[發明專利]發光二極管

無效

• 申請號: 201010142980.0
• 申請日: 2010-03-19
• 公開（公告）號: CN102194968A
• 公開（公告）日: 2011-09-21
• 發明（設計）人: 余國輝;王建鈞;朱長信;李孟信
• 申請（專利權）人: 佛山市奇明光電有限公司;奇力光電科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/62;H01L33/64
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 彭久云

1.一種發光二極管，包括：

接合基板，包括相對的第一表面與第二表面；

第一電性電極，設于該接合基板的第二表面上；

接合層，設于該接合基板的第一表面上；

外延結構，包括依序堆疊在該接合層上的第一電性半導體層、有源層與第二電性半導體層，該第一電性半導體層與該第二電性半導體層的電性不同，其中該外延結構的外圍環狀設置有一溝槽，該溝槽自該第二電性半導體層延伸至該第一電性半導體層；以及

第二電性電極，與該第二電性半導體層電性連接；

生長基板，設于該外延結構上，其中該生長基板具有一凹槽，該凹槽暴露出部分的該外延結構與該溝槽。

2.如權利要求1所述的發光二極管，其中該接合基板的材料包括硅、鋁、銅、鉬、鎳或銅鎢合金。

3.如權利要求1所述的發光二極管，其中該第一電性電極包括共晶金屬或非共晶金屬，該共晶金屬包括金錫、銀錫、銀錫銅、金錫銅或金鈹，該非共晶金屬包括金、鉑、鉻、鈦、鎳或鋁。

4.如權利要求1所述的發光二極管，還包括第一電性接觸層，其中該第一電性接觸層介于該接合層與該第一電性半導體層之間。

5.如權利要求4所述的發光二極管，其中該第一電性接觸層包括鎳和金的疊層結構、鎳和銀的疊層結構、氧化銦錫層、氧化鋅層、氧化鋅鎵層、氧化鋅鋁層或氧化銦層。

6.如權利要求4所述的發光二極管，還包括反射層，其中該反射層介于該第一電性接觸層與該第一電性半導體層之間。

7.如權利要求1所述的發光二極管，其中該外延結構還包括：

未摻雜半導體層，位于該第二電性半導體層上；以及

緩沖層，位于該生長基板與該未摻雜半導體層之間。

8.如權利要求1所述的發光二極管，其中該第二電性電極位于該第二電性半導體層上，且該凹槽暴露出該第二電性電極。

9.如權利要求8所述的發光二極管，還包括保護層，其中該保護層覆蓋在部分的該第二電性電極、該外延結構的暴露部分、以及該溝槽的另一側面與底面上。

10.如權利要求1所述的發光二極管，還包括接觸孔，其中該接觸孔自該第一電性電極延伸至該第二電性半導體層，且該接觸孔暴露出該第二電性半導體層的一部分。

11.如權利要求10所述的發光二極管，其中該第二電性電極位于該第二電性半導體層的該部分上。

12.如權利要求11所述的發光二極管，還包括：

絕緣層，覆蓋在部分的該第二電性電極、以及該接觸孔的底面與側面上；以及

第二電性金屬電極層，填滿該接觸孔。

13.如權利要求12所述的發光二極管，還包括保護層，其中該保護層覆蓋在該外延結構的暴露部分、以及該溝槽的另一側面與底面上。

14.如權利要求13所述的發光二極管，還包括光學結構，其中該光學結構位于該外延結構的該部分上，其中該光學結構為該生長基板的一部分。

15.如權利要求1所述的發光二極管，其中該生長基板包括一側壁，且該發光二極管還包括反射層，該反射層延伸在該側壁與該溝槽的側面上。

16.如權利要求1所述的發光二極管，還包括光譜轉換材料層或光散射材料層及封膠層，所述光譜轉換材料層或光散射材料層覆蓋在該外延結構的暴露部分上，該封膠層填設于該凹槽中。