[發明專利]具有半導體薄膜的組合半導體裝置

有效

• 申請號: 201010143609.6
• 申請日: 2003-11-13
• 公開（公告）號: CN101800183A
• 公開（公告）日: 2010-08-11
• 發明（設計）人: 荻原光彥;藤原博之;安孫子一松;佐久田昌明
• 申請（專利權）人: 日本沖信息株式會社
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L21/60;H01L25/16;H01L23/52;B41J2/45
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 臧霽晨;李家麟

1.一種制造組合半導體裝置的方法，所述方法包括如下步驟：

準備具有平的上表面的第一襯底；

準備由使用不同于所述第一襯底的第二襯底的工藝而形成的第一半 導體薄膜；

將所述第一半導體薄膜轉移到所述第一襯底的所述上表面上的第一 預先確定的區域上，并將所述第一半導體薄膜結合到所述第一襯底的所述 上表面上；

準備由使用不同于所述第一襯底和所述第二襯底的第三襯底的工藝 而形成的第二半導體薄膜；

將所述第二半導體薄膜轉移到所述第一襯底的所述上表面上的第二 預先確定的區域上，并將所述第二半導體薄膜附著到所述第一襯底的所述 上表面上；

其中，所述第一和第二半導體薄膜中的每個具有不大于10微米的厚 度；

所述第一半導體薄膜的主要材料有非晶硅、單晶硅、多晶硅或化合物 半導體，并且所述第一半導體薄膜包括至少一個半導體器件；以及

所述第二半導體薄膜的主要材料有再結晶硅、單晶硅、多晶硅或化合 物半導體，并且所述第二半導體薄膜包括集成電路和第一端子，

所述方法還包括在所述第一半導體薄膜的所述結合和所述第二半導 體薄膜的附著之后的如下步驟：通過光刻法形成單獨互連線，所述單獨互 連線越過所述第一襯底的所述上表面，從所述第一半導體薄膜延伸到所述 第二半導體薄膜，并電連接所述第一半導體薄膜的所述半導體器件和所述 第二半導體薄膜的所述第一端子。