[發明專利]發光二極管封裝結構及其制造方法

有效

• 申請號: 201010162562.8
• 申請日: 2010-05-05
• 公開（公告）號: CN102237353A
• 公開（公告）日: 2011-11-09
• 發明（設計）人: 沈佳輝;洪梓健
• 申請（專利權）人: 展晶科技（深圳）有限公司;榮創能源科技股份有限公司
• 主分類號: H01L25/16
• 分類號: H01L25/16;H01L33/48;H01L21/329;H01L21/60
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種發光二極管封裝結構，包括：

一絕緣基板，具有第一表面以及相對于第一表面之第二表面；

一凹槽，位于該絕緣基板之第一表面；

二電極層由該凹槽底部兩端延伸至絕緣基板之第二表面；及

一發光二極管芯片位于該凹槽內并且與該二電極電性連接，其特征在于：該凹槽底部設有與二電極層電性連接并與發光二極管芯片并聯的齊納二極管。

2.如權利要求1所述的發光二極管封裝結構，其特征在于：所述齊納二極管包括設置在凹槽底部的第一電性摻雜層、第二電性摻雜層，該第一、第二電性摻雜層由磊晶摻雜、擴散摻雜或者離子布植方式制作而成，二電極層分別與第一、第二電性摻雜層中的其中之一電性連接。

3.如權利要求2所述的發光二極管封裝結構，其特征在于：所述絕緣基板上延伸設置有一絕緣層，與第一電性摻雜層電性連接的一電極層借由該絕緣層與第二電性摻雜層電性隔絕。

4.如權利要求1所述的發光二極管封裝結構，其特征在于：所述絕緣基板的材料包括硅、砷化鎵、氧化鋅及磷化銦的其中之一。

5.如權利要求1-4項中任意一項所述的發光二極管封裝結構，其特征在于：所述絕緣基板上設有貫穿絕緣基板的若干通孔，通孔內設有導電柱，導電柱與電極層電性連接。

6.一種發光二極管封裝結構的制造方法，其步驟包括：

提供一絕緣基板，該絕緣基板上設有一凹槽；

在凹槽底部設置一齊納二極管；

提供二電極層，該二電極層設置在絕緣基板上，并且該二電極層分別與齊納二極管電性連接；

提供一發光二極管芯片，該發光二極管芯片設置在凹槽內與二電極層電性連接，并與齊納二極管并聯。

7.如權利要求6所述的發光二極管封裝結構的制造方法，其特征在于：所述齊納二極管包括以磊晶摻雜、擴散摻雜或者離子布植的方式形成的一第一電性摻雜層及一第二電性摻雜層，且第一、第二電性摻雜層分別與二電極層的其中之一電性連接。

8.如權利要求6所述的發光二極管封裝結構的制造方法，其特征在于：還包括在絕緣基板上設置一絕緣層，與第一電性摻雜層電性連接的一電極層借由該絕緣層與第二電性摻雜層電性隔絕。

9.如權利要求6所述的發光二極管封裝結構的制造方法，其特征在于：還包括在絕緣基板上開設若干通孔，在通孔內設置導電柱，使導電柱與電極層電性連接。

10.如權利要求9所述的發光二極管封裝結構的制造方法，其特征在于：該導電柱的材料至少包含下列金屬材料之一：金、銀、銅、鎳、鋁以及鈦，或是前述金屬的合金。