[發明專利]對二甲苯氧化結晶裝置

有效

• 申請號: 201010160611.4
• 申請日: 2010-04-30
• 公開（公告）號: CN101817744A
• 公開（公告）日: 2010-09-01
• 發明（設計）人: 姚瑞奎;羅文德;周華堂;李利軍;汪英枝;孫建
• 申請（專利權）人: 中國石油天然氣集團公司;中國紡織工業設計院
• 主分類號: C07C63/26
• 分類號: C07C63/26;C07C51/265;B01J19/24
• 代理公司: 北京市卓華知識產權代理有限公司 11299
• 代理人: 申率

1.一種對二甲苯氧化結晶裝置，包括依次連接的氧化反應設備、結晶設備和過濾分離設備，所述氧化反應設備采用全混式的氧化反應器，其特征在于所述氧化反應器的進料口和進氣口分別設置在其殼體的側壁上，出料口設置在所述進料口的下方，所述進氣口位于所述進料口的下方，所述殼體內設有連接所述進氣口的氣流分布裝置，所述氣流分布裝置設有若干出氣口，所述若干出氣口位于所述進料口的下方；還設有深度氧化設備，所述深度氧化設備采用封閉的桶狀反應器，設有進料口、進氣口、出料口和出氣口，所述深度氧化設備的進料口和進氣口設置在其殼體的下部，出料口設置在其殼體的底部，出氣口設置在其殼體的頂部，其中所述進料口位于所述進氣口的上方，所述深度氧化設備的進料口通過管道與所述氧化反應器的出料口相連，所述深度氧化設備的出料口通過管道與所述結晶設備的進料口相連，由此實現所述氧化反應設備同結晶設備的連接，所述深度氧化設備的高徑比大于或等于2。

2.如權利要求1所述的對二甲苯氧化結晶裝置，其特征在于所述氣流分布裝置包括若干旋流進氣管，所述旋流進氣管的出氣方向與其所在位置的殼體半徑方向之間有一夾角。

3.如權利要求2所述的對二甲苯氧化結晶裝置，其特征在于所述氣流分布裝置還包括一個或多個環形布氣管，所述環形布氣管上均勻分布有若干出氣口，所述環形布氣管位于所述旋流進氣管的上方或同一平面上，所述多個環形布氣管中各環形布氣管的直徑相等或不等，所述環形布氣管的旋轉軸線與所述殼體的軸線重合。

4.如權利要求3所述的對二甲苯氧化結晶裝置，其特征在于所述氧化反應器的出料口設置在其殼體的底部的中央，進料口設置在其殼體的中部，進氣口設置在其殼體的側壁的下部。

5.如權利要求1、2、3或4所述的對二甲苯氧化結晶裝置，其特征在于所述氧化反應器的側壁上設有回流氣進口，所述深度氧化設備的出氣口通過管道連接所述氧化反應器的回流氣進口，所述回流氣進口位于所述氧化反應器的進料口的上方，所述氧化反應器的上部還設有填料層，所述填料層位于所述氧化反應器的回流氣進口的上方。

6.如權利要求5所述的對二甲苯氧化結晶裝置，其特征在于所述氧化反應器內氧化反應的溫度為180-190℃，所述深度氧化設備內氧化反應的溫度為180-190℃。

7.如權利要求6所述的對二甲苯氧化結晶裝置，其特征在于所述結晶設備包括相互串聯的第一結晶器和第二結晶器，所述過濾分離設備采用旋轉壓力過濾機，所述第一結晶器的進料口設于其殼體側壁的下部，構成所述結晶設備的進料口，所述第一結晶器的出氣口設于其殼體頂部，所述第一結晶器的出料口設于其殼體側壁的下部，位于第一結晶器進料口的下方，并通過管道與所述第二結晶器的進料口相連，所述第二結晶器的進料口設于其殼體側壁的下部，所述第二結晶器的出氣口設于其殼體的頂部，所述第二結晶器的出料口設于其殼體的下部，位于所述第二結晶器的進料口的下方，并通過管道與所述旋轉壓力過濾機的進料口相連，由此實現所述結晶設備同所述過濾分離設備的連接。

8.如權利要求7所述的對二甲苯氧化結晶裝置，其特征在于在所述第一結晶器進行降壓降溫，溫度為135-145℃，所述第二結晶器進行常壓降溫，溫度為115-120℃。

9.如權利要求8所述的對二甲苯氧化結晶裝置，其特征在于所述第一結晶器的出氣口通過管道連接第一換熱器的放熱介質進口，所述第一換熱器的放熱介質出口連接脫水塔，所述第二結晶器的出氣口通過管道與第二換熱器的放熱介質進口相連。

10.如權利要求5所述的對二甲苯氧化結晶裝置，其特征在于所述結晶設備包括相互串聯的第一結晶器和第二結晶器，所述過濾分離設備采用旋轉壓力過濾機，所述第一結晶器的進料口設于其殼體側壁的下部，構成所述結晶設備的進料口，所述第一結晶器的出氣口設于其殼體頂部，所述第一結晶器的出料口設于其殼體側壁的下部，位于第一結晶器進料口的下方，并通過管道與所述第二結晶器的進料口相連，所述第二結晶器的進料口設于其殼體側壁的下部，所述第二結晶器的出氣口設于其殼體的頂部，所述第二結晶器的出料口設于其殼體的下部，位于所述第二結晶器的進料口的下方，并通過管道與所述旋轉壓力過濾機的進料口相連，由此實現所述結晶設備同所述過濾分離設備的連接。