[發(fā)明專利]芯片引線鍵合區(qū)及應(yīng)用其的半導(dǎo)體器件無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010165005.1 | 申請日: | 2010-04-29 |
| 公開(公告)號: | CN102044514A | 公開(公告)日: | 2011-05-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 周華棟 | 申請(專利權(quán))人: | 中穎電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/485 | 分類號: | H01L23/485;H01L23/495 |
| 代理公司: | 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 鄭瑋 |
| 地址: | 200335 上*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 芯片 引線 鍵合區(qū) 應(yīng)用 半導(dǎo)體器件 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域,且特別涉及一種芯片引線鍵合區(qū)及應(yīng)用其的半導(dǎo)體器件。
背景技術(shù)
半導(dǎo)體生產(chǎn)流程由晶圓制造、晶圓測試、芯片封裝和封裝后測試組成。半導(dǎo)體封裝是指將通過測試的晶圓按照產(chǎn)品型號及功能需求加工得到獨立芯片的過程。封裝過程為:來自晶圓前道工藝的晶圓通過劃片工藝后,被切割為小的晶片(Die),然后將切割好的晶片用膠水貼裝到相應(yīng)的基板(引線框架)架的小島上,再利用超細(xì)的金屬(金、錫、銅、鋁)導(dǎo)線或者導(dǎo)電性樹脂將晶片的接合焊盤(Bond?Pad)連接到基板的相應(yīng)引腳(Lead),并構(gòu)成所要求的電路;然后再對獨立的晶片用塑料外殼加以封裝保護(hù),塑封之后,還要進(jìn)行一系列操作,如后固化(Post?Mold?Cure)、切筋和成型(Trim&Form)、電鍍(Plating)以及打印等工藝。封裝完成后進(jìn)行成品測試,通常經(jīng)過入檢(Incoming)、測試(Test)和包裝(Packing)等工序,最后入庫出貨。
目前,集成電路先進(jìn)后封裝過程關(guān)鍵技術(shù)中,封裝引腳的90%以上采用引線鍵合技術(shù)。封裝行業(yè)多年的事實和權(quán)威預(yù)測表明,到2020年,引線鍵合技術(shù)仍將是半導(dǎo)體封裝尤其是低端封裝內(nèi)部連接的主流方式。所謂的引線鍵合技術(shù),是指以非常細(xì)小的金屬引線的兩端分別與芯片和引腳鍵合,形成電氣連接的技術(shù)。對于一般半導(dǎo)體封裝的性能和成本要求,引線鍵合是最優(yōu)的選擇。
鍵合工藝根據(jù)焊接原理(熱或者超聲能量),分為三種:熱壓焊、超聲焊和熱超聲焊。熱超聲焊在工作溫度上和鍵合效果上適合于目前主流的金線焊接。
引線鍵合主要有兩種工藝過程:楔形鍵合和球形鍵合。這兩種引線鍵合技術(shù)基本的步驟分為:形成第一焊點(通常在芯片表面),拉成線弧,形成第二焊點(通常在引線框架/基板上)。
然而,在現(xiàn)有技術(shù)中,由于引線鍵合的工藝都是芯片上的一個鍵合區(qū)對應(yīng)與一條引線鍵合,也就是說一個信號對應(yīng)一個鍵合區(qū),一個鍵合區(qū)對應(yīng)一條引線,因而隨著芯片集成度越來越高,功能越來越多的情況下,當(dāng)芯片每增加一個功能信號輸出或輸入時,在芯片上就要多設(shè)置一個鍵合區(qū),以配合一條引線鍵合,隨著芯片功能的增強和集成度的提高,需要更多的芯片的面積以設(shè)置更多的鍵合區(qū),進(jìn)而導(dǎo)致芯片上的體積增加、成本上升,引線鍵合工序繁雜等問題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中,隨著芯片功能的增強和集成度的提高,需要更多的芯片的面積以設(shè)置更多的鍵合區(qū),進(jìn)而導(dǎo)致芯片上的體積增加、成本上升,引線鍵合工序繁雜等技術(shù)問題。
有鑒于此,本發(fā)明提供一種芯片引線鍵合區(qū),其特征在于,包括:多個區(qū);其中,所述多個區(qū)之間相互齒合。
進(jìn)一步的,所述多個區(qū)之間具有絕緣隔離結(jié)構(gòu)。
進(jìn)一步的,所述多個區(qū)為兩個。
進(jìn)一步的,所述鍵合區(qū)的材料為鋁。
本發(fā)明實施例還提供一種半導(dǎo)體器件,其特征在于,包括:芯片;多個鍵合區(qū),設(shè)置于所述芯片上;引線框架;所述每一個鍵合區(qū)包括多個區(qū);所述多個區(qū)通過同一條引線與所述引線框架鍵合。
進(jìn)一步的,所述多個區(qū)相互齒合。
進(jìn)一步的,所述多個區(qū)為兩個。
進(jìn)一步的,所述多個區(qū)之間具有絕緣隔離結(jié)構(gòu)。
進(jìn)一步的,所述鍵合區(qū)的材料為鋁。
本發(fā)明提供的芯片引線鍵合區(qū)及應(yīng)用其的半導(dǎo)體器件,是將一個鍵合區(qū)分為多個部分分別與芯片內(nèi)的多個電極點進(jìn)行連接,并通過同一條引線與引線框架鍵合,可以利用一個鍵合區(qū)實現(xiàn)多路信號傳輸,更加充分的利用率鍵合區(qū),達(dá)到了節(jié)省鍵合區(qū)并能實現(xiàn)更多功能的目的。
附圖說明
圖1所示為現(xiàn)有技術(shù)中芯片引線鍵合區(qū)的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2所示為本發(fā)明一實施例提供的芯片引線鍵合區(qū)的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖3A所示為本發(fā)明另一實施例提供的應(yīng)用上述芯片引線鍵合區(qū)的半導(dǎo)體芯片結(jié)構(gòu)示意圖;
圖3B所示為本發(fā)明另一實施例提供的半導(dǎo)體芯片的引線鍵合區(qū)局部放大示意圖;
圖4所示為本發(fā)明一實施例提供的芯片引線鍵合區(qū)壓點焊接球的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
為使本發(fā)明的技術(shù)特征更明顯易懂,下面結(jié)合附圖,給出具體實施例,對本發(fā)明做進(jìn)一步的描述。
請參見圖2,其所示為本發(fā)明一實施例提供的芯片引線鍵合區(qū)的結(jié)構(gòu)示意圖。
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