[發(fā)明專利]電平轉(zhuǎn)換電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010144039.2
• 申請(qǐng)日: 2010-03-31
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102208909A
• 公開(kāi)（公告）日: 2011-10-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 單毅
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號(hào): H03K19/0185
• 分類號(hào): H03K19/0185
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 李麗

1.一種電平轉(zhuǎn)換電路，用于將高電平的輸入信號(hào)轉(zhuǎn)換成低電平的輸出信號(hào)，

其特征在于，包括：

高電平線、低電平線以及地線；

整形電路，耦合于低電平線與地線之間，包括偶數(shù)級(jí)串接的反相器單元；

輸出電路，耦合于高電平線與地線之間，包括偶數(shù)級(jí)串接的反相器單元，其中第一級(jí)反相器單元包括一對(duì)PMOS晶體管、第一對(duì)NMOS晶體管以及第二對(duì)NMOS晶體管，該對(duì)PMOS晶體管的漏極互相與對(duì)方的柵極連接，源極與高電平線連接，所述第一對(duì)NMOS晶體管分別與第二對(duì)NMOS晶體管串連，且串連的NMOS晶體管的柵極相互連接，所述第一NMOS晶體管的源極均接地，第二對(duì)NMOS晶體管的漏極分別與該對(duì)PMOS晶體管的漏極連接，所述第二對(duì)NMOS晶體管的柵極分別與整形電路的最后級(jí)反相器單元的輸入端以及輸出端連接，而柵極與整形電路的最后級(jí)反相器單元輸出端連接的NMOS晶體管，其漏極作為該級(jí)反相器單元的輸出端與輸出電路的第二級(jí)反相器單元連接；

所述第二NMOS晶體管為耗盡型厚柵晶體管，第一NMOS晶體管為薄柵型晶體管。

2.如權(quán)利要求1所述的電平轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，所述整形電路的反相器單元均為CMOS反相器，高位端均連接至低電平線，低位端均連接至地線。

3.如權(quán)利要求2所述的電平轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，所述CMOS反相器中的MOS晶體管均為薄柵型晶體管。

4.如權(quán)利要求1所述的電平轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，所述輸出電路除第一級(jí)以外的反相器單元均為CMOS反相器，高位端均連接至高電平線，低位端均連接至地線。

5.如權(quán)利要求4所述的電平轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，所述CMOS反相器中的MOS晶體管均為厚柵型晶體管。

6.如權(quán)利要求1所述的電平轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，所述該對(duì)PMOS晶體管為厚柵型晶體管。

7.如權(quán)利要求6所述的電平轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，所述串連的第一對(duì)NMOS晶體管與第二對(duì)NMOS晶體管之間還耦接有NMOS晶體管對(duì)，且所述耦接的NMOS晶體管為薄柵型晶體管，柵極均與低電平線連接。