[發明專利]一種改善太陽能電池擴散薄膜電阻片內均勻性的方法有效
| 申請號: | 201010152171.8 | 申請日: | 2010-04-20 |
| 公開(公告)號: | CN101969083A | 公開(公告)日: | 2011-02-09 |
| 發明(設計)人: | 王慶錢 | 申請(專利權)人: | 常州天合光能有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 常州市維益專利事務所 32211 | 代理人: | 王凌霄 |
| 地址: | 213031 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 改善 太陽能電池 擴散 薄膜 電阻 均勻 方法 | ||
1.一種改善太陽能電池擴散薄膜電阻片內均勻性的方法,所述的太陽能電池具有硅片,硅片通過石英舟內的卡槽放置在石英舟上,放有硅片的石英舟放置在擴散爐管內,擴散爐管加熱對硅片進行擴散,其特征在于:所述的改善太陽能電池擴散薄膜電阻片內均勻性的方法包括下列步驟:
i、將經擴散爐管擴散后得到的硅片進行擴散薄膜電阻分布測試;
ii、根據擴散薄膜電阻分布測試,得到硅片的擴散薄膜分布測試數據;
iii、根據硅片的擴散薄膜分布測試數據,調節石英舟的支撐腳高度h或調節石英舟的卡槽位置。
2.根據權利要求1所述的一種改善太陽能電池擴散薄膜電阻片內均勻性的方法,其特征在于:所述的硅片的擴散薄膜分布測試數據為:硅片上方測試點的擴散薄膜電阻比硅片下方測試點的擴散薄膜電阻高;所述的調節石英舟支撐腳高度的方法為:增高石英舟支撐腳的高度h,使石英舟上硅片的上方更靠近擴散爐管的爐壁。
3.根據權利要求1所述的一種改善太陽能電池擴散薄膜電阻片內均勻性的方法,其特征在于:所述的硅片的擴散薄膜分布測試數據為:硅片上方測試點的擴散薄膜電阻比硅片下方測試點的擴散薄膜電阻低;所述的調節石英舟支撐腳高度的方法為:降低石英舟支撐腳的高度h,使石英舟上硅片的上方更遠離擴散爐管的爐壁。
4.根據權利要求1所述的一種改善太陽能電池擴散薄膜電阻片內均勻性的方法,其特征在于:所述的硅片的擴散薄膜分布測試數據為:硅片右方測試點的擴散薄膜電阻比硅片左方測試點的擴散薄膜電阻高;所述的調節石英舟的卡槽位置的方法為:石英舟的卡槽位置向硅片右方移動,使石英舟上硅片的右側更靠近擴散爐管的爐壁。
5.根據權利要求1所述的一種改善太陽能電池擴散薄膜電阻片內均勻性的方法,其特征在于:所述的硅片的擴散薄膜分布測試數據為:硅片右方測試點的擴散薄膜電阻比硅片左方測試點的擴散薄膜電阻低;所述的調節石英舟的卡槽位置的方法為:石英舟的卡槽位置向硅片左方移動,使石英舟上硅片的右側更遠離擴散爐管的爐壁。
6.根據權利要求1所述的一種改善太陽能電池擴散薄膜電阻片內均勻性的方法,其特征在于:所述的硅片可進行多次擴散薄膜電阻分布測試,根據多次擴散薄膜分布測試數據,進行石英舟支撐腳高度h的多次調節或石英舟卡槽位置的多次調節。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于常州天合光能有限公司,未經常州天合光能有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201010152171.8/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





