[發明專利]發光器件及發光器件的制造方法有效
| 申請號: | 201010163914.1 | 申請日: | 2008-07-28 |
| 公開(公告)號: | CN101854756A | 公開(公告)日: | 2010-10-06 |
| 發明(設計)人: | 山本和人 | 申請(專利權)人: | 卡西歐計算機株式會社 |
| 主分類號: | H05B33/22 | 分類號: | H05B33/22;H01L51/52 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人: | 陳萍 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光 器件 制造 方法 | ||
本申請是2008年7月28日提交的,中國專利申請號為200810131114.4,發明名稱為“發光器件及發光器件的制造方法”的專利申請的分案申請。
技術領域
本發明涉及在像素中具有發光元件的發光器件和發光器件的制造方法,尤其涉及在發光元件中具有有機電致發光元件的發光器件及發光器件的制造方法。
背景技術
近年來,作為繼液晶顯示器件(LCD)之后的下一代顯示器件,正在大力研究開發具備對具有如有機電致發光元件(以下簡稱為“有機EL元件”)和發光二極管(LED)等發光元件的顯示像素進行二維排列的發光元件型顯示面板的顯示器件、以及對具有發光元件的多個像素進行排列的發光器件的真正實用化和普及。
這種發光元件型的顯示器件和發光器件中使用的有機EL元件,其結構是,例如用反射性電極和透明電極來夾持具有發光層的有機層,利用反射性電極來使從發光層發出的光進行反射,并且從透明電極側射出進行圖像顯示。由于在這種結構的有機EL元件中,具有從發光層向透明電極方向射出的光、以及從發光層射出經反射性電極側進行反射并向透明電極方向射出的光,所以,有可能在這些光之間發生干涉效應,例如因視場角而產生色相的變化。
再者,這種光的干涉效應具有隨光的波長而異的峰值,該峰值位置隨發光層的發光位置進行漂移。因此,出現的問題是,當發光層的厚度有偏差時發光位置產生變化,發光強度和色度產生偏差。
并且,在從有機EL元件射出的光中,除了從有機EL元件的正面射出的光外,還有從其斜方向射出的光。從該斜方向射出的光,其光程差與從正面射出的光不同,所以,有可能受到不同的干涉效應,產生視場角依賴性。
發明內容
本發明的優點是,能夠提供一種在具有包括發光元件的多個像素的發光器件中,對色度差和發光強度的偏差、視場角所造成的色度變化進行抑制,具有優良顯示特性的發光器件以及該發光器件的制造方法。
為獲得上述優點的本發明的發光器件,在具有多個像素的發光器件中,具有:發光功能層,它由至少一層構成,放射與供給的電流相對應的光;第1電極層,它設置在上述發光功能層的下表面側,由導電性材料構成,對于從上述發光功能層放射的光的至少一部分的波段的光具有透射性;第2電極層,它在上述發光功能層上與上述第1電極層相對設置,含有導電性材料,對于從上述發光功能層放射的光的至少一部分的波段的光具有透射性;以及,反射層,它設置在上述第2電極層上,對于從上述發光功能層放射的光的至少一部分的波段的光具有反射性;上述第2電極層具有:導電體層,由上述導電性材料構成,設置在上述發光功能層上,對從上述發光功能層放射的光的至少一部分的波段的光具有透射性;以及厚膜層,設置在上述導電體層上,對從上述發光功能層放射的光的至少一部分的波段的光具有透射性。
為了獲得上述優點的本發明中的發光器件的制造方法,在具有包括發光功能層的多個像素的發光器件的制造方法中,包括以下步驟:
利用對于從上述發光功能層放射的光的至少一部分的波段的光具有透射性的導電性材料,來形成第1電極層的步驟;
在上述第1電極層上形成上述發光功能層的步驟;
在上述發光功能層上,與上述第1電極層相對置,利用至少包含對于從上述發光功能層放射的光的至少一部分的波段的光具有透射性的導電性材料的材料,來形成第2電極層的步驟;
在上述第2電極層上,利用對于從上述發光功能層放射的光的至少一部分的波段的光具有反射性的材料,來形成反射層的步驟;
形成上述第2電極層的步驟包括:
在上述發光功能層上,利用具有上述透射性的上述導電性材料來形成導電體層的步驟;
在上述導電體層上,利用對于從上述發光功能層放射的光的至少一部分的波段的光具有透射性的材料,來形成厚膜層的步驟。
附圖說明
圖1是表示本發明第1實施方式中的發光器件的像素排列的概要的一例的圖。
圖2是表示各像素的像素電路結構的一例的圖。
圖3是表示第1實施方式中的發光器件的主要部分的斷面結構的圖。
圖4是表示與本發明的結構相對應的計算模型A的圖。
圖5是表示入射光、反射光和透射光各自的振幅的正的方向的圖。
圖6是表示本發明的計算模型A中的光的干涉光程的圖。
圖7是表示作為比較例的計算模型B的圖。
圖8是表示作為比較例的計算模型B中的光的干涉光程的圖。
圖9是表示本發明的計算模型A中的干涉效應的曲線圖。
圖10是表示作為比較例的計算模型B中的干涉效應的曲線圖。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于卡西歐計算機株式會社,未經卡西歐計算機株式會社許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201010163914.1/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





