[發(fā)明專利]由半導(dǎo)體晶片制造集成電路的裝置和方法

有效

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• 申請日: 2010-03-31
• 公開（公告）號: CN101859695A
• 公開（公告）日: 2010-10-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 曾衍迪;宋金寧;蔡柏灃;牟忠一
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/66
• 代理公司: 隆天國際知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 姜燕;邢雪紅

1.一種由一半導(dǎo)體晶片制造集成電路的方法，包括：

對上述半導(dǎo)體晶片進行一第一工藝；

取得一第一測量數(shù)據(jù)，用以指出已執(zhí)行的上述第一工藝的正確性；

使用上述第一測量數(shù)據(jù)，用以產(chǎn)生一測量校正數(shù)據(jù)，其中上述測量校正數(shù)據(jù)包括一有效部分以及一無效部分；

去除上述測量校正數(shù)據(jù)的上述無效部分，并且以一測量校正模型模型化上述測量校正數(shù)據(jù)的上述有效部分；

結(jié)合上述測量校正模型與一第一工藝模型，用以產(chǎn)生一多重解析模型，其中上述第一工藝模型用以模型化上述第一工藝的一輸入輸出關(guān)系；以及

分析上述多重解析模型的一響應(yīng)與一第二測量數(shù)據(jù)，用以控制一第二工藝的成效。

2.如權(quán)利要求1所述的由半導(dǎo)體晶片制造集成電路的方法，其中上述去除的步驟包括對上述測量校正數(shù)據(jù)執(zhí)行多重解析分析，用以將上述有效部分由上述測量校正數(shù)據(jù)分離出來。

3.如權(quán)利要求1所述的由半導(dǎo)體晶片制造集成電路的方法，其中上述第一工藝包括一蝕刻工藝。

4.如權(quán)利要求1所述的由半導(dǎo)體晶片制造集成電路的方法，其中上述第一測量數(shù)據(jù)包括溝槽深度測量數(shù)據(jù)。

5.如權(quán)利要求1所述的由半導(dǎo)體晶片制造集成電路的方法，其中上述第二工藝包括一化學(xué)機械拋光工藝，并且上述第二測量數(shù)據(jù)包括銅膜深度測量數(shù)據(jù)。

6.如權(quán)利要求5所述的由半導(dǎo)體晶片制造集成電路的方法，其中上述分析的步驟由化學(xué)研磨拋光工藝的先進工藝控制的一控制器模塊所執(zhí)行。

7.如權(quán)利要求1所述的由半導(dǎo)體晶片制造集成電路的方法，其中上述測量校正模型表示一測量儀器偏差，并且上述第一工藝模型將基板上已移除的硅數(shù)量表示成硅移除速率與時間的一函數(shù)。

8.一種由一半導(dǎo)體晶片制造集成電路的系統(tǒng)，包括：

一第一裝置，用以對上述半導(dǎo)體晶片進行一第一工藝；

一第二裝置，用以取得一第一測量數(shù)據(jù)，其中上述第一測量數(shù)據(jù)指出已執(zhí)行的上述第一工藝的正確性；

一第三裝置，上述第三裝置使用上述第一測量數(shù)據(jù)，用以產(chǎn)生一測量校正數(shù)據(jù)，其中上述測量校正數(shù)據(jù)包括一有效部分以及一無效部分；

一第四裝置，用以去除上述測量校正數(shù)據(jù)的上述無效部分，并且將上述測量校正數(shù)據(jù)的上述有效部分模型化成一測量校正模型；

一第五裝置，上述第五裝置結(jié)合上述測量校正模型與上述第一工藝的一第一工藝模型，用以產(chǎn)生一多重解析模型，其中上述第一工藝模型模型化上述第一工藝的一輸入輸出關(guān)系；以及

一第六裝置，上述第六裝置分析上述多重解析模型的一響應(yīng)與一第二測量數(shù)據(jù)，用以控制一第二工藝的成效。

9.如權(quán)利要求8所述的由半導(dǎo)體晶片制造集成電路的系統(tǒng)，其中上述第四裝置包括一第七裝置，上述第七裝置用以對上述測量校正數(shù)據(jù)執(zhí)行多重解析分析，而將上述有效部分由上述測量校正數(shù)據(jù)分離出來。

10.如權(quán)利要求8所述的由半導(dǎo)體晶片制造集成電路的系統(tǒng)，其中上述第一工藝包括一蝕刻工藝。

11.如權(quán)利要求8所述的由半導(dǎo)體晶片制造集成電路的系統(tǒng)，其中上述第一測量數(shù)據(jù)包括溝槽深度測量數(shù)據(jù)。

12.如權(quán)利要求8所述的由半導(dǎo)體晶片制造集成電路的系統(tǒng)，其中上述第二道工藝包括一化學(xué)機械拋光工藝，并且上述第二測量數(shù)據(jù)包括銅膜深度測量數(shù)據(jù)。

13.如權(quán)利要求12所述的由半導(dǎo)體晶片制造集成電路的系統(tǒng)，其中上述第六裝置包括化學(xué)機械拋光的先進工藝控制的一控制器模塊，上述控制器模塊用以分析上述多重解析模型的上述響應(yīng)與上述第二測量數(shù)據(jù)。

14.如權(quán)利要求8所述的由半導(dǎo)體晶片制造集成電路的系統(tǒng)，其中上述測量校正模型表示一測量儀器偏差，并且上述第一工藝模型將基板上已移除的硅數(shù)量表示成硅移除速率與時間的一函數(shù)。