[發明專利]卷芯及卷繞于卷芯的晶片加工用帶無效
| 申請號: | 201010149043.8 | 申請日: | 2010-02-12 |
| 公開(公告)號: | CN102157422A | 公開(公告)日: | 2011-08-17 |
| 發明(設計)人: | 木村和寬;丸山弘光;中村俊光 | 申請(專利權)人: | 古河電氣工業株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/68 | 分類號: | H01L21/68;C09J163/04 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 李貴亮 |
| 地址: | 日本國*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 卷繞 晶片 工用 | ||
技術領域
本發明涉及一種將晶片加工用帶卷繞成卷軸狀的卷芯,特別是涉及一種將具有切割·芯片焊接膜的晶片加工用帶卷繞成卷軸狀的卷芯,所述切割·芯片焊接膜具備切割膠帶(dicing?tape)和芯片焊接膜(die?bonding?film)兩種功能。
背景技術
近年來,開發有一種切割·芯片焊接膜,其兼具在將半導體晶片切割分離(dicing)成各個芯片時用于固定半導體晶片的切割膠帶、和用于將切割的半導體芯片粘接于引線架及封裝基板等或用于在層疊封裝中用于層疊、粘接半導體芯片之間的芯片焊接膜(也稱為芯片貼裝薄膜)兩個功能。
作為這樣的切割·芯片焊接膜,考慮到向晶片貼付及切割時向環形框架安裝等的作業性,存在實施預切加工等情況。
實施預切加工的切割·芯片焊接膜的例如圖4及圖5所示。圖4、圖5(A)及圖5(B)分別為具備切割·芯片焊接膜40的晶片加工用帶30的簡圖、平面圖、剖面圖。晶片加工用帶30包括脫模膜31、膠粘劑層32、粘合膜33。膠粘劑層32加工成對應晶片形狀的圓形,具有圓形標簽形狀。粘合膜33為除去與切割用環形框架的形狀對應的圓形部分的周邊區域的部分,如圖所示,具有圓形標簽部33a和包圍其外側的周邊部33b。膠粘劑層32和粘合膜33的圓形標簽部33a以它們的中心一致的方式層疊,另外,粘合膜33的圓形標簽部33a覆蓋膠粘劑層32,且在其周圍與脫模膜31接觸。而且,通過由膠粘劑層32和粘合膜33的圓形標簽部33a構成的層疊構造,構成切割·芯片焊接膜40。
在對晶片切割時,將脫模膜31從層疊狀態的膠粘劑層32及粘合膜33剝離,如圖6所示,將半導體晶片W的背面貼付在膠粘劑層32上,將切割用環形框架R粘合固定在粘合膜33的圓形標簽部33a的外周部。在該狀態下,對半導體晶片W進行切割,其后,對粘合膜33實施紫外線照射等固化處理,拾取半導體芯片。此時,粘合膜33由于通過固化處理而粘合力降低,容易從膠粘劑層32剝離,半導體芯片在背面附著膠粘劑層32的狀態下進行拾取。在半導體芯片的背面附著的膠粘劑層32其后在將半導體芯片粘接于引線架及封裝基板或其它的半導體芯片時,具有作為芯片焊接膜的功能。
如圖4及圖5所示,如上所述的晶片加工用帶30中,膠粘劑層32與粘合膜33的圓形標簽部33a層疊的部分比其它部分厚。因此,使用如圖7所示的現有的卷芯50即在旋轉中心形成圓筒狀空洞部53的卷芯50,如圖8所示,將晶片加工用帶30作為制品而卷繞成卷軸狀時,在膠粘劑層32和粘合膜33的圓形標簽部33a的層疊部分,由于除去粘合膜33而形成的粘合膜33與脫模膜的階梯差疊加,產生在柔軟的膠粘劑層32的表面轉印階梯差的現象即如圖9所示的轉印痕(也稱為標簽痕、褶皺、或卷痕等)。這樣的轉印痕的產生,特別是在膠粘劑層32由柔軟的樹脂形成的情況及較厚的情況,以及膠帶30的卷數較多的情況等下顯著。而且,產生轉印痕時,在膠粘劑層和半導體晶片之間卷入空氣而不密接,其結果,可能會引起粘接不良而在晶片的加工時產生不便。
為了抑制上述轉印痕的產生,考慮減弱薄膜的卷取壓,在該方法中,可能會產生制品的卷繞間隙,例如向貼帶設備的安裝變難等,在該薄膜的實際安裝時帶來障礙。
另外,在專利文獻1中公開了一種為了抑制上述那樣的標簽痕的產生,而在剝離基材上的膠粘劑層級粘合膜的外方設置具有與膠粘劑層及粘合膜的合計的膜厚相同或在其以上的膜厚的支持層的粘接片。專利文獻1的粘接片通過具備支持層而將施加于粘接片的卷取壓力分散或集中于支持層,抑制轉印痕的產生。
專利文獻1:(日本)特開2007-2173號公報
但是,在上述專利文獻1的粘接片中,由于在剝離基板上的在制造半導體裝置時需要的膠粘劑層及粘合膜以外的部分形成支持層,因此支持層的寬度受到限制,相對于膠粘劑層及粘合膜的外徑,支持層的寬度狹窄,產生對標簽痕的抑制效果不充分這樣的問題。另外,由于支持層通常不具有粘合性而不與剝離基材(PET薄膜)充分貼付,在支持層的最狹窄的部分容易從剝離基材浮起,而在晶片上粘合切割·芯片焊接膜時,上述的浮起部分影響到裝置而產生了損傷晶片的問題。
另外,也考慮擴大支持層的寬度,但由于晶片加工用帶整體的寬度變寬,而使現有裝備的使用變得困難。另外,由于支持層為最終廢棄的部分,如果擴大支持層的寬度關系到材料成本的上升。
發明內容
因此,本發明的目的在于,提供一種在將具備在脫模膜上具有膠粘劑層及粘合膜的切割·芯片焊接膜的晶片加工用帶卷取為卷軸狀的情況下,將具有可以充分抑制向膠粘劑層的轉印痕的產生的切割·芯片焊接膜的晶片加工用帶卷繞成卷軸狀的卷芯。
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