[發明專利]基于非均勻空間立體陣列分布式SAR的雜波抑制方法

無效

• 申請號: 201010153675.1
• 申請日: 2010-04-23
• 公開（公告）號: CN101813765A
• 公開（公告）日: 2010-08-25
• 發明（設計）人: 劉梅;張雷;林超;陳錦海;張生杰
• 申請（專利權）人: 哈爾濱工業大學
• 主分類號: G01S7/02
• 分類號: G01S7/02;G01S13/90
• 代理公司: 哈爾濱市松花江專利商標事務所 23109
• 代理人: 張宏威

1.基于非均勻空間立體陣列分布式SAR的雜波抑制方法，其特征在于它的具體過程如 下：

步驟一、根據非均勻分布式SAR的實際空間分布，建立一個基于X-Y-Z坐標系的非均 勻空間立體陣列流形；

步驟二、利用基于俯仰維劃分的二次陣列插值信號重構方法，對步驟一建立的非均勻 空間立體陣列流形進行信號重構，獲得均勻空間立體陣列流形；

步驟三、根據步驟二獲得的均勻空間立體陣列流形，計算并獲得雜波的各維多普勒頻 率，進而獲得所述均勻空間立體陣列流形的雜波模型；

步驟四、根據所述均勻空間立體陣列流形的雜波模型、各維多普勒頻率及全空時自適 應處理方法，構建全空時自適應濾波器，進而對SAR實際接收的空時采樣信號進行雜波抑 制。

2.根據權利要求1所述的基于非均勻空間立體陣列分布式SAR的雜波抑制方法，其特 征在于步驟二所述內容的具體過程為：

步驟二一、對步驟一中所述非均勻空間立體陣列流形中的所有陣元，按照就近原則， 將所述所有陣元劃分到L個平行于X-Y坐標面的平面中，獲得L個平行于X-Y坐標面的不 均勻平面子陣列；其中，L為正整數，且L由所述非均勻空間立體陣列流形中的所有陣元 在Z向分布的疏密程度決定；

步驟二二、分別對步驟二一獲得的L個不均勻平面子陣列中的每一個平面子陣列進行 插值，獲得L個平行于X-Y坐標面的均勻平面子陣列；

步驟二三、根據由所述L個均勻平面子陣列構成的空間立體陣列流形，獲得M個平行 于X-Z坐標面的不均勻平面子陣列，然后對該M個不均勻平面子陣列的每一個不均勻平面 子陣列再次進行插值，分別獲得M個平行于X-Z坐標面的均勻平面子陣列；

步驟二四、根據步驟二三獲得的M個均勻平面子陣列，獲得均勻空間立體陣列流形。

3.根據權利要求2所述的基于非均勻空間立體陣列分布式SAR的雜波抑制方法，其特 征在于步驟三所述內容的具體過程為：

步驟三一、令步驟二四獲得的均勻空間立體陣列流形的平行于X-Z坐標面的一個平面 子陣列作為基準面子陣，然后根據步驟二獲得的均勻空間立體陣列流形計算獲得雜波的各 維多普勒頻率；

步驟三二、根據該基準面子陣的雜波模型以及步驟三一獲得的雜波的各維多普勒頻率， 獲得該均勻空間立體陣列流形的其余所有平面子陣列的雜波模型；其中，所述其余所有平 面子陣列均與X-Z坐標面平行；

步驟三三、由所述基準面子陣的雜波模型以及步驟三二獲得的其余所有平面子陣列的 雜波模型，獲得整個均勻空間立體陣列流形的雜波模型。