[發明專利]主動元件陣列基板及其制作方法

無效

• 申請號: 201010161952.3
• 申請日: 2010-04-15
• 公開（公告）號: CN101814460A
• 公開（公告）日: 2010-08-25
• 發明（設計）人: 陳柏林;林致遠;林瑜旻;林俊男
• 申請（專利權）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: H01L23/14
• 分類號: H01L23/14;H01L23/48;H01L23/525;H01L23/535;H01L21/768
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 陶海萍

1.一種主動元件陣列基板，其特征在于，所述主動元件陣列基板具有至少一圖案化導電層，所述圖案化導電層包括一銅層，所述銅層在平行銅層的一法線方向的一剖面是由一第一梯形與疊在第一梯形上的一第二梯形構成，所述第一梯形的底角與所述第二梯形的底角為角度差異介于5°至30°的銳角。

2.根據權利要求1所述的主動元件陣列基板，其特征在于，所述第一梯形的底角與所述第二梯形的底角的角度差異介于7°至13°。

3.根據權利要求1所述的主動元件陣列基板，其特征在于，所述第一梯形的底角與所述第二梯形的底角的角度差異為10°。

4.根據權利要求1所述的主動元件陣列基板，其特征在于，所述圖案化導電層還包括一阻障層，所述銅層疊在所述阻障層上。

5.根據權利要求4所述的主動元件陣列基板，其特征在于，所述阻障層的材料為選自由鉬、鉬合金、鈦、鈦合金、鋁合金及銅合金所組成的族群中的至少一者。

6.根據權利要求1所述的主動元件陣列基板，其特征在于，所述第一梯形的高大于所述第二梯形的高。

7.根據權利要求1所述的主動元件陣列基板，其特征在于，所述第一梯形的高介于1500埃至5000埃，而所述第二梯形的高介于50埃至1500埃。

8.根據權利要求1所述的主動元件陣列基板，其特征在于，所述圖案化導電層是構成多個主動元件的多個柵極。

9.根據權利要求1所述的主動元件陣列基板，其特征在于，所述圖案化導電層是構成多個主動元件的多個源極和/或漏極。

10.一種主動元件陣列基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

以一第一沉積速率沉積一第一銅層于一基板上；

以一第二沉積速率沉積一第二銅層于所述第一銅層上，其中所述第一沉積速率大于所述第二沉積速率；以及

圖案化所述第一銅層與所述第二銅層。

11.根據權利要求10所述的主動元件陣列基板的制作方法，其特征在于，在圖案化所述第一銅層與所述第二銅層后，所述第一銅層在平行第一銅層的一法線方向的一第一剖面是一第一梯形，所述第二銅層在平行第一銅層的法線方向的一第二剖面是一第二梯形，所述第一梯形的底角與所述第二梯形的底角為角度差異介于5°至30°的銳角。

12.根據權利要求10所述的主動元件陣列基板的制作方法，其特征在于，沉積所述第一銅層與所述第二銅層的方法包括濺射法。

13.根據權利要求10所述的主動元件陣列基板的制作方法，其特征在于，所述第一沉積速率是所述第二沉積速率的兩倍以上。

14.根據權利要求10所述的主動元件陣列基板的制作方法，其特征在于，在沉積第一銅層之前，還包括沉積一阻障層于基板上，而所述第一銅層是沉積于所述陽障層上。