[發明專利]光刻裝置和器件制造方法

有效

• 申請號: 201010156464.3
• 申請日: 2004-05-31
• 公開（公告）號: CN101866114A
• 公開（公告）日: 2010-10-20
• 發明（設計）人: B·斯特雷克;M·M·T·M·蒂里奇斯;W·F·J·格霍-范安塞姆
• 申請（專利權）人: ASML荷蘭有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 王波波

技術領域

本發明涉及一種光刻投影裝置(lithographic?projectionapparatus)，所述光刻投影裝置包括：

-一個輻射系統，所述輻射系統用于供應輻射的一個投影光束；

-一個支承結構，所述支承結構用于支承圖案形成裝置，圖案形成裝置用來按照所希望的圖案給投影光束形成圖案；

-一個基底臺，所述基底臺用于夾持一個基底；

-一個投影系統，所述投影系統用于將上述形成圖案的光束投影到基底的一個目標部分上；及

-一個液體供應系統，所述液體供應系統用于以一種液體充填上述投影系統的終端元件和上述基底之間的空間。

背景技術

如此處所用的術語“圖案形成裝置”應廣義地理解為涉及可用來使一個入射的輻射光束具有一經過形成圖案的橫截面的裝置，上述經過形成圖案的橫截面相應于待在基底的一個目標部分中形成的圖案；術語“光閥”也可以在本文中使用。一般，上述圖案相應于在目標部分中形成一個器件中的特定功能層，如一個集成電路或其它器件(見下面)。這種圖案形成裝置的一些例子包括：

-一種掩模。掩模的概念在光刻術中是眾所周知的，并且它包括若干掩模類型，如二元型、交替相移型、和衰減式相移型、及各種混合掩模型。這種掩模在輻射光束中的布局造成在掩模上成像的輻射按照掩模上的圖案選擇性透射(在一種透射式掩模情況下)或反射(在一種反射式掩模情況下)。在一種掩模情況下，支承結構一般是一種掩模臺，上述掩模臺保證可以將掩模夾持在入射的輻射光束中一個所希望的位置處，并且如果希望的話保證掩模可以相對于光束移動。

-一個可編程的鏡面陣列。這種裝置的一個例子是一種具有一粘彈性控制層和一反射表面的矩陣可尋址表面。這種裝置的基本原理是(例如)反射表面的經過尋址的區域將入射光反射成衍射光，而未經過尋址的區域將入射光反射成非衍射光。若用合適的濾光片，上述非衍射光可以從反射的光束中濾出，同時后面只留下衍射光；這樣，光束變成按照矩陣可變址表面的尋址圖案形成的圖案?？删幊嚏R面陣列的一個可供選擇的實施例應用一種小鏡面的矩陣排列，其中每個小鏡面都可以通過加一合適的局部電場或者通過應用壓電致動裝置繞一軸線單獨傾斜。另外，各鏡面都是矩陣可尋址的，因此經過尋址的鏡面將把一個入射的輻射光束朝不同方向反射到未經過尋址的鏡面上；這樣，反射光束按照矩陣可尋址鏡面的尋址圖案形成圖案。所需的矩陣尋址可以用合適的電子裝置實施。在上述兩種情況下，圖案形成裝置可以包括一個或多個可編程的鏡面陣列。有關如此處所涉及的鏡面陣列的更多信息可以例如從美國專利US?5,296,891和US?5,523,193，及PCT專利申請WO?98/38597和WO98/33096中找到，上述專利都包括在本文中作為參考文獻。在可編程鏡面陣列情況下，上述支承結構可以例如作為一種框架或臺實施，上述框架或臺可以按照需要是固定式或是活動的。

-一個可編程的LCD(液晶顯示)陣列。這種構造的一個例子在美國專利US?5,229,872中給出，該專利包括在本文中作為參考文獻。如上所述，在這種情況下支承結構可以例如作為一種框架或臺實施，上述框架或臺可以按照需要是固定式或是活動的。

為了簡化起見，本文的其余部分在某些地方可以特別針對包括一種掩?；蜓谀Ｅ_的一些例子；然而，在這些情況下所討論的一般原理應看成如上所述圖案形成裝置的更廣義范圍。

光刻投影裝置可以例如在各種集成電路(ICs)制造中使用。在這種情況下，圖案形成裝置可以產生一個相應于一個單獨IC層的電路圖案，并且可以把這個圖案成像到一個基底(硅片)上的目標部分(比如包括一個或多個模片)上，上述基底(硅片)已涂裝有一層輻射敏感材料(抗蝕劑)。一般，一個晶片將含有若干相鄰目標部分的整個網絡，上述若干相鄰的目標部分通過投影系統依次照射，一次照射一個目標部分。在目前通過一個掩模臺上的掩模應用圖案成形的裝置中，可以在兩種不同類型機器之間進行區別。在一種類型光刻投影裝置中，每個目標部分通過將整個掩模圖案一次曝光到目標部分上照射；這種裝置通常稱之為晶片分擋器。在一種可供選擇的裝置——通常稱之為步進式掃描裝置-中，每個目標部分都是通過在投影光束下朝一規定的基準方向(“掃描方向”)逐漸掃描掩模圖案，而同時與這個方向平行或逆平行同步掃描基底臺進行照射；因為一般投影系統具有一個放大因素M(一般＜1)，所以掃描基底臺的速度V將是掃描掩模臺速度的一個因素M倍。關于如這里所述的光刻裝置的更多信息可以例如從US6,046,792中找到，上述專利包括在本文中作為參考文獻。