[發(fā)明專利]硅化鎂法硅烷的制備工藝有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010151496.4 | 申請日: | 2010-04-21 |
| 公開(公告)號: | CN101798085A | 公開(公告)日: | 2010-08-11 |
| 發(fā)明(設計)人: | 李群;張曉薇;顧克軍;祁宏祥;吳海浪;張曉諭;蔣智慧;殷恒志 | 申請(專利權)人: | 江蘇揚農化工集團有限公司;江蘇瑞祥化工有限公司 |
| 主分類號: | C01B33/04 | 分類號: | C01B33/04 |
| 代理公司: | 北京金富邦專利事務所有限責任公司 11014 | 代理人: | 胡世明;蔡志勇 |
| 地址: | 225009*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 硅化鎂法 硅烷 制備 工藝 | ||
技術領域
本發(fā)明屬于多晶硅技術領域,涉及一種硅烷的制備工藝,尤其 涉及一種以硅化鎂為原料的制備硅烷的改進工藝。
背景技術
硅烷(SiH4)廣泛用于外延沉積單晶硅膜和生產多晶硅膜,制 造非晶硅太陽能電池和復印機的光敏部件,以硅鼓代替?zhèn)鹘y(tǒng)的硒 鼓,以及在玻璃工業(yè)中用于生產茶色玻璃。在高科技領域中,硅烷 和乙烯在激光激活下可生成碳化硅超細粉末,硅烷和氨在激光激活 下可生成氮化硅超細粉末。同時隨著光伏產業(yè)的迅猛發(fā)展,國內硅 烷需求量急速增加。
目前生產硅烷方法主要有:硅化鎂氨解法(簡稱硅化鎂法)、 氯硅烷歧化法(也稱UCC法)和氟化硅氫化法(也稱ETHYL法)。 硅化鎂制備硅烷的方法是早期國際上比較普遍采用的一種生產方 法,后來逐漸被其他方法所取代。國內1960年代開發(fā)成功硅化鎂 方法技術路線,國內目前還是硅化鎂法占主導地位。硅化鎂法生產 硅烷的基本原理為:以硅化鎂和氯化銨為原料,以液態(tài)氨為反應介 質,反應生成硅烷和六氨氯化鎂。該方法具有硅烷產率高、反應原 料易得、操作簡單、溫度和壓力工藝條件容易達到等優(yōu)點。現有硅 化鎂法硅烷的制備方法由于技術及安全等多方面的因素,基本采用 小規(guī)模間歇操作,存在以下幾方面的明顯不足:
1)硅烷發(fā)生過程中出氣量不穩(wěn),對操作人員及設備要求高, 安全性差;
2)間歇反應時間一般為24h,產率只有70%,產能低,增加了 生產成本;
3)硅烷發(fā)生的反應溫度一般選擇-40~-80℃,如此低溫條件 反應對冷媒降溫要求高,增加了能耗;
4)硅烷發(fā)生后直接進入硅烷精制工序,夾帶液氨量大,增加 了提純難度;
5)間歇操作液氨泄漏較多,環(huán)境污染嚴重。
發(fā)明內容
本發(fā)明的目的是為了解決現有硅化鎂法小規(guī)模間歇生產硅烷 所存在的勞動強度大、安全性差、產率低、能耗高、環(huán)境污染嚴重 等不足,提供一種硅化鎂法連續(xù)生產硅烷的方法,其包括如下步驟:
將固體氯化銨與液氨配制成質量分數為1%~40%的氯化銨液氨 溶液;將配制好的氯化銨液氨溶液和硅化鎂固體連續(xù)地由多級串聯(lián) 硅烷發(fā)生器的第一級加入或分級限量加入,硅化鎂與氯化銨原料累 計摩爾比為1∶1~8;對各級硅烷發(fā)生器進行攪拌并冷卻,各級硅 烷發(fā)生器的反應溫度為-60~30℃,反應壓力為0.1~1.5MPa,反 應物料停留時間為1~12h;各級硅烷發(fā)生器連續(xù)發(fā)生的硅烷經由 洗滌塔、冷凝器進入硅烷緩沖罐收集,硅烷氣體帶出的氨氣經冷凝 器冷凝后的液氨由洗滌塔返回硅烷發(fā)生器,返回的液氨同時對硅烷 中的硼烷等雜質進行洗滌。
所述的多級串聯(lián)硅烷發(fā)生器優(yōu)選2~4級,最好是3級或4級。 少于3級時,反應時間延長,產率下降,多于4級時,雖然操作更 趨向安全、穩(wěn)定,但存在裝置投資大、占地面積大、能耗高的缺點。 硅烷發(fā)生器的形式通常為反應釜。
所述配制氯化銨液氨溶液的質量分數為1%~40%,優(yōu)選10%~ 30%。氯化銨濃度過低,反應速度慢,不利于產能的提高;而濃度 過高,固液物料接觸不好,對反應速度也有很大的影響。
反應過程中,硅化鎂與氯化銨原料累計摩爾比通常為1∶1~8, 優(yōu)選按累計摩爾比為1∶4~6進行投料。硅化鎂與氯化銨反應的理 論配比為1∶4,氯化銨配比過低,硅化鎂反應不完全;配比過高, 氯化銨原料成本明顯增加。
一種優(yōu)選實施方案中,配制好的氯化銨液氨溶液和硅化鎂分別 用泵和螺旋加料器計量連續(xù)加入硅烷發(fā)生器。
采用3級硅烷發(fā)生器連續(xù)操作時,隨著反應原料的不斷加入, 第一級硅烷發(fā)生器中的物料經泵依次輸入第二、第三級硅烷發(fā)生 器,進行連續(xù)的硅烷發(fā)生反應。3級硅烷發(fā)生器反應物料停留時間 為1~12h,優(yōu)選3~8h。
串聯(lián)的各級硅烷發(fā)生器可以采用一致的操作溫度和壓力,也可 以采用不同的溫度和壓力;優(yōu)選采用反應溫度逐級提高的操作方式 以保證硅烷發(fā)生的產率。
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