[發明專利]一種超低溫紅釉助劑的制備方法與施釉工藝

無效

• 申請號: 201010156660.0
• 申請日: 2010-04-27
• 公開（公告）號: CN102234202A
• 公開（公告）日: 2011-11-09
• 發明（設計）人: 胡澤善;劉閣;蔡強;馮永成
• 申請（專利權）人: 重慶工商大學
• 主分類號: C04B41/86
• 分類號: C04B41/86
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種超低溫紅釉助劑的制備方法與施釉工藝，其特征在于助劑組成包括：

(1)采用納米氧化硅作助熔劑；

(2)采用聚酰胺類、聚烯醇類以及聚乙二醇類有機高分子增黏；

(3)采用二次甲基萘磺酸鈉作觸變性控制劑；

(4)采用偏硅酸鎂調節釉料高溫流動性；

(5)采用硼酐作為釉料熱膨脹系數調控劑；

2.根據權利要求1所述的超低溫紅釉助劑，其特征在于氧化硅作助熔劑的粒子大小在2-10納米，其在所述的超低溫紅釉助劑中的重量含量為30-60％之間(固含量，下同)。

3.根據權利要求1所述的超低溫紅釉助劑，其特征在于高分子增黏劑可以是聚酰胺類、聚烯醇類以及聚乙二醇類，其在助劑中的含量在4-33％之間。

4.根據權利要求1所述的超低溫紅釉助劑，其特征在于采用二次甲基萘磺酸鈉作觸變性控制劑，其在助劑中的含量在1.5-8.0％之間。

5.根據權利要求1所述的超低溫紅釉助劑，其特征在于采用偏硅酸鎂調節釉料高溫流動性，其在助劑中的含量在5-15％之間。

6.根據權利要求1所述的超低溫紅釉助劑，其特征在于采用硼酐作為釉料熱膨脹系數調控劑，其在助劑中的含量在12-36％之間。

7.根據權利要求1所述的超低溫紅釉助劑及施釉方法，其特征在于施釉過程中，超低溫紅釉助劑的重量占紅釉的8-15％。

8.根據權利要求1所述的超低溫紅釉助劑及施釉方法，施釉過程中，紅釉與紅釉助劑的總重量在釉將中占37-41％。