[發明專利]環境友好半導體材料Mg2Si薄膜的磁控濺射制備工藝有效
| 申請號： | 201010147304.2 | 申請日： | 2010-04-15 |
| 公開（公告）號： | CN101798680A | 公開（公告）日： | 2010-08-11 |
| 發明（設計）人： | 謝泉;肖清泉;張晉敏 | 申請（專利權）人： | 貴州大學 |
| 主分類號： | C23C14/35 | 分類號： | C23C14/35;C23C14/06;C23C14/58 |
| 代理公司： | 貴陽中新專利商標事務所 52100 | 代理人： | 吳無懼 |
| 地址： | 550025 貴*** | 國省代碼： | 貴州;52 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 環境友好 半導體材料 mg sub si 薄膜 磁控濺射 制備 工藝 | ||
1.一種環境友好半導體材料Mg2Si薄膜的磁控濺射制備工藝，其特征在于：它包括以下過程：首先，清洗Si基片；其次，將清洗后的Si基片送入真空磁控濺射系統的濺射室，在Si單晶上沉積Mg膜，形成Si/Mg薄膜結構；最后，將Si/Mg薄膜結構放置于真空退火爐內在氬氣氛圍下350-550℃退火3-8小時，形成環境友好半導體Mg2Si薄膜。
2.根據權利要求1所述的環境友好半導體材料Mg2Si薄膜的磁控濺射制備工藝，其特征在于：在濺射Mg膜前，先對預先裝在濺射室的Mg預濺射，去除Mg靶上的氧化物。
3.根據權利要求1所述的環境友好半導體材料Mg2Si薄膜的磁控濺射制備工藝，其特征在于：退火前對退火爐抽真空，使其背底真空小于等于10-3Pa時往真空退火爐內通入氬氣。
4.根據權利要求1所述的環境友好半導體材料Mg2Si薄膜的磁控濺射制備工藝，其特征在于：退火過程中，保持退火爐腔體內氬氣氣壓為10-104Pa的氬氣氛圍。
5.根據權利要求1所述的環境友好半導體材料Mg2Si薄膜的磁控濺射制備工藝，其特征在于：采用高真空磁控濺射系統在Si單晶上沉積200-500nmMg膜。
6.根據權利要求1所述的環境友好半導體材料Mg2Si薄膜的磁控濺射制備工藝，其特征在于：室溫下濺射沉積條件如下：濺射氣壓0.5Pa-3.0Pa，氬氣流量5sccm-30sccm，濺射功率60W～110?W。
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