[發明專利]一種雙鑲嵌結構的形成方法有效
| 申請號： | 201010154726.2 | 申請日： | 2010-04-14 |
| 公開（公告）號： | CN102222639A | 公開（公告）日： | 2011-10-19 |
| 發明（設計）人： | 韓寶東;張海洋;孫武 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 李麗 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 鑲嵌 結構 形成 方法 | ||
1.一種雙鑲嵌結構的形成方法，其特征在于，包括：
提供襯底，所述襯底上形成有介質層，對所述介質層進行刻蝕，形成露出襯底表面的通孔；
對位于通孔間的介質層進行刻蝕，以形成溝槽，所述溝槽用于連接相鄰的通孔；
對所述通孔間的介質層進行修復刻蝕，使其具有光滑的表面，所述刻蝕氣體中包含有碳氟比例大于等于1∶2的氣體。
2.根據權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述碳氟比例大于等于1∶2的氣體為C4F8或C5F8。
3.根據權利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述刻蝕氣體為C4F8和O2，其中，所述C4F8流量為10SCCM至50SCCM，O2流量為100SCCM至500SCCM。
4.根據權利要求3所述的形成方法，其特征在于，所述刻蝕時間為10秒至60秒。
5.根據權利要求3所述的形成方法，其特征在于，所述刻蝕的腔體壓力為20毫托至40毫托，功率為200瓦至800瓦。
6.根據權利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述刻蝕氣體為C5F8和O2，其中，所述C5F8流量為10SCCM至50SCCM，O2流量為100SCCM至500SCCM。
7.根據權利要求6所述的形成方法，其特征在于，所述刻蝕時間為10秒至100秒。
8.根據權利要求6所述的形成方法，其特征在于，所述刻蝕的腔體壓力為40毫托至100毫托，功率為200瓦至1000瓦。
9.根據權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述溝槽刻蝕的具體工藝為等離子體刻蝕，所述刻蝕氣體包括有CF4和Ar。
10.根據權利要求9所述的形成方法，其特征在于，所述CF4流量為100SCCM至500SCCM，Ar流量為200SCCM至500SCCM。
11.根據權利要求10所述的形成方法，其特征在于，所述刻蝕時間為10秒至60秒。
12.根據權利要求10所述的形成方法，其特征在于，所述等離子體刻蝕的腔體壓力為50毫托至100毫托，功率為300瓦至1000瓦。
13.根據權利要求1所述的形成方法，其特征在于，還包括對所述通孔及溝槽填充導電材料。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
