[發(fā)明專利]硅化鎂法硅烷的制備工藝有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010151496.4 | 申請日: | 2010-04-21 |
| 公開(公告)號: | CN101798085A | 公開(公告)日: | 2010-08-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李群;張曉薇;顧克軍;祁宏祥;吳海浪;張曉諭;蔣智慧;殷恒志 | 申請(專利權(quán))人: | 江蘇揚(yáng)農(nóng)化工集團(tuán)有限公司;江蘇瑞祥化工有限公司 |
| 主分類號: | C01B33/04 | 分類號: | C01B33/04 |
| 代理公司: | 北京金富邦專利事務(wù)所有限責(zé)任公司 11014 | 代理人: | 胡世明;蔡志勇 |
| 地址: | 225009*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 硅化鎂法 硅烷 制備 工藝 | ||
1.一種硅化鎂法生產(chǎn)硅烷的方法,采用連續(xù)生產(chǎn)方法,包括如 下步驟:將固體氯化銨與液氨配制成質(zhì)量分?jǐn)?shù)為1%~40%的氯化銨 液氨溶液;將配制好的氯化銨液氨溶液和硅化鎂固體連續(xù)地由多級 串聯(lián)硅烷發(fā)生器的第一級加入或分級限量加入,硅化鎂與氯化銨原 料累計(jì)摩爾比為1∶5~8;對各級硅烷發(fā)生器進(jìn)行攪拌并冷卻,各 級硅烷發(fā)生器的反應(yīng)溫度為-60~30℃且逐級提高,反應(yīng)壓力為 0.1~1.5MPa,反應(yīng)物料停留時(shí)間為1~12h;各級硅烷發(fā)生器連續(xù) 發(fā)生的硅烷經(jīng)由洗滌塔、冷凝器進(jìn)入硅烷緩沖罐收集,硅烷氣體帶 出的氨氣經(jīng)冷凝器冷凝后的液氨由洗滌塔返回硅烷發(fā)生器,返回的 液氨同時(shí)對硅烷中的硼烷雜質(zhì)進(jìn)行洗滌。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,所述的多級串聯(lián)硅烷發(fā)生器是 2~4級。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法,所述氯化銨液氨溶液的質(zhì) 量分?jǐn)?shù)為10%~30%。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法,所述硅化鎂與氯化銨原料 累計(jì)摩爾比為1∶5~6。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法,各級硅烷發(fā)生器的反應(yīng)溫 度為-50~20℃,反應(yīng)壓力為0.3~1.0MPa,反應(yīng)物料停留時(shí)間為 3~8h。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法,采用3級連續(xù)操作時(shí),第 一、二、三級硅烷發(fā)生器溫度分別控制在-60~-10℃、-40~10℃、 -20~30℃。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,所述的第一、二、三級硅烷發(fā) 生器溫度分別控制在-50~-20℃、-30~0℃、-10~20℃。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法,進(jìn)一步地,在各級硅烷發(fā) 生器上安裝安全閥。
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