[發明專利]一種生長碲鎘汞薄膜的靶材制備方法

有效

• 申請號: 201010153604.1
• 申請日: 2010-04-23
• 公開（公告）號: CN102234765A
• 公開（公告）日: 2011-11-09
• 發明（設計）人: 孔金丞;孔令德;趙俊;王光華;張鵬舉;姬榮斌
• 申請（專利權）人: 昆明物理研究所
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34
• 代理公司: 昆明今威專利代理有限公司 53115
• 代理人: 賽曉剛

1.一種生長碲鎘汞薄膜的靶材制備方法，其特征在于采用晶態碲化鎘、碲化汞做原材料，通過以下工藝步驟來實現：

A.確定靶材組分，根據所需要制備的Hg_xCd_1-xTe(0≤x≤1)，確定靶材中碲、鎘、汞三種元素的物質的量之比1∶1-x∶x；

B.質量計算，按步驟A中所需比例計算碲化鎘和碲化汞的質量；

C.研磨，在操作箱中，用瑪瑙研缽將塊狀碲化鎘和碲化汞分別研磨成粒度為200目以下的粉末，整個研磨過程均充以高純N₂保護；

D.稱量，將研磨好的碲化鎘和碲化汞粉末按步驟B中的計算值分別稱量；

E.混合，將稱量好的粉末倒入潔凈的容器中，充分混合均勻；

F.冷軋，將混合均勻的粉末放入靶托的凹槽中，鋪設均勻并保持表面平整，在混合粉末上面覆蓋一層硫酸紙，蓋上圓形蓋子，再將靶托放入一對不銹鋼圓錠中，在其軸向緩慢、均勻加壓，壓力為10～20MPa，加壓過程間隔進行，以使其自然釋放壓力，整個加壓過程耗時為12h。

2.按照權利要求1所述的靶材制備方法，其特征在于制備靶材的原材料可以摻入雜質元素。