[發明專利]具有半導體薄膜的組合半導體裝置有效
| 申請號: | 201010143609.6 | 申請日: | 2003-11-13 |
| 公開(公告)號: | CN101800183A | 公開(公告)日: | 2010-08-11 |
| 發明(設計)人: | 荻原光彥;藤原博之;安孫子一松;佐久田昌明 | 申請(專利權)人: | 日本沖信息株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/50 | 分類號: | H01L21/50;H01L21/60;H01L25/16;H01L23/52;B41J2/45 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 臧霽晨;李家麟 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 半導體 薄膜 組合 裝置 | ||
本申請是申請號為200310118175.4、發明名稱為“具有半導體薄 膜的組合半導體裝置”的申請(原申請日為2003年11月13日)的分 案申請。
技術領域
本發明涉及一種半導體裝置,它可用在例如電子照相打印機的發光 二極管(LED)打印頭中。
背景技術
參考圖28,常規的LED打印頭900包括了一電路板901,其上面裝 配了具有電極焊盤903的多個LED陣列芯片902,以及具有電極焊盤905 的多個驅動器集成電路(IC)芯片904。電極焊盤903,905通過接合線 906互連,從驅動IC芯片904經接合線906向形成在LED陣列芯片902 中的LED907提供電流。驅動IC芯片904上的其它電極焊盤909通過其 它接合線911與電路板901上的接合焊盤910連接。
為了得到可靠的引線接合,電極焊盤903,905,909必須相當大, 如一百微米見方(100μm×100μm),并且LED陣列芯片902必須具有 與驅動IC芯片904(典型250-300μm)大約相同的厚度,盡管LED陣 列芯片902的功能部分(LED?907)距離表面僅有約5μm的深度。為了 適應引線接合的需要,僅僅為了容納LED907,LED陣列芯片902就必須 比必要量要大許多和厚許多。這些要求提高了LED陣列芯片902的尺寸 和材料成本。
正如圖29中的平面圖所示,在每個LED陣列芯片902上電極焊盤903 可能必需排成交叉的形式。這種排列進一步增加了芯片面積,并且由于 增加了從一些LED907到它們的電極焊盤903的路徑長度而增加了相關的 電壓降。
還不得不增加驅動IC芯片904的尺寸來容納大量的接合焊盤905, 驅動IC芯片904通過接合焊盤905與LED陣列芯片902互連。
在日本尚未審查的專利申請公布號No10-063807(圖3-6,圖8和 段落0021)中公開了具有薄膜結構的發光元件,但是這些發光元件具有 焊料凸點的電極焊盤,經過它來提供電流。一個這種發光元件的陣列占 用與常規LED陣列芯片902基本上相同的面積。
發明內容
本發明的總的目的是減小半導體裝置的尺寸和材料成本。
更具體的目的是減小包含有發光元件陣列和它們的驅動電路的半導 體裝置的尺寸和材料成本。
本發明提供了一種集成半導體裝置,其中與襯底分開形成一對半導體 薄膜,然后將這對薄膜接合到襯底上。第一半導體薄膜包括至少一個半 導體器件。第二半導體薄膜包括了一集成電路和端子以驅動第一半導體 膜中的半導體器件。一單獨互連線從第一半導體薄膜延伸到第二半導體 薄膜,部分地經過襯底并且將第一半導體薄膜中的半導體器件與第二半 導體薄膜中的端子電連接。如果需要的話,可以提供電介質膜以使得單 獨互連線與部分半導體薄膜以及與襯底絕緣。
在第一半導體薄膜中的半導體器件可以是LED。該半導體薄膜可以包 括由位于第二半導體薄膜中的集成電路所驅動的LED陣列。與包含LED 陣列芯片和分離的驅動IC芯片的常規半導體裝置相比,本發明的半導體 裝置減少了材料成本,這是因為LED陣列和集成電路簡化成薄膜并且由 此減小了裝置的總體尺寸。因為取消了常規的用于互連LED和它們的驅 動電路的大的引線接合焊盤,并且因為減小了LED和它們的驅動電路之 間的距離,所以總體尺寸縮小了。
附圖說明
在附圖中:
圖1是示意性示出根據本發明第一實施例的部分集成LED/驅動IC芯 片的透視圖;
圖2是示意性示出圖1中的集成LED/驅動IC芯片的平面圖;
圖3是更詳細的示意性示出圖1中的部分集成LED/驅動IC芯片的平 面圖;
圖4是示意性示出圖3中的經過線S4-S4剖面部分的剖視圖;
圖5是半導體晶片的平面圖,在該晶片上根據本發明第一實施例制作 了集成LED/驅動IC芯片;
圖6A到6E是示意性示出制作圖1中的集成LED/驅動IC芯片的制作 工藝步驟的平面圖;
圖7是示意性示出在LED外延薄膜制作工藝中第一階段的剖視圖;
圖8是示意性示出在LED外延薄膜制作工藝中第二階段的剖視圖;
圖9是示意性示出在LED外延薄膜制作工藝中第三階段的剖視圖;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





