[發明專利]一種嵌有氧化物量子點的碳納米管復合氣敏膜的制備方法

有效

• 申請號: 201010153532.0
• 申請日: 2010-04-23
• 公開（公告）號: CN101811888A
• 公開（公告）日: 2010-08-25
• 發明（設計）人: 李昕;左曙;劉衛華;張勇;朱長純
• 申請（專利權）人: 西安交通大學
• 主分類號: C04B41/50
• 分類號: C04B41/50;C03C17/22;G01N27/00
• 代理公司: 西安通大專利代理有限責任公司 61200
• 代理人: 陸萬壽

1.嵌有氧化物量子點的碳納米管復合氣敏膜的制備方法，其特征在于， 采用厚膜工藝在硅襯底上制備一層氧化物納米顆粒膜層，在燒結爐中高溫燒 結作為生長襯底，然后在其上采用酞菁鐵高溫催化裂解法在單溫區電阻爐中 生長碳納米管復合結構，得到的碳納米管呈樹枝狀且有氧化物量子點嵌入到 其管內和管壁，所述方法包括以下步驟：

1)基底預處理

基底材料為硅或者二氧化硅襯底，先后分別用丙酮、無水乙醇和去離子 水對基底各超聲清洗20～30分鐘，然后在烘箱中烘干；

2)氧化物印刷漿料制備

稱取8～15克氧化物，粒徑小于1微米，量取30～50毫升松油醇倒入干 凈的燒杯中，將稱量好的氧化物倒入上面的燒杯中，用玻璃棒攪拌均勻后在 超聲波清洗器中超聲震蕩5～10分鐘，然后加入3～4克乙基纖維素，用玻璃 棒攪拌均勻和超聲震蕩3～5分鐘，將燒杯放在電熱恒溫加熱箱中加熱，保持 溫度80～100℃并不斷攪拌，最終制成氧化物納米顆粒漿料；

3)襯底制備

將氧化物納米顆粒漿料通過厚膜工藝，包括絲網印刷、甩涂和其它涂覆 工藝，在硅或者二氧化硅襯底上成型；

4)燒結

將制備好氧化物漿料的襯底放到燒結爐中，設置燒結溫度540～560℃， 保持恒溫30～40分鐘，然后自然冷卻至室溫；

5)生長碳納米管

將燒結后的氧化物襯底作為生長襯底，在單溫區電阻爐中采用酞菁鐵催 化裂解法生長碳納米管復合結構材料。

2.權利要求1中所述的嵌有氧化物量子點的碳納米管復合氣敏膜的制備 方法，其特征在于，氧化物是氧化鋅、氧化錫、氧化鈦或氧化鋯多種金屬氧 化物。