[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置及其制造方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010143224.X
• 申請(qǐng)日: 2010-03-24
• 公開（公告）號(hào): CN101847610A
• 公開（公告）日: 2010-09-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 三原一郎
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 卡西歐計(jì)算機(jī)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L23/31
• 分類號(hào): H01L23/31;H01L23/29;H01L21/56
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 許玉順;胡建新

相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

本申請(qǐng)基于2009年3月25日提出申請(qǐng)的日本專利申請(qǐng)第2009-075277號(hào)并主張其優(yōu)先權(quán)，這里引用其包括說(shuō)明書、權(quán)利要求書、附圖和說(shuō)明書摘要的全部?jī)?nèi)容。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置及其制造方法。

背景技術(shù)

在以往的半導(dǎo)體裝置中已知具有被稱為CSP(chip?size?package：芯片尺寸封裝)且螺旋形狀的薄膜感應(yīng)元件。例如，在日本專利公開公報(bào)2008-210828號(hào)公報(bào)中公開了下述這樣的半導(dǎo)體裝置。該半導(dǎo)體裝置具備半導(dǎo)體襯底。在半導(dǎo)體襯底的上表面設(shè)有絕緣膜。在絕緣膜的上表面上設(shè)有多個(gè)布線以及螺旋形狀的薄膜感應(yīng)元件。在布線的連接焊盤部上表面設(shè)有柱狀電極。在柱狀電極的周圍設(shè)有密封膜。在柱狀電極的上表面設(shè)有焊球。

然而，在上述這樣的半導(dǎo)體裝置中，絕緣膜構(gòu)成為包括了設(shè)置在半導(dǎo)體襯底的上表面上的由氧化硅等構(gòu)成的鈍化膜以及在其上表面上設(shè)置的由聚酰亞胺類樹脂等構(gòu)成的保護(hù)膜，若在保護(hù)膜的上表面上設(shè)有布線以及薄膜感應(yīng)元件，則當(dāng)布線中流過(guò)電流時(shí)，通過(guò)感應(yīng)會(huì)在半導(dǎo)體襯底中產(chǎn)生渦流。而且，該渦流會(huì)在薄膜感應(yīng)元件中產(chǎn)生渦流損失，導(dǎo)致薄膜感應(yīng)元件的特性劣化。

為了解決該問(wèn)題，在上述日本專利公開公報(bào)2008-210828號(hào)公報(bào)所記載的半導(dǎo)體裝置中，在半導(dǎo)體襯底上的鈍化膜和薄膜感應(yīng)元件之間設(shè)置了由下述材料構(gòu)成的磁性膜，以取代由聚酰亞胺類樹脂等構(gòu)成的保護(hù)膜，所述材料是在由聚酰亞胺類樹脂等構(gòu)成的熱硬化性樹脂中摻入軟磁性體粉末后所形成的材料。而且，通過(guò)這樣，能夠降低因在半導(dǎo)體襯底中產(chǎn)生渦流而引起的薄膜感應(yīng)元件的渦流損失。

然而，在上述的半導(dǎo)體裝置中，由于磁性膜是向由聚酰亞胺類樹脂等構(gòu)成的熱硬化性樹脂中摻入價(jià)格比較高的材料即軟磁性體粉末而形成的，因此價(jià)格變得比較高。另外，很難均勻地向熱硬化性樹脂中分散軟磁性體粉末。在此，若產(chǎn)生軟磁性體粉末的分散過(guò)密的部位，則有發(fā)生電路短路的危險(xiǎn)。另一方面，若產(chǎn)生軟磁性體粉末的分散過(guò)疏的部位，則降低渦流損失的效果會(huì)變差。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于能夠提供一種價(jià)格比較低廉且能夠防止電路短路，并且能夠?qū)崿F(xiàn)均勻的降低渦流損失的效果的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。

可以獲得上述優(yōu)點(diǎn)的本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置具備：形成有集成電路的半導(dǎo)體襯底；第一樹脂膜，設(shè)在上述半導(dǎo)體襯底上；第二樹脂膜，設(shè)在上述第一樹脂膜的至少除了周邊部之外的上表面上；以及薄膜感應(yīng)元件，設(shè)在上述第二樹脂膜上。

可以獲得上述優(yōu)點(diǎn)的本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法包括：在半導(dǎo)體襯底的整個(gè)上表面上形成第一樹脂膜的工序，該半導(dǎo)體襯底上形成有集成電路，并且在周邊部上設(shè)有與上述集成電路連接的多個(gè)連接焊盤；在上述第一樹脂膜上的上述連接焊盤的內(nèi)側(cè)區(qū)域形成第二樹脂膜的工序；以及在上述第二樹脂膜上形成薄膜感應(yīng)元件的工序。

發(fā)明效果

根據(jù)本發(fā)明，由于在第二樹脂膜上設(shè)置薄膜感應(yīng)元件，該第二樹脂膜設(shè)置在半導(dǎo)體襯底上所設(shè)置的第一樹脂膜的至少除了周邊部之外的上表面上，利用第一和第二樹脂膜的合計(jì)厚度，能夠降低因在半導(dǎo)體襯底中產(chǎn)生渦流而引起薄膜感應(yīng)元件的渦流損失。在該情況下，由于第二樹脂膜是由價(jià)格比較低的樹脂形成的，因此能夠以比較低的價(jià)格，防止電路短路，并且，能夠均勻地發(fā)揮降低渦流損失的效果。

附圖說(shuō)明

通過(guò)下面的描述和附圖可以充分地理解本發(fā)明，但下面的描述和附圖僅用于解釋本發(fā)明，并不以此來(lái)限定本發(fā)明的保護(hù)范圍。

圖1A是本發(fā)明的第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的主要部分的俯視圖(除去圖1B中的密封膜的狀態(tài))。

圖1B是沿圖1A的B-B線的剖視圖。

圖2是圖1A、1B所示的半導(dǎo)體裝置的制造方法的一個(gè)例子，是最初準(zhǔn)備的結(jié)構(gòu)的剖視圖。

圖3是圖2的下一工序的剖視圖。

圖4是圖3的下一工序的剖視圖。

圖5是圖4的下一工序的剖視圖。

圖6是圖5的下一工序的剖視圖。

圖7是圖6的下一工序的剖視圖。

圖8是圖7的下一工序的剖視圖。

圖9是圖8的下一工序的剖視圖。

圖10是圖9的下一工序的剖視圖。

圖11是圖10的下一工序的剖視圖。

圖12是圖11的下一工序的剖視圖。

圖13A是本發(fā)明的第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的主要部分的俯視圖(除去圖13B中的密封膜(封止膜)的狀態(tài))。

圖13B是沿圖13A的B-B線的剖視圖。