[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置及其制造方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010143224.X
• 申請(qǐng)日: 2010-03-24
• 公開（公告）號(hào): CN101847610A
• 公開（公告）日: 2010-09-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 三原一郎
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 卡西歐計(jì)算機(jī)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L23/31
• 分類號(hào): H01L23/31;H01L23/29;H01L21/56
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 許玉順;胡建新

1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具備：

形成有集成電路的半導(dǎo)體襯底；

第一樹脂膜(5)，設(shè)在上述半導(dǎo)體襯底上；

第二樹脂膜(7)，設(shè)在上述第一樹脂膜的至少除了周邊部之外的上表面上；以及

薄膜感應(yīng)元件(11)，設(shè)在上述第二樹脂膜上。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

上述第二樹脂膜的側(cè)面是傾斜面。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

在上述半導(dǎo)體襯底的周邊部上設(shè)有與上述集成電路連接的多個(gè)連接焊盤，

上述第二樹脂膜設(shè)置在上述半導(dǎo)體襯底上的比上述連接焊盤靠?jī)?nèi)側(cè)的區(qū)域。

4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

上述第二樹脂膜的厚度比上述第一樹脂膜的厚度厚。

5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

上述第一樹脂膜的厚度和上述第二樹脂膜的厚度的合計(jì)是10μm～20μm。

6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

上述第二樹脂膜的厚度是上述第一樹脂膜的厚度的2倍或者大于2倍。

7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

上述第一樹脂膜的厚度是2μm～6μm。

8.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

在上述第一樹脂膜和上述第二樹脂膜上設(shè)有布線以及薄膜感應(yīng)元件用布線，

上述布線的一端部以及上述薄膜感應(yīng)元件用布線的一端部與上述連接焊盤連接，

上述薄膜感應(yīng)元件用布線的另一端部與上述薄膜感應(yīng)元件的外端部連接。

9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

上述第二樹脂膜的側(cè)面是傾斜面。

10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

在上述布線的連接焊盤部上以及上述薄膜感應(yīng)元件的內(nèi)端部上設(shè)有柱狀電極。

11.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

在上述第一樹脂膜下設(shè)有薄膜感應(yīng)元件用下層布線，

上述薄膜感應(yīng)元件用下層布線的一端部與上述連接焊盤連接，另一端部通過(guò)在上述第一樹脂膜和上述第二樹脂膜上設(shè)置的開口部，與上述薄膜感應(yīng)元件的內(nèi)端部連接。

12.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包括：

在半導(dǎo)體襯底的整個(gè)上表面上形成第一樹脂膜的工序，該半導(dǎo)體襯底上形成有集成電路，并且在周邊部上設(shè)有與上述集成電路連接的多個(gè)連接焊盤；

在上述第一樹脂膜上的上述連接焊盤的內(nèi)側(cè)區(qū)域形成第二樹脂膜的工序；以及

在上述第二樹脂膜上形成薄膜感應(yīng)元件的工序。

13.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

形成上述第二樹脂膜的工序包括將上述第二樹脂膜形成為比上述第一樹脂膜的厚度厚的工序。

14.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

形成上述第二樹脂膜的工序包括使上述第一樹脂膜的厚度和上述第二樹脂膜的厚度的合計(jì)為10μm～20μm的工序。

15.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

形成上述第二樹脂膜的工序包括使上述第二樹脂膜的厚度是上述第一樹脂膜的厚度的2倍或者大于2倍的工序。

16.如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

形成第一樹脂膜的工序包括使上述第一樹脂膜的厚度為2μm～6μm的工序。

17.如權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，還包括下述工序：

在形成上述第一樹脂膜的工序之后，在形成上述第二樹脂膜的工序之前，通過(guò)光刻法在上述第一樹脂膜的與在上述半導(dǎo)體襯底的周邊部上形成的上述多個(gè)連接焊盤相對(duì)應(yīng)的部分形成開口部的工序。