上所述，在現(xiàn)有技術中，在包括對金屬膜進行濕式蝕刻的工序和隨后對該金屬膜進行干式的蝕刻工序的情況下，濕式蝕刻時在暴露于藥液的金屬膜的側面形成變質層，該變質層在干式蝕刻時不會被蝕刻而作為殘渣以柵欄狀殘留下來，存在對以后的工序帶來惡性影響、對設備特性帶來惡性影響的問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明是為了解決上述課題而完成的，其目的在于提供一種半導體裝置的制造方法、半導體裝置的制造裝置、計算機存儲介質以及存儲有處理方案的存儲介質，該半導體裝置的制造方法在包括對金屬膜進行濕式蝕刻的工序和隨后對該金屬膜進行干式蝕刻工序的情況下，能夠減輕因在濕式蝕刻工序中在金屬膜上形成的變質層的殘渣引起的對后續(xù)工序帶來的惡性影響以及對設備特性帶來的惡性影響，從而能夠穩(wěn)定地制造質量優(yōu)良的半導體裝置。

發(fā)明方面1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：在濕式蝕刻工序中對形成于基板上的金屬膜進行蝕刻之后，具有對上述金屬膜進行干式蝕刻的干式蝕刻工序。在上述干式蝕刻工序之前，進行除去在上述濕式蝕刻工序中在上述金屬膜上形成的變質層的變質層除去工序。

發(fā)明方面2所述的半導體裝置的制造方法為發(fā)明方面1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：將上述基板收容在處理腔室內(nèi)，不將上述基板從上述處理腔室內(nèi)搬出，連續(xù)進行上述變質層除去工序和上述干式蝕刻工序。

發(fā)明方面3所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：在濕式蝕刻工序中隔著抗蝕劑掩模對形成于基板上的金屬膜進行蝕刻之后，具有對上述金屬膜進行干式蝕刻的干式蝕刻工序。包括：灰化工序，對上述抗蝕劑掩模的一部分進行灰化，并改變上述抗蝕劑掩模的形狀；變質層除去工序，除去在上述濕式蝕刻工序中在上述金屬膜上形成的變質層；和干式蝕刻工序，隔著在上述灰化工序中改變形狀后的上述抗蝕劑掩模對上述金屬膜進行干式蝕刻。

發(fā)明方面4所述的半導體裝置的制造方法為發(fā)明方面3所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：將上述基板收容在處理腔室內(nèi)，不將上述基板從上述處理腔室內(nèi)搬出，連續(xù)進行上述灰化工序、上述變質層除去工序和上述干式蝕刻工序。