[發(fā)明專利]一種在氧化鋅鋁導(dǎo)電薄膜上生長(zhǎng)氧化鋅納米線陣列的方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201010150281.0 | 申請(qǐng)日: | 2010-04-19 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN101824613A | 公開(kāi)(公告)日: | 2010-09-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 闕文修;張進(jìn) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 西安交通大學(xué) |
| 主分類號(hào): | C23C20/08 | 分類號(hào): | C23C20/08;C01G9/02 |
| 代理公司: | 西安通大專利代理有限責(zé)任公司 61200 | 代理人: | 陸萬(wàn)壽 |
| 地址: | 710049*** | 國(guó)省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 氧化鋅 導(dǎo)電 薄膜 生長(zhǎng) 納米 陣列 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于一種納米結(jié)構(gòu)陣列自組裝生長(zhǎng)的方法,具體涉及一種在氧化鋅鋁導(dǎo)電薄 膜上生長(zhǎng)氧化鋅納米線陣列的方法。
背景技術(shù)
氧化鋅是一種典型的寬禁帶直接帶隙n型半導(dǎo)體,其應(yīng)用范圍甚廣。同時(shí)它也是一 種無(wú)毒無(wú)污染的環(huán)保型材料。原料豐富,成本低廉。有關(guān)研究可以追溯到二十世紀(jì)六十年 代。最早吸引研究者興趣的是氧化鋅薄膜的壓電性能。隨后,由于太陽(yáng)能電池和平面顯示工 業(yè)的發(fā)展,氧化鋅薄膜的透明導(dǎo)電性引起了極大的興趣。氧化鋅薄膜優(yōu)良的壓電性能和可見(jiàn) 光區(qū)域高透射率使其在近半個(gè)世紀(jì)以來(lái)一直是許多研究者關(guān)注的目標(biāo)。近年來(lái),由于光電材 料領(lǐng)域研究非常活躍,氧化鋅薄膜的光電性能也引起了廣泛的興趣。
摻鋁離子的氧化鋅薄膜,即氧化鋅鋁薄膜作為一種透明導(dǎo)電氧化物薄膜,具有與ITO 薄膜可比擬的電學(xué)和光學(xué)特性,而且具有儲(chǔ)量豐富、易于制造、成本較低、無(wú)毒、熱穩(wěn)定性 好等優(yōu)點(diǎn),因而氧化鋅鋁薄膜越來(lái)越受到重視。
由于氧化鋅納米線具有良好的結(jié)晶狀態(tài)和較高的電子遷移率,成為氧化鋅半導(dǎo)體電 極微觀結(jié)構(gòu)的最佳選擇。氧化鋅納米線陣列的制備方法主要包括基于氣-液-固(VLS)機(jī)制的 催化反應(yīng)生長(zhǎng)法、模板法、激光輔助化學(xué)氣相淀積法、金屬有機(jī)化學(xué)氣相淀積法 (MOCVD)、金屬有機(jī)氣相外延生長(zhǎng)法(MOVPE)以及濕化學(xué)法、兩步化學(xué)溶液法等等。由于 氧化鋅在不同方向的快速生長(zhǎng)以及極性表面的誘導(dǎo)作用使得它具有沿極化方向有著各向異性 生長(zhǎng)的特點(diǎn),因而自組織方法也是制備氧化鋅納米線陣列的一種重要途徑。
采用氧化鋅鋁薄膜充當(dāng)籽晶層來(lái)自組裝生長(zhǎng)氧化鋅納米線,可將兩者的優(yōu)點(diǎn)有機(jī)結(jié) 合,運(yùn)用于紫外發(fā)光和壓電傳感等方面,尤其是在太陽(yáng)能光伏器件方面具有很廣泛的應(yīng)用前 景。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的內(nèi)容在于提供一種生長(zhǎng)氧化鋅鋁透明導(dǎo)電薄膜上的氧化鋅納米線陣列的制 備方法。
為達(dá)到上述目的,本發(fā)明采用的制備方法為: 1)將二水合醋酸鋅、單乙醇氨和去離子水按1∶1∶0.5的摩爾比溶解于乙二醇甲醚中制成 二水合醋酸鋅的濃度為0.1~1mol/L的混合溶液; 2)再將相對(duì)于鋅離子濃度1~2%摩爾量的六水合氯化鋁溶解于步驟1)的混合溶液中作為 鋁離子摻雜; 3)將摻雜鋁離子后的溶液密封后放入恒溫水浴鍋中,恒溫60℃磁力攪拌得到透明均勻的溶 膠; 4)利用旋轉(zhuǎn)涂層工藝在轉(zhuǎn)速為2000-3000轉(zhuǎn)/分鐘將上述得到的溶膠沉積在清洗干凈的ITO 玻璃片上,再將旋涂后的基片放入200-275℃干燥箱中烘烤使溶劑能充分揮發(fā),最后將基片 放入退火爐中,350-500℃退火0.5-2小時(shí)得到氧化鋅鋁籽晶層; 5)將六水合硝酸鋅和氫氧化鈉溶于水中制成生長(zhǎng)液,生長(zhǎng)液中六水合硝酸鋅的濃度為0.02- 0.04mol/L,氫氧化鈉的濃度為0.4-0.8mol/L; 6)將鍍有氧化鋅鋁籽晶層的基片置于倒有生長(zhǎng)液的水熱反應(yīng)釜中,將反應(yīng)釜密封后在80- 180℃溫度下處理1-3小時(shí),得到生長(zhǎng)在氧化鋅鋁籽晶層上的氧化鋅納米線陣列。
本發(fā)明采用溶膠-凝膠技術(shù)結(jié)合水熱自組裝生長(zhǎng)技術(shù),具有合成成本低、工藝要求簡(jiǎn) 單、而且重復(fù)性好和可大規(guī)模制造等優(yōu)點(diǎn)。本發(fā)明提出的是在氧化鋅鋁薄膜上水熱生長(zhǎng)氧化 鋅納米線陣列,通過(guò)在氧化鋅溶膠中摻雜鋁離子來(lái)提高薄膜的導(dǎo)電性能,并在其上生長(zhǎng)氧 化鋅納米線陣列,將兩者的優(yōu)點(diǎn)有機(jī)結(jié)合,在太陽(yáng)能光伏器件方面有著廣泛的應(yīng)用前景。
附圖說(shuō)明
圖1和圖2生長(zhǎng)在氧化鋅鋁籽晶層上氧化鋅納米線陣列的掃描電子顯微鏡圖; 圖3不同溫度下在不同摻雜濃度的籽晶層上生長(zhǎng)氧化鋅納米線的長(zhǎng)度數(shù)據(jù)圖; 圖4生長(zhǎng)氧化鋅納米線陣列后樣品紫外受激發(fā)光強(qiáng)度圖,其中橫坐標(biāo)為入射光波長(zhǎng),縱坐標(biāo) 為強(qiáng)度。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。
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