[發(fā)明專利]一種改善太陽能電池擴散薄膜電阻片內(nèi)均勻性的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010152171.8 | 申請日: | 2010-04-20 |
| 公開(公告)號: | CN101969083A | 公開(公告)日: | 2011-02-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 王慶錢 | 申請(專利權(quán))人: | 常州天合光能有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 常州市維益專利事務(wù)所 32211 | 代理人: | 王凌霄 |
| 地址: | 213031 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 改善 太陽能電池 擴散 薄膜 電阻 均勻 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種改善太陽能電池擴散薄膜電阻片內(nèi)均勻性的方法。
背景技術(shù)
太陽能電池是利用光伏效應(yīng)原理把太陽輻射能轉(zhuǎn)換成電能,太陽能電池本質(zhì)上是一個大面積半導體PN結(jié)的二極管。利用臥式擴散爐管在硅基片上進行擴散技術(shù)是制作太陽能電池PN結(jié)的核心技術(shù)。其技術(shù)水平的高低直接影響太陽能電池光電轉(zhuǎn)換效率。而硅片的單片片內(nèi)薄膜電阻均勻性是衡量臥式擴散爐管擴散效果的重要指標。因此,如何提高硅片擴散后片內(nèi)薄膜電阻均勻性,是業(yè)內(nèi)人士廣泛關(guān)注的課題。
在太陽能電池制造工藝中,在臥式石英爐管內(nèi)通入含雜質(zhì)源的工藝氣體(擴散源),在高溫條件下對硅基片進行擴散。爐管的高溫,是由爐管外的加熱絲進行加熱。硅片放置在石英舟上,石英舟放置在爐管內(nèi)。石英舟在爐管內(nèi)的位置,決定了硅片受熱是否均勻。若石英舟的位置不是在爐管內(nèi)理論的熱量均衡點,硅片受熱將不均勻,將會造成硅片的薄膜電阻不均勻。硅片越靠近爐壁,熱量吸收越充分,其擴散薄膜電阻值會下降。相反,擴散薄膜電阻會增加。
現(xiàn)有技術(shù)存在的不足是:臥式擴散爐管的爐體由于加熱絲的加工工藝的差異性,時間使用長后,部分爐絲失效,使爐管內(nèi)的熱量均衡點有所差異,而如果通過重新購買或維護加熱爐體,則成本較高。更換也很繁瑣。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是:克服現(xiàn)有技術(shù)的不足,提供一種改善太陽能電池擴散薄膜電阻片內(nèi)均勻性的方法,使硅片在爐管內(nèi)受熱均勻,太陽能電池擴散薄膜電阻片內(nèi)均勻性較好,太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率較高。
本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:一種改善太陽能電池擴散薄膜電阻片內(nèi)均勻性的方法,所述的太陽能電池具有硅片,硅片通過石英舟內(nèi)的卡槽放置在石英舟上,放有硅片的石英舟放置在擴散爐管內(nèi),擴散爐管加熱對硅片進行擴散,所述的改善太陽能電池擴散薄膜電阻片內(nèi)均勻性的方法包括下列步驟:
i、將經(jīng)擴散爐管擴散后得到的硅片進行擴散薄膜電阻分布測試;
ii、根據(jù)擴散薄膜電阻分布測試,得到硅片的擴散薄膜分布測試數(shù)據(jù);
iii、根據(jù)硅片的擴散薄膜分布測試數(shù)據(jù),調(diào)節(jié)石英舟的支撐腳高度h或調(diào)節(jié)石英舟的卡槽位置。
具體地,所述的硅片的擴散薄膜分布測試數(shù)據(jù)為:硅片上方測試點的擴散薄膜電阻比硅片下方測試點的擴散薄膜電阻高;所述的調(diào)節(jié)石英舟支撐腳高度的方法為:增高石英舟支撐腳的高度h,使石英舟上硅片的上方更靠近擴散爐管的爐壁。
具體地,所述的硅片的擴散薄膜分布測試數(shù)據(jù)為:硅片上方測試點的擴散薄膜電阻比硅片下方測試點的擴散薄膜電阻低;所述的調(diào)節(jié)石英舟支撐腳高度的方法為:降低石英舟支撐腳的高度h,使石英舟上硅片的上方更遠離擴散爐管的爐壁。
具體地,所述的硅片的擴散薄膜分布測試數(shù)據(jù)為:硅片右方測試點的擴散薄膜電阻比硅片左方測試點的擴散薄膜電阻高;所述的調(diào)節(jié)石英舟的卡槽位置的方法為:石英舟的卡槽位置向硅片右方移動,使石英舟上硅片的右側(cè)更靠近擴散爐管的爐壁。
具體地,所述的硅片的擴散薄膜分布測試數(shù)據(jù)為:硅片右方測試點的擴散薄膜電阻比硅片左方測試點的擴散薄膜電阻低;所述的調(diào)節(jié)石英舟的卡槽位置的方法為:石英舟的卡槽位置向硅片左方移動,使石英舟上硅片的右側(cè)更遠離擴散爐管的爐壁。
具體地,所述的硅片可進行多次擴散薄膜電阻分布測試,根據(jù)多次擴散薄膜分布測試數(shù)據(jù),進行石英舟支撐腳高度h的多次調(diào)節(jié)或石英舟卡槽位置的多次調(diào)節(jié)。
所述的調(diào)節(jié)石英舟的支撐腳高度或調(diào)節(jié)石英舟的卡槽位置均采用重新加工石英舟的方法。
本發(fā)明的有益效果是:本發(fā)明通過重新加工石英舟的方法,多次調(diào)節(jié)石英舟的支撐腳高度和石英舟的卡槽位置,來調(diào)節(jié)石英舟上硅片的位置,使硅片位于擴散爐管的熱量均衡點處,硅片上、下、左、右受熱均勻,因此,采用本發(fā)明的方法,能夠改善太陽能電池擴散薄膜電阻片內(nèi)均勻性,制作出的太陽能電池的擴散薄膜電阻片內(nèi)均勻性較好,因而其太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率較高。而且不用整體更換擴散爐管,成本維護較低。
附圖說明
下面結(jié)合附圖對本發(fā)明進一步說明。
圖1是本發(fā)明中擴散爐管、石英舟及硅片的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2是本發(fā)明調(diào)節(jié)石英舟的卡槽位置的示意圖;
圖3是現(xiàn)有技術(shù)制作的實施例的太陽能電池擴散薄膜電阻的分布示意圖;
圖4是采用本發(fā)明的方法制作的實施例的太陽能電池擴散薄膜電阻的分布示意圖;
其中:1.擴散爐管,2.石英舟,3.硅片。
具體實施方式
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- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





