[發(fā)明專利]發(fā)光二極管

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010142980.0
• 申請日: 2010-03-19
• 公開（公告）號: CN102194968A
• 公開（公告）日: 2011-09-21
• 發(fā)明（設計）人: 余國輝;王建鈞;朱長信;李孟信
• 申請（專利權(quán)）人: 佛山市奇明光電有限公司;奇力光電科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/62;H01L33/64
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 彭久云

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明是有關(guān)于一種發(fā)光元件，且特別是有關(guān)于一種發(fā)光二極管(LED)及其制造方法。

背景技術(shù)

目前，發(fā)光二極管的封裝工藝主要是將發(fā)光二極管芯片固定在可提供保護的封裝支架上，再覆蓋一層封膠來保護發(fā)光二極管芯片。封裝支架除了提供給發(fā)光二極管芯片良好的保護外，也需要將外部電路的電源供應給發(fā)光二極管芯片，以供發(fā)光二極管芯片操作之用。

然而，為了達到上述的封裝目的，通常會使得封裝結(jié)構(gòu)的體積大幅增加，也會增加制作成本。因此，亟需一種可縮減發(fā)光二極管的體積與降低制作成本的技術(shù)，以降低元件成本，并可符合元件的輕薄短小的趨勢。

發(fā)明內(nèi)容

因此，本發(fā)明的目的之一在于提供一種發(fā)光二極管及其制造方法，其生長基板可取代封裝支架，故可縮減發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)的體積，并可降低制作成本。

本發(fā)明的另一目的在于提供一種發(fā)光二極管及其制造方法，其可將水平電極式的發(fā)光二極管的兩個電極的傳導位置調(diào)整至封裝結(jié)構(gòu)的同一側(cè)，因此可省略引線鍵合步驟，并可直接將發(fā)光二極管設置于電路板。所以，可增加發(fā)光二極管元件的出光面積，更可避免掉傳統(tǒng)設計中引線鍵合良率不佳的問題。

本發(fā)明的又一目的在于提供一種發(fā)光二極管及其制造方法，其可利用基板置換技術(shù)，來提升發(fā)光二極管的散熱效率，因此可提升發(fā)光二極管的壽命與光電特性穩(wěn)定度。

根據(jù)本發(fā)明的上述目的，提出一種發(fā)光二極管。此發(fā)光二極管包括接合基板、第一電性電極、接合層、外延結(jié)構(gòu)、第二電性電極、生長基板以及封膠層。其中，第一電性與第二電性為不同電性。接合基板包括相對的第一表面與第二表面。第一電性電極設于接合基板的第二表面上。接合層設于接合基板的第一表面上。外延結(jié)構(gòu)包括依序堆疊在接合層上的第一電性半導體層、有源層與第二電性半導體層，其中外延結(jié)構(gòu)的外圍環(huán)狀設置有一溝槽，此溝槽自第二電性半導體層延伸至第一電性半導體層。第二電性電極與第二電性半導體層電性連接。生長基板設于外延結(jié)構(gòu)上，其中生長基板具有一凹槽以暴露出部分的外延結(jié)構(gòu)與溝槽。封膠層填設于凹槽中。

依據(jù)本發(fā)明的一實施例，上述的第二電性電極位于第二電性半導體層上，且凹槽暴露出第二電性電極。

依據(jù)本發(fā)明的另一實施例，上述的發(fā)光二極管還包括一接觸孔，其中該接觸孔自第一電性電極延伸至第二電性半導體層，且接觸孔暴露出第二電性半導體層的一部分。

根據(jù)本發(fā)明的上述目的，另提出一種發(fā)光二極管的制造方法，包括下列步驟。提供生長基板。形成外延結(jié)構(gòu)于生長基板上，其中此外延結(jié)構(gòu)包括依序堆疊在生長基板上的第二電性半導體層、有源層與第一電性半導體層。第一電性半導體層與第二電性半導體層的電性不同。利用接合層來接合第一電性半導體層與接合基板的第一表面，其中接合基板還包括第二表面相對于第一表面。形成一凹槽于生長基板中，其中該凹槽暴露出部分的外延結(jié)構(gòu)。形成一溝槽于外延結(jié)構(gòu)中，其中該溝槽環(huán)狀設置于外延結(jié)構(gòu)的外圍，且自第二電性半導體層延伸至第一電性半導體層。形成第二電性電極與第二電性半導體層電性連接。形成第一電性電極于接合基板的第二表面上。形成封膠層填入凹槽中。

依據(jù)本發(fā)明的一實施例，上述形成第二電性電極的步驟還包括使第二電性電極位于第二電性半導體層的暴露部分上。

依據(jù)本發(fā)明的另一實施例，上述方法于形成第二電性電極的步驟前，還包括形成一接觸孔，該接觸孔自第一電性電極延伸至第二電性半導體層中，其中該接觸孔暴露出第二電性半導體層的一部分。此外，上述的第二電性電極形成于第二電性半導體層的暴露部分上。

根據(jù)上述實施例，應用本揭示可縮減發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)的體積、降低制作成本、增加發(fā)光二極管元件的出光面積、提升工藝良率以及增進發(fā)光二極管的壽命與光電特性穩(wěn)定度。

附圖說明

為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征、優(yōu)點與實施例能更明顯易懂，所附圖式的說明如下：

圖1A至圖1F是繪示依照本發(fā)明的實施方式的一種發(fā)光二極管的工藝剖面圖。

圖2A至圖2F是繪示依照本發(fā)明的另一實施方式的一種發(fā)光二極管的工藝剖面圖。

圖3A與圖3B是繪示依照本發(fā)明的又一實施方式的一種發(fā)光二極管的工藝剖面圖。

【主要元件符號說明】

100：生長基板??????????????104：表面

108：未摻雜半導體層????????112：有源層

116：外延結(jié)構(gòu)??????????????120：反射層

124：接合基板??????????????128：表面