[發明專利]半導體模塊的制造方法

無效

• 申請號: 201010155425.1
• 申請日: 2010-03-31
• 公開（公告）號: CN101853788A
• 公開（公告）日: 2010-10-06
• 發明（設計）人: 岡山芳央;伊藤克實
• 申請（專利權）人: 三洋電機株式會社
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L21/60
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 岳雪蘭

技術領域

本發明涉及一種半導體模塊的制造方法。

背景技術

近年來，隨著電子設備的小型化、高功能化，要求在電子設備中使用的半導體模塊實現小型化。為了實現此目的，半導體模塊的外部連接電極間的窄間距化不可缺少，但是，受到焊球本身的大小和焊接時的橋接產生等制約，通過外部連接電極的窄間距化的小型化受到了限制。近年來，為了克服這種限制，通過在半導體模塊上形成再布線而進行外部連接電極的再配置。作為這樣的再配置的方法，例如已知將通過半蝕刻硅基板而形成的突起結構作為電極或通路，經由環氧樹脂等絕緣層將半導體芯片安裝在硅基板上，并在突起結構上連接半導體模塊的外部連接電極的方法。

發明內容

但是，由于在具有突起結構的硅基板和半導體芯片之間填充有絕緣層，所以在硅基板與半導體芯片之間會流入絕緣層材料而夾雜絕緣層，存在產生硅基板和半導體芯片的電連接不良的可能性。

本發明的一實施方式提供一種半導體模塊的制造方法，包括：蝕刻金屬板以形成突起部的第一工序，形成具有使所述突起部的一部分露出的厚度的絕緣層的第二工序以及將所述絕緣層壓接在表面具有多個電極的半導體基板和所述金屬板之間并將所述突起部和所述電極電連接的第三工序。

根據這種實施方式，能夠使突起電極110和元件電極211可靠地進行電連接。

附圖說明

圖1是表示第一實施方式的半導體模塊的結構的剖面圖；

圖2是表示第一實施方式的半導體模塊的結構的平面圖；

圖3(A)～(H)是沿圖2的A-A′線的第一實施方式的半導體模塊的制造工序剖面圖；

圖4(A)～(C)是沿圖2的A-A′線的第一實施方式的半導體模塊的制造工序剖面圖；

圖5(A)～(E)是沿圖2的A-A′線的第一實施方式的半導體模塊的制造工序剖面圖；

圖6(A)～(C)是沿圖2的A-A′線的第二實施方式的半導體模塊的制造工序剖面圖。

具體實施方式

現在，將參照優選實施方式來說明本發明。優選實施方式不是要限制本發明的范圍，僅僅是示例本發明。

下面，參照附圖說明本發明的實施方式。

第一實施方式

圖1是表示第一實施方式的半導體模塊的結構的示意剖面圖，圖2是半導體模塊(一個芯片部分)的平面圖。圖1的剖面圖是沿圖2的A-A′線的剖面圖。

半導體模塊1包括元件安裝用基板100和半導體元件200。

首先，元件安裝用基板100包括：絕緣樹脂層120、設置在絕緣樹脂層120的一主表面的布線層135(再布線)，以及與布線層135電連接且從布線層135向絕緣樹脂層120側突出的突起電極110。在半導體安裝用基板100上，突起電極110沿各邊形成在布線層135的電極形成區域135a中。

絕緣樹脂層120作為粘合層具有將布線層135和半導體元件200粘合的功能。作為絕緣樹脂層120，可采用加熱引起硬化性的絕緣材料、加熱引起可塑性的絕緣材料、加熱引起變形的絕緣材料等。絕緣樹脂層120的厚度例如為約20μm。

另外，例如可由BT樹脂等的三聚氰胺衍生物、液晶聚合物、PPE樹脂、含氟樹脂、酚醛樹脂、環氧樹脂、聚酰胺雙馬來酰亞胺(ポリアミドビスマレイミド)等熱硬化性樹脂來形成絕緣樹脂層120。

作為加熱引起可塑性的絕緣材料，可列舉丙烯酸類熱可塑性樹脂等熱可塑性樹脂。引起可塑性的溫度例如是150～200℃。

作為加熱引起變形的絕緣材料，如果玻璃轉移溫度(Tg)例如是80～130℃，則也可以是熱硬化性樹脂。作為這樣的熱硬化性樹脂，可列舉聚酰亞胺類熱硬化性樹脂等。

布線層135被設置在絕緣樹脂層120的與半導體元件200相反的一側的主表面，導電材料優選由壓延金屬形成，進一步優選由壓延銅形成。壓延銅與由通過電鍍處理等形成的銅制成的金屬膜相比較機械強度高，優選作為用于再布線的材料。再有，布線層135也可以由電解銅等形成。布線層135具有形成突起電極110的電極形成區域135a、與此區域連續并延伸的布線區域135b和設置在與電極形成區域135a相反的一側的布線區域端部的外部連接區域135c。在外部連接區域135c中配置后述的焊球150。再有，布線層135的厚度例如約為15μm。