[發明專利]半導體模塊的制造方法

無效

• 申請號: 201010155425.1
• 申請日: 2010-03-31
• 公開（公告）號: CN101853788A
• 公開（公告）日: 2010-10-06
• 發明（設計）人: 岡山芳央;伊藤克實
• 申請（專利權）人: 三洋電機株式會社
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L21/60
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 岳雪蘭

1.一種半導體模塊的制造方法，其特征在于，包括：

第一工序，其蝕刻金屬板以形成突起部；

第二工序，其形成具有使所述突起部的一部分露出的厚度的絕緣層；以及

第三工序，其隔著所述絕緣層壓接在表面具有多個電極的半導體基板和所述金屬板，并電連接所述突起部和所述電極。

2.根據權利要求1所述的半導體模塊的制造方法，其特征在于，

所述第二工序在形成比所述突起部厚度更厚的絕緣層后進行蝕刻以達到使所述突起部的一部分露出的厚度。

3.根據權利要求1所述的半導體模塊的制造方法，其特征在于，

通過粘貼絕緣樹脂膜來形成所述絕緣層。

4.根據權利要求3所述的半導體模塊的制造方法，其特征在于，

在所述第一工序和所述第二工序之間附加蝕刻與形成有所述突起部的面相反的一側的金屬板的面的工序。

5.一種半導體模塊的制造方法，其特征在于，包括：

第一工序，其蝕刻金屬板以形成突起部；

第二工序，其在所述突起部的頂部表面形成金屬層，形成具有使所述金屬層的一部分露出的厚度的絕緣層；以及

第三工序，其隔著所述絕緣層壓接表面具有多個電極的半導體基板和所述金屬板，并電連接所述突起部和所述電極。

6.根據權利要求5所述的半導體模塊的制造方法，其特征在于，

所述第二工序在形成比所述金屬層的厚度和所述突起部的高度的總厚度更厚的絕緣層后，進行蝕刻以達到使所述金屬層的一部分露出的厚度。

7.根據權利要求5所述的半導體模塊的制造方法，其特征在于，

通過粘貼絕緣樹脂膜來形成所述絕緣層。

8.根據權利要求5所述的半導體模塊的制造方法，其特征在于，

在所述第一工序和所述第二工序之間附加蝕刻與形成有所述突起部的面相反的一側的金屬板的面的工序。