[發(fā)明專利]一種超低功耗的動態(tài)補償電路及應用該電路的線性調節(jié)器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010151551.X | 申請日: | 2010-04-14 |
| 公開(公告)號: | CN101847028A | 公開(公告)日: | 2010-09-29 |
| 發(fā)明(設計)人: | 徐肯;張建強 | 申請(專利權)人: | 廣州市廣晟微電子有限公司 |
| 主分類號: | G05F1/565 | 分類號: | G05F1/565 |
| 代理公司: | 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205 | 代理人: | 李柏林 |
| 地址: | 510630 廣東省廣州市*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 功耗 動態(tài) 補償 電路 應用 線性 調節(jié)器 | ||
技術領域
本發(fā)明涉及一種補償電路和一種線性調節(jié)器,特別是一種超低功耗的動態(tài)補償電路及應用該電路的線性調節(jié)器。
背景技術
低壓降線性調節(jié)器(LDO:Low?Drop-out?Regulator)是電源管理芯片的一個重要分支,與開關電源技術相比,低壓降線性調節(jié)器具有結構簡單、成本低、噪聲小、功耗低以及無電磁干擾等優(yōu)點,所以在便攜式電子系統(tǒng)中得到廣泛的應用。
如圖1所示,一個傳統(tǒng)的低壓降線性調節(jié)器由基準產(chǎn)生模塊、誤差放大器、輸出器件和電阻分壓網(wǎng)絡組成,而負載電阻RL和負載電容CL共同組成線性調節(jié)器的負載。基準產(chǎn)生模塊產(chǎn)生一個溫度系數(shù)很小的帶隙(bandgap)基準電壓Vref,而電阻分壓網(wǎng)絡對輸出電壓Vout進行采樣并分壓得到反饋電壓Vfb,Vref和Vfb分別作為誤差放大器的輸入信號,誤差放大器根據(jù)兩輸入信號的大小,改變輸出器件的柵極電壓Vg來調整輸出器件的導通程度,從而保證輸出電壓Vout在各種負載條件下基本不變。
負載電容CL在系統(tǒng)中具有零極點補償?shù)淖饔茫謩e與輸出器件的導通電阻和其本身的等效串聯(lián)電阻(ESR:Equivelent?SeriesResistor)形成一個極點和一個零點。為了保證系統(tǒng)在任何負載的條件下都保持穩(wěn)定,在應用中一般取很大的CL值(uF級)來使得輸出極點為系統(tǒng)的主極點。然而在目前的半導體工藝中,想在芯片中集成一個uF級的電容幾乎是不可能的,所以CL一般采用片外的分立電容來實現(xiàn),這樣勢必會占用芯片的管腳并且增加電路板的面積和外圍器件的數(shù)目,從而造成系統(tǒng)成本的增加。因此,設計一種既能在所有負載條件下都保持穩(wěn)定,又無需片外負載電容的線性調節(jié)器是很有必要的,也是當今研究的熱點技術。
近年來,已有不少的文獻提出了一些技術來保證無電容型線性調節(jié)器的穩(wěn)定性,主要有采用低導通電阻的輸出器件、密勒補償技術、零點補償技術及有源電容技術等。但是,目前的技術都或多或少存在一些不足之處,如采用低導通電阻的輸出器件的方法,就對工藝要求較高,或者需要采用電荷泵技術而對系統(tǒng)引入較大的噪聲;零點補償技術則要么受成本和精度的限制,要么難以實現(xiàn)真正無電容工作;有源電容技術則電路復雜,而且功耗難以接受,而較常用的密勒補償技術,也往往因為要加入額外的運放而增加電路的復雜度和功耗。
發(fā)明內容
為了解決上述的技術問題,本發(fā)明的目的是提供一種超低功耗且結構簡單的動態(tài)補償電路。所述動態(tài)補償電路能根據(jù)線性調節(jié)器的輸出負載條件動態(tài)地調整系統(tǒng)中的零點位置,保證系統(tǒng)在各種負載條件下都能穩(wěn)定地工作。
本發(fā)明的另一個目的是提供一種應用上述超低功耗動態(tài)補償電路的線性調節(jié)器。
本發(fā)明解決其技術問題所采用的技術方案是:
一種超低功耗的動態(tài)補償電路,包括:
一動態(tài)密勒補償模塊,其用于改變補償?shù)牧泓c位置;
一輸出電流檢測模塊,其用于檢測線性調節(jié)器的輸出電流,并輸出相應的控制信號;
一控制模塊,其根據(jù)輸出電流檢測模塊的輸出信號,產(chǎn)生相應的控制信號,動態(tài)地控制動態(tài)密勒補償模塊,從而改變線性調節(jié)器的補償零點的位置。
進一步,所述動態(tài)密勒補償模塊包括一可變電阻(Rz)和一密勒補償電容(Cc),所述可變電阻(Rz)和密勒補償電容(Cc)串聯(lián)連接,所述可變電阻(Rz)的控制端與控制模塊的輸出端連接。
進一步,所述動態(tài)密勒補償模塊包括一固定電阻(Rc)、一NMOS管(Mn2)和一密勒補償電容(Cc),所述固定電阻(Rc)與NMOS管(Mn2)的源極和漏極并聯(lián)后再與密勒補償電容(Cc)串聯(lián),所述NMOS管(Mn2)的柵極與控制模塊的輸出端連接。
一種應用超低功耗動態(tài)補償電路的線性調節(jié)器,所述線性調節(jié)器的誤差放大器的輸出端和線性調節(jié)器的輸出端之間連接有一超低功耗動態(tài)補償電路。
進一步,所述的線性調節(jié)器的誤差放大器的輸出端還連接有一輸出緩沖器,所述輸出緩沖器的輸入端與超低功耗動態(tài)補償電路的輸入端連接,所述超低功耗動態(tài)補償電路的輸出端與線性調節(jié)器的輸出端連接。
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