[發明專利]雙面拋光半導體晶片的方法

有效

• 申請號: 201010144726.4
• 申請日: 2010-03-22
• 公開（公告）號: CN101927447A
• 公開（公告）日: 2010-12-29
• 發明（設計）人: J·施萬德納
• 申請（專利權）人: 硅電子股份公司
• 主分類號: B24B29/02
• 分類號: B24B29/02;H01L21/304
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 過曉東

1.一種雙面拋光半導體晶片的方法，其包括在第一步中，用含有固著磨料的拋光墊拋光所述半導體晶片的正面，同時用不含磨料的拋光墊拋光所述半導體晶片的背面，但是在這個過程中將含有磨料的拋光劑加入到該拋光墊和該半導體晶片的背面之間；然后翻轉半導體晶片；接著在第二步中，用含有固著磨料的拋光墊拋光半導體晶片的背面，同時用不含固著磨料的拋光墊拋光半導體晶片的正面，含有磨料的拋光劑被加入到該拋光墊和該半導體晶片的正面之間。

2.權利要求1所述的方法，其中所述拋光劑含有選自元素鋁、鈰和硅的氧化物中的一種或多種的磨料。

3.權利要求1所述的方法，其中所述拋光劑是膠體分散二氧化硅。

4.權利要求2或3所述的方法，其中所述拋光劑含有一種或多種選自以下組中的添加劑：碳酸鈉(Na₂CO₃)、碳酸鉀(K₂CO₃)、氫氧化鈉(NaOH)、氫氧化鉀(KOH)、氫氧化銨(NH₄OH)和氫氧化四甲銨(TMAH)。

5.權利要求1-4之一所述的方法，其中所述含有固著磨料的拋光墊含有選自元素鈰、鋁、硅和鋯的氧化物的顆粒或選自以下硬質物質的顆粒：碳化硅、氮化硼和金剛石。

6.權利要求5所述的方法，其中所述拋光墊含有氧化鈰顆粒。

7.權利要求1-6之一所述的方法，其中所述含有固著磨料的拋光墊含有粒徑大于或等于0.1μm并且小于或等于1.0μm的顆粒。

8.權利要求1-7之一所述的方法，其中所述不含固著磨料的拋光墊具有多孔基質。

9.權利要求1-8之一所述的方法，其中所述不含固著磨料的拋光墊由熱塑性或熱固性聚合物組成。

10.權利要求9所述的方法，其中所述拋光墊含有多微孔的固體聚氨酯。

11.權利要求1-10之一所述的方法，其中所述半導體晶片包括硅、硅-鍺、二氧化硅、氮化硅或砷化鎵、或其它III-V半導體。

12.權利要求1-11之一所述的方法，其中半導體晶片的至少一次邊緣拋光在第一步雙面拋光之前、或第二步雙面拋光之后或在兩步雙面拋光之間進行。

13.權利要求12所述的方法，其中進行兩次邊緣拋光，第一次邊緣拋光在兩步雙面拋光之間進行，而第二次邊緣拋光在第二步雙面拋光之后進行。

14.權利要求13所述的方法，其中所述兩次邊緣拋光分別通過以下步驟來進行：將半導體晶片固定在中心旋轉的夾盤上，將半導體晶片和向所述夾盤相對傾斜并帶有含固著磨料的拋光墊的中心旋轉拋光筒集合在一起，并且將半導體晶片和所述拋光筒壓在一起，同時持續供應拋光劑。

15.權利要求14所述的方法，其中在第一次邊緣拋光中使用不含固體的拋光劑。

16.權利要求14或15所述的方法，其中進行第二次邊緣拋光的同時供應含有磨料的拋光劑懸浮液。

17.權利要求14-17之一所述的方法，其中固定在所述拋光筒上的拋光墊含有選自元素鈰、鋁、硅和鋯的氧化物顆粒的磨料物質或選自以下硬質物質的顆粒的磨料物質：碳化硅、氮化硼和金剛石。

18.權利要求17所述的方法，其中所述磨料的平均粒徑為0.1-1μm。