[發明專利]光電裝置及其制造方法

無效

• 申請號: 201010153944.4
• 申請日: 2010-04-23
• 公開（公告）號: CN101944543A
• 公開（公告）日: 2011-01-12
• 發明（設計）人: 明承燁
• 申請（專利權）人: 韓國鐵鋼株式會社
• 主分類號: H01L31/042
• 分類號: H01L31/042;H01L31/0352;H01L31/20
• 代理公司: 北京萬慧達知識產權代理有限公司 11111
• 代理人: 葛強;鄔玥

1.一種光電裝置，包括：

基板(100)；

第一電極(210)，設置在所述基板上；

至少一個光電轉換層(230)，設置在所述第一電極(210)上，且包括受光層(233)；

第二電極(250)，設置在所述光電轉換層(230)上；其中，

所述受光層(233)包括：

第一子層(233a)，含有氫化微晶硅鍺和在所述氫化微晶硅鍺之間形成的非晶硅鍺網狀物(a-SiGe:H)；

第二子層(233b)，含有氫化微晶硅和在所述氫化微晶硅之間形成的非晶硅網狀物(a-Si:H)。

2.根據權利要求1所述的光電裝置，其特征在于：

所述受光層的平均鍺含量為大于0atomic％～15atomic％。

3.根據權利要求1所述的光電裝置，其特征在于：

所述受光層的厚度為0.5μm～1.0μm。

4.根據權利要求1所述的光電裝置，其特征在于：

所述受光層的平均結晶體體積分數為30％～60％。

5.根據權利要求1所述的光電裝置，其特征在于：

所述受光層的平均氧氣含量為1.0×10²⁰atoms/cm³以下。

6.根據權利要求1所述的光電裝置，其特征在于：

所述光電轉換層(230)包括第一光電轉換層和設置在所述第一光電轉換層(230-1)上的第二光電轉換層(230-2)；

包括在所述第二光電轉換層的受光層包括：

第一子層(233-2a)，含有氫化微晶硅鍺和在所述氫化微晶硅鍺之間形成的非晶硅鍺網狀物；

第二子層(233-2b)，含有氫化微晶硅和在所述氫化微晶硅之間形成的非晶硅網狀物。

7.根據權利要求6所述的光電裝置，其特征在于：

所述第二光電轉換層與第一光電轉換層相比，離光入射一側更遠。

8.根據權利要求1或6所述的光電裝置，其特征在于：

所述非晶硅鍺網狀物和非晶硅網狀物均含有晶硅晶粒。

9.一種光電裝置的制造方法，包括：

在基板(100)上形成第一電極(210)；

在腔室(310)內于第一電極(210)上形成包括受光層(233)的至少一個光電轉換層(230)；

在所述光電轉換層(230)上形成第二電極(250)；其中

形成所述受光層(233)期間，供給到所述腔室(310)內的硅烷的流量保持恒定；

含有非硅元素的原料氣體的流量隨著沉積時間的變化反復在第一流量值和第二流量值之間的變化；

在第一時刻流入到所述腔室(310)的氫氣流量大于在第一時刻之后的第二時刻流入到腔室(310)的氫氣流量。

10.根據權利要求9所述的光電裝置的制造方法，其特征在于：

所述第一流量值隨著沉積時間而增加；

通過所述第一流量值和所述第二流量值形成的所述受光層的第一子層和第二子層按照遠離光入射一側的方式形成。

11.根據權利要求9所述的光電裝置的制造方法，其特征在于：

保持所述第一流量值的時間隨著沉積時間而增加；

通過所述第一流量值和所述第二流量值形成的所述受光層的第一子層和第二子層按照遠離光入射一側的方式形成。

12.根據權利要求9至11中任一項所述的光電裝置的制造方法，其特征在于：所述第二流量值為零。

13.根據權利要求9所述的光電裝置的制造方法，其特征在于：所述非硅元素為鍺。

14.根據權利要求9至11中任一項所述的光電裝置的制造方法，其特征在于：

在所述第一流量值和所述第二流量值發生變化的一個以上周期內所供給的所述氫氣流量大于在所述一個以上周期之后所供給的所述氫氣流量。

15.根據權利要求9至11中任一項所述的光電裝置的制造方法，其特征在于：在所述第一流量值和第二流量值發生變化的每個周期，所述氫氣流量減少。

16.根據權利要求9至11中任一項所述的光電裝置的制造方法，其特征在于：所述氫氣流量隨著沉積時間逐漸減少。