[發明專利]一種在氧化鋅鋁導電薄膜上生長氧化鋅納米線陣列的方法無效
| 申請號： | 201010150281.0 | 申請日： | 2010-04-19 |
| 公開（公告）號： | CN101824613A | 公開（公告）日： | 2010-09-08 |
| 發明（設計）人： | 闕文修;張進 | 申請（專利權）人： | 西安交通大學 |
| 主分類號： | C23C20/08 | 分類號： | C23C20/08;C01G9/02 |
| 代理公司： | 西安通大專利代理有限責任公司 61200 | 代理人： | 陸萬壽 |
| 地址： | 710049*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 氧化鋅 導電 薄膜 生長 納米 陣列 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種在氧化鋅鋁導電薄膜上生長氧化鋅納米線陣列的方法，其特征在于：
1)將二水合醋酸鋅、單乙醇胺和去離子水按1∶1∶0.5的摩爾比溶解于乙二醇甲醚中制成二水合醋酸鋅的濃度為0.1～1mol/L的混合溶液；
2)再將相對于鋅離子濃度1～2％摩爾量的六水合氯化鋁溶解于步驟1)的混合溶液中作為鋁離子摻雜；
3)將摻雜鋁離子后的溶液密封后放入恒溫水浴鍋中，恒溫60℃磁力攪拌得到透明均勻的溶膠；
4)利用旋轉涂層工藝在轉速為2000-3000轉/分鐘將上述得到的溶膠沉積在清洗干凈的ITO玻璃片上，再將旋涂后的基片放入200-275℃干燥箱中烘烤使溶劑能充分揮發，最后將基片放入退火爐中，350-500℃退火0.5-2小時得到氧化鋅鋁籽晶層；
5)將六水合硝酸鋅和氫氧化鈉溶于水中制成生長液，生長液中六水合硝酸鋅的濃度為0.02-0.04mol/L，氫氧化鈉的濃度為0.4-0.8mol/L；
6)將鍍有氧化鋅鋁籽晶層的基片置于倒有生長液的水熱反應釜中，將反應釜密封后在80-180℃溫度下處理1-3小時，得到生長在氧化鋅鋁籽晶層上的氧化鋅納米線陣列。?
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C23 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制
C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C20-00 通過固態覆層化合物抑或覆層形成化合物懸浮液分解且覆層中不留存表面材料反應產物的化學鍍覆
C23C20-02 .鍍金屬材料
C23C20-06 .鍍金屬材料以外的無機材料
C23C20-08 ..鍍化合物、混合物或固溶體，例如硼化物、碳化物、氮化物
C23C20-04 ..鍍金屬
C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C20-00 通過固態覆層化合物抑或覆層形成化合物懸浮液分解且覆層中不留存表面材料反應產物的化學鍍覆
C23C20-02 .鍍金屬材料
C23C20-06 .鍍金屬材料以外的無機材料
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