[發明專利]一種源漏區、接觸孔及其形成方法

有效

• 申請號: 201010156570.1
• 申請日: 2010-04-21
• 公開（公告）號: CN102237294A
• 公開（公告）日: 2011-11-09
• 發明（設計）人: 尹海洲;朱慧瓏;駱志炯
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/336
• 代理公司: 北京市立方律師事務所 11330
• 代理人: 張磊

1.一種源漏區，由半導體材料構成，所述源漏區位于柵堆疊結構兩側且嵌入襯底中，其特征在于，所述源漏區包括：

第一區，至少部分厚度的所述第一區位于所述襯底內；

第二區，所述第二區形成于所述第一區上，所述第二區的材料與所述第一區的材料不同。

2.根據權利要求1所述的源漏區，其特征在于，所述第二區包括：

輔助層，所述輔助層用以在所述源漏區上形成嵌入的接觸孔時承載所述接觸孔；

停止層，所述停止層用以使所述接觸孔終止于所述柵堆疊結構與所述襯底的交界線以上。

3.根據權利要求2所述的源漏區，其特征在于：在形成于硅襯底的PMOS器件中，所述第一區材料為SiGe，停止層為Si，輔助層為SiGe。

4.根據權利要求3所述的源漏區，其特征在于：在形成于硅襯底的NMOS器件中，所述第一區材料為Si_1-xC_x，停止層為Si，輔助層為SiGe。

5.根據權利要求1或2所述的源漏區，其特征在于：在包含所述源漏區的CMOS器件中，所述第一區對PMOS器件的溝道區提供壓應力，所述第一區對NMOS器件的溝道區提供拉應力。

6.根據權利要求5所述的源漏區，其特征在于：所述PMOS器件中所述第一區的材料與所述NMOS器件中所述第一區的材料不同。

7.根據權利要求6所述的源漏區，其特征在于：所述PMOS器件中所述第二區的材料與所述NMOS器件中所述第二區的材料相同。

8.一種接觸孔，其特征在于：所述接觸孔嵌入如權利要求1至7中任一項所述的源漏區中，所述接觸孔的底面與所述源漏區的交界線高于或重合于柵堆疊結構與襯底的交界線。

9.根據權利要求8所述的接觸孔，其特征在于：在所述接觸孔暴露的所述源漏區表層形成接觸區后，所述接觸區的底面與所述源漏區的交界線高于或重合于所述柵堆疊結構與所述襯底的交界線。

10.一種接觸孔，其特征在于：所述接觸孔嵌入源漏區中，所述接觸孔的底面與所述源漏區的交界線高于或重合于柵堆疊結構與襯底的交界線；所述源漏區由半導體材料構成，所述源漏區位于柵堆疊結構兩側且嵌入襯底中，所述源漏區的上表面與所述柵堆疊結構和所述襯底的交界線之間的高度差大于所述源漏區的實際高度與目標高度之間的差值。

11.根據權利要求10所述的接觸孔，其特征在于：在所述接觸孔暴露的所述源漏區表層形成接觸區后，所述接觸區的底面與所述源漏區的交界線高于或重合于所述柵堆疊結構與所述襯底的交界線。

12.一種源漏區的形成方法，其特征在于，包括：

在襯底中位于柵堆疊結構兩側形成溝槽；

形成第一半導體層，至少部分所述第一半導體層填充所述溝槽；

在所述第一半導體層上形成第二半導體層，所述第二半導體層的材料與所述第一半導體層的材料不同。

13.根據權利要求12所述的方法，其特征在于，形成所述第二半導體層的步驟包括：

形成輔助層，所述輔助層用以在所述源漏區上形成嵌入的接觸孔時承載所述接觸孔；

形成停止層，所述停止層用以使所述接觸孔終止于所述柵堆疊結構與所述襯底的交界線以上。

14.根據權利要求13所述的方法，其特征在于：在形成于硅襯底的PMOS器件中，所述第一區材料為SiGe，停止層為Si，輔助層為SiGe。

15.根據權利要求14所述的方法，其特征在于：在形成于硅襯底的NMOS器件中，所述第一區材料為Si_1-xC_x，停止層為Si，輔助層為SiGe。

16.根據權利要求12或13所述的方法，其特征在于：在包含所述源漏區的CMOS器件中，所述第一半導體層對PMOS器件的溝道區提供壓應力，所述第一半導體層對NMOS器件的溝道區提供拉應力。

17.根據權利要求16所述的方法，其特征在于：所述PMOS器件中所述第一半導體層的材料與所述NMOS器件中所述第一半導體層的材料不同。