[發明專利]發光二極管封裝結構及其制造方法

有效

• 申請號: 201010162562.8
• 申請日: 2010-05-05
• 公開（公告）號: CN102237353A
• 公開（公告）日: 2011-11-09
• 發明（設計）人: 沈佳輝;洪梓健
• 申請（專利權）人: 展晶科技（深圳）有限公司;榮創能源科技股份有限公司
• 主分類號: H01L25/16
• 分類號: H01L25/16;H01L33/48;H01L21/329;H01L21/60
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種半導體發光組件，特別涉及一種發光二極管的封裝結構及其制造方法。

背景技術

作為一種新興的光源，發光二極管憑借其發光效率高、體積小、重量輕、環保等優點，已被廣泛地應用到當前的各個領域當中，大有取代傳統光源的趨勢。

發光二極管是一種單向導通的電子組件，當經過發光二極管的電流為正向導通時，可使發光二極管發光。當電流反向時，發光二極管不能導通，并且若電流過大，有可能擊穿發光二極管，使發光二極管不能再正常工作。因此業界多有設置一穩壓二極管與發光二極管并聯，若有異常的反向電流或靜電產生時，過高的反向電流可經由該穩壓二極管進行放電，從而保護發光二極管不受到破壞。目前業界采用打線外置固定的方式，將穩壓二極管與發光二極管并聯。然而，這種外置并聯的穩壓二極管不但使發光二極管封裝的結構復雜、體積增大，而且不能保證兩者的電連接的穩定性，這對于發光二極管的后端使用都是不利因素。因此，業者對此問題多有關注。

發明內容

有鑒于此，有必要提供一種利于產業應用的發光二極管封裝結構及其制造方法。

一種發光二極管封裝結構，包括絕緣基板、發光二極管芯片及二電極層，該絕緣基板的一面上設有凹槽，該發光二極管芯片設置于該凹槽中，二電極層置于絕緣基板的所述一面上并分別與發光二極管芯片電性連接，該凹槽底部設有與二電極層電性連接并與發光二極管芯片并聯的齊納二極管。

一種發光二極管封裝結構的制造方法，其步驟包括：提供一絕緣基板，該絕緣基板上設有一凹槽；在凹槽底部設置一齊納二極管；提供二電極層，該二電極層設置在絕緣基板上，并且該二電極層分別與齊納二極管電性連接；提供一發光二極管芯片，該發光二極管芯片設置在凹槽內與二電極層電性連接，并與齊納二極管并聯。

與現有技術相比，本發明發光二極管封裝結構將齊納二極管設置在絕緣基板內，與發光二極管封裝構造一體化，可減少物料與人力成本。同時，內置的齊納二極管由于不需要外部打線與電極層形成電性連接，不僅提高齊納二極管與電極層的電性連接的穩定性，還可降低發光二極管的封裝結構的復雜度。

下面參照附圖，結合具體實施例對本發明作進一步的描述。

附圖說明

圖1為本發明第一實施例的發光二極管封裝結構的剖視示意圖。

圖2為本發明第二實施例的發光二極管封裝結構的剖視示意圖。

圖3為本發明第三實施例的發光二極管封裝結構的剖視示意圖。

主要元件符號說明

絕緣基板??????????100、200

第一表面??????????102、202

凹槽??????????????103、203

第二表面??????????104、204

通孔??????????????105、205

發光二極管芯片????110、210

電極??????????????112、114

齊納二極管????????120、220

第一電性摻雜層????122、222

第二電性摻雜層????124、224

電極層????????????132、134、232、234

導電柱????????????150、250

具體實施方式

第一實施例

請參閱圖1，本發明第一實施例中的發光二極管封裝結構包括一絕緣基板100，一發光二極管芯片110，一齊納二極管120及二電極層132、134。該齊納二極管120設置在絕緣基板100內并與二電極層132、134電性連接。該發光二極管芯片110設置在絕緣基板100上并與二電極層132、134電性連接，同時與齊納二極管120并聯。當二電極層132、134與外部電源連接時，該發光二極管芯片110正向導通后可發光。齊納二極管120的極性與發光二極管芯片110的極性相反，因此若有異常的反向電流或靜電產生時，過高的反向電流可經由該齊納二極管120進行放電，從而保護發光二極管芯片110不被擊穿。

具體的，該絕緣基板100具有一第一表面102及與第一表面102相對的第二表面104。在第一表面102上形成有一凹槽103。絕緣基板100可由如下材料中的一種或多種制成：硅(Si)、砷化鎵(GaAs)、氧化鋅(ZnO)及磷化銦(InP)。