[發(fā)明專利]一種超低功耗的動態(tài)補償電路及應用該電路的線性調(diào)節(jié)器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010151551.X
• 申請日: 2010-04-14
• 公開（公告）號: CN101847028A
• 公開（公告）日: 2010-09-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 徐肯;張建強
• 申請（專利權(quán)）人: 廣州市廣晟微電子有限公司
• 主分類號: G05F1/565
• 分類號: G05F1/565
• 代理公司: 廣州嘉權(quán)專利商標事務所有限公司 44205
• 代理人: 李柏林

1.一種超低功耗的動態(tài)補償電路，其特征在于：包括：

一動態(tài)密勒補償模塊，其用于改變補償?shù)牧泓c位置；

一輸出電流檢測模塊，其用于檢測線性調(diào)節(jié)器的輸出電流，并輸出相應的控制信號；

一控制模塊，其根據(jù)輸出電流檢測模塊的輸出信號，產(chǎn)生相應的控制信號，動態(tài)地控制動態(tài)密勒補償模塊，從而改變線性調(diào)節(jié)器的補償零點的位置。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超低功耗的動態(tài)補償電路，其特征在于：所述動態(tài)密勒補償模塊包括一可變電阻(R_z)和一密勒補償電容(C_c)，所述可變電阻(R_z)和密勒補償電容(C_c)串聯(lián)連接，所述可變電阻(R_z)的控制端與控制模塊的輸出端連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超低功耗的動態(tài)補償電路，其特征在于：所述動態(tài)密勒補償模塊包括一固定電阻(R_c)、一NMOS管(Mn2)和一密勒補償電容(C_c)，所述固定電阻(R_c)與NMOS管(Mn2)的源極和漏極并聯(lián)后再與密勒補償電容(C_c)串聯(lián)，所述NMOS管(Mn2)的柵極與控制模塊的輸出端連接。

4.一種應用超低功耗動態(tài)補償電路的線性調(diào)節(jié)器，其特征在于：所述線性調(diào)節(jié)器的誤差放大器的輸出端和線性調(diào)節(jié)器的輸出端之間連接有一超低功耗動態(tài)補償電路。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種應用超低功耗動態(tài)補償電路的線性調(diào)節(jié)器，其特征在于：所述的線性調(diào)節(jié)器的誤差放大器的輸出端還連接有一輸出緩沖器，所述輸出緩沖器的輸入端與超低功耗動態(tài)補償電路的輸入端連接，所述超低功耗動態(tài)補償電路的輸出端與線性調(diào)節(jié)器的輸出端連接。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種應用超低功耗動態(tài)補償電路的線性調(diào)節(jié)器，其特征在于：所述動態(tài)補償電路的輸出電流檢測模塊與控制模塊由一PMOS管(Mp1)和一NMOS管(Mn1)組成，所述NMOS管(Mn1)的源極接地、柵極接基準電壓，所述NMOS管(Mn1)的漏極與PMOS管(Mp1)的漏極相連并作為控制輸出端與動態(tài)密勒補償模塊的控制輸入端連接，所述PMOS管(Mp1)的源極接線性調(diào)節(jié)器的輸入電壓、柵極接線性調(diào)節(jié)器的誤差放大器的輸出端。

7.根據(jù)權(quán)利要求6任一項所述的一種應用超低功耗動態(tài)補償電路的線性調(diào)節(jié)器，其特征在于：所述PMOS管(Mp1)和NMOS管(Mn1)的尺寸遠小于線性調(diào)節(jié)器輸出器件的尺寸。

8.根據(jù)權(quán)利要求6任一項所述的一種應用超低功耗動態(tài)補償電路的線性調(diào)節(jié)器，其特征在于：所述PMOS管(Mp1)和NMOS管(Mn1)的寬長比遠小于線性調(diào)節(jié)器輸出器件的寬長比。