[發明專利]半導體裝置的制造方法和制造裝置

無效

• 申請號: 201010165751.0
• 申請日: 2007-07-27
• 公開（公告）號: CN101847580A
• 公開（公告）日: 2010-09-29
• 發明（設計）人: 丸山智久;出道仁彥;吹野康彥
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/3213
• 分類號: H01L21/3213;H01L21/28
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

1.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于：

在濕式蝕刻工序中隔著抗蝕劑掩模對形成于基板上的金屬膜進行蝕刻之后，具有對所述金屬膜進行干式蝕刻的干式蝕刻工序，

該半導體裝置的制造方法包括：

灰化工序，在除去在所述濕式蝕刻工序中在所述金屬膜上形成的變質層之前，對所述抗蝕劑掩模的一部分進行灰化，并改變所述抗蝕劑掩模的形狀，使所述金屬膜的一部分露出；和

干式蝕刻工序，隔著在所述灰化工序中改變形狀后的所述抗蝕劑掩模對所述金屬膜進行干式蝕刻。

2.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：

將所述基板收容在處理腔室內，不將所述基板從所述處理腔室內搬出，連續進行所述灰化工序和所述干式蝕刻工序。

3.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于：

在濕式蝕刻工序中隔著抗蝕劑掩模對形成于基板上的金屬膜進行蝕刻之后，具有對所述金屬膜進行干式蝕刻的干式蝕刻工序，

該半導體裝置的制造方法包括：

第一干式蝕刻工序，隔著所述抗蝕劑掩模對所述金屬膜下層的非晶硅膜進行干式蝕刻；

灰化工序，在除去在所述濕式蝕刻工序中在所述金屬膜上形成的變質層之前，對所述抗蝕劑掩模的一部分進行灰化，并改變所述抗蝕劑掩模的形狀，使所述金屬膜的一部分露出；

第二干式蝕刻工序，隔著在所述灰化工序中改變形狀后的所述抗蝕劑掩模對所述金屬膜進行干式蝕刻；和

第三干式蝕刻工序，隔著在所述灰化工序中改變形狀后的所述抗蝕劑掩模對所述非晶硅膜進行干式蝕刻。

4.如權利要求3所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：

將所述基板收容在處理腔室內，不將所述基板從所述處理腔室內搬出，連續進行所述第一干式蝕刻工序、所述灰化工序、所述第二干式蝕刻工序和所述第三干式蝕刻工序。

5.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于：

在濕式蝕刻工序中隔著抗蝕劑掩模對形成于基板上的金屬膜進行蝕刻之后，具有對所述金屬膜進行干式蝕刻的干式蝕刻工序，

該半導體裝置的制造方法包括：

灰化工序，在除去在所述濕式蝕刻工序中在所述金屬膜上形成的變質層之前，對所述抗蝕劑掩模的一部分進行灰化，并改變所述抗蝕劑掩模的形狀，使所述金屬膜的一部分露出；

第一干式蝕刻工序，隔著在所述灰化工序中改變形狀后的所述抗蝕劑掩模對所述金屬膜下層的非晶硅膜進行干式蝕刻；

第二干式蝕刻工序，隔著在所述灰化工序中改變形狀后的所述抗蝕劑掩模對所述金屬膜進行干式蝕刻；和

第三干式蝕刻工序，隔著在所述灰化工序中改變形狀后的所述抗蝕劑掩模對所述非晶硅膜進行干式蝕刻。

6.如權利要求5所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：

在所述第一干式蝕刻工序中，對所述金屬膜的一部分進行干式蝕刻。

7.如權利要求5所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：

將所述基板收容在處理腔室內，不將所述基板從所述處理腔室內搬出，連續進行所述灰化工序、所述第一干式蝕刻工序、所述第二干式蝕刻工序和所述第三干式蝕刻工序。

8.如權利要求1～7中任一項所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：

所述金屬膜是鋁或其合金膜、鉬或其合金膜、鋁或其合金膜與鉬或其合金膜的疊層膜中的任意一種。

9.一種半導體裝置的制造裝置，其特征在于，包括：

收容基板的處理腔室；

向所述處理腔室內供給處理氣體的處理氣體供給單元；

使從所述處理氣體供給單元供給的所述處理氣體等離子體化，并對所述基板進行處理的等離子體生成單元；和

控制部，進行控制使得在所述處理腔室內實施權利要求1～7中任一項所述的半導體裝置的制造方法。