[發明專利]半導體裝置有效
| 申請號： | 201010150094.2 | 申請日： | 2010-03-15 |
| 公開（公告）號： | CN101866946A | 公開（公告）日： | 2010-10-20 |
| 發明（設計）人： | 高橋徹雄;大月高實 | 申請（專利權）人： | 三菱電機株式會社 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06;H01L29/41;H01L29/739 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 何欣亭;徐予紅 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 | ||
1.一種半導體裝置，其中包括：
半導體襯底，該半導體襯底具有主表面且在所述主表面具有元件形成區域；
保護環，在俯視圖中該保護環以包圍所述元件形成區域周圍的方式形成在所述半導體襯底的所述主表面；
保護環電極，形成在所述半導體襯底的所述主表面上且與所述保護環電連接；
溝道截斷區域，在俯視圖中該溝道截斷區域形成為在所述半導體襯底的所述主表面位于所述保護環的外周側；
溝道截斷電極，形成在所述半導體襯底的所述主表面上且與所述溝道截斷區域電連接；以及
場電極，以絕緣狀態配置在所述半導體襯底上，
所述場電極包含位于所述半導體襯底的所述主表面與所述保護環電極之間的第一部分和位于所述半導體襯底的所述主表面與所述溝道截斷電極之間的第二部分，
所述第一部分在俯視圖中具有與所述保護環電極重疊的部分，
所述第二部分在俯視圖中與具有所述溝道截斷電極重疊的部分。
2.如權利要求1所述的半導體裝置，其中，
所述場電極包含所述第一部分及所述第二部分以外的第三部分，
所述第三部分在俯視圖中具有與所述第一部分及所述第二部分的至少任一部分重疊的部分。
3.如權利要求2所述的半導體裝置，其中，
所述場電極的所述第三部分與所述保護環電極及所述溝道截斷電極屬于相同的層。
4.如權利要求2所述的半導體裝置，其中，
所述場電極的所述第三部分形成在比所述保護環電極及所述溝道截斷電極更下方的層。
5.如權利要求1所述的半導體裝置，其中，
所述場電極包含所述第一部分及所述第二部分以外的第三部分，
所述第一部分、所述第二部分及所述第三部分沿著所述主表面延伸的方向排列。
6.如權利要求5所述的半導體裝置，其中，
所述場電極包含下層電極和接觸于所述下層電極上地配置的上層埋入電極。
7.如權利要求1所述的半導體裝置，其中，
所述場電極與所述保護環電極電容耦合，且與所述溝道截斷電極電容耦合。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于三菱電機株式會社，未經三菱電機株式會社許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201010150094.2/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
