[發明專利]半導體器件

無效

• 申請號: 201010143449.5
• 申請日: 2010-03-17
• 公開（公告）號: CN101866951A
• 公開（公告）日: 2010-10-20
• 發明（設計）人: 大田浩史;齋藤涉;小野昇太郎;藪崎宗久;羽田野菜名;渡邊美穗
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/739;H01L29/06;H01L29/36
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 許海蘭

1.一種半導體器件，其特征在于包括：

晶體管，具有第一導電型的第一半導體層、和形成在上述第一半導體層上的元件區域且沿著與上述第一半導體層的表面平行的方向交替排列了第一導電型的第二半導體層以及第二導電型的第三半導體層的柱結構的漂移層；

形成在上述第一半導體層上且與上述元件區域鄰接并包圍上述元件區域的第一元件周圍區域，并相對上述漂移層并行并且交替配置的第一導電型的第四半導體層以及具有比上述第四半導體層多的雜質量的第二導電型的第五半導體層；

在上述第四半導體層以及第五半導體層上隔著絕緣膜形成的電極層；以及

形成在上述第一半導體層上且與上述第一元件周圍區域鄰接并包圍上述第一元件周圍區域的第二元件周圍區域，并相對上述第四半導體層以及第五半導體層并行并且交替配置的第一導電型的第六半導體層以及具有比上述第六半導體層少的雜質量的第二導電型的第七半導體層。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于：

上述晶體管具有：

選擇性地形成在上述第二以及第三半導體層的表面的第二導電型的第八半導體層；

選擇性地形成在上述第八半導體層的表面的第一導電型的第九半導體層；

形成在上述第八半導體層、第九半導體層、以及第二半導體層上的柵絕緣膜；

形成在上述柵絕緣膜上，與上述第八半導體層、第九半導體層、以及第二半導體層絕緣的控制電極；

與上述第一半導體層電連接的第一主電極；以及

與上述第八半導體層以及第九半導體層電連接的第二主電極。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于：

上述第四半導體層以及第五半導體層的排列方向的間距以及上述第六半導體層以及第七半導體層的排列方向的間距與上述第二半導體層以及第三半導體層的排列方向的間距相同。

4.根據權利要求2所述的半導體器件，其特征在于：

上述第四半導體層以及第五半導體層的排列方向的間距以及上述第六半導體層以及第七半導體層的排列方向的間距與上述第二半導體層以及第三半導體層的排列方向的間距相同。

5.根據權利要求1、2、或3所述的半導體器件，其特征在于：

上述第二半導體層、第四半導體層、第六半導體層、第三半導體層、第五半導體層、以及第七半導體層即使導電型不同，也具有相同的雜質濃度。

6.根據權利要求1、2、3或4所述的半導體器件，其特征在于：

第一導電型的第二半導體層以及第二導電型的第三半導體層的雜質量相同。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于：

上述第六半導體層具有比上述第四半導體層高的雜質濃度以及相同的在排列方向的寬度，

上述第七半導體層具有比上述第五半導體層低的雜質濃度以及相同的在排列方向的寬度。

8.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于：

上述第四半導體層以及第五半導體層的雜質濃度以及上述第六半導體層以及第七半導體層的雜質濃度小于上述第二半導體層以及第三半導體層的雜質濃度。

9.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于：

在上述第一元件周圍區域中的上述第四半導體層以及第五半導體層與上述絕緣膜之間，形成有第一導電型的RESURF層即降低表面電場層或第一導電型的保護環層中的至少一個。

10.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于：

在上述第二元件周圍區域中的上述第一元件周圍區域的相反側，配置有雜質濃度比上述第二半導體層高的第一導電型的溝道截斷層。