[發明專利]表面Co基微納米針狀晶布陣結構的制備方法

無效

• 申請號: 201010142443.6
• 申請日: 2010-04-09
• 公開（公告）號: CN101792918A
• 公開（公告）日: 2010-08-04
• 發明（設計）人: 李明;胡安民;劉開林;杭弢;羅庭碧
• 申請（專利權）人: 上海交通大學
• 主分類號: C25D7/00
• 分類號: C25D7/00;C25D3/56
• 代理公司: 上海交達專利事務所 31201
• 代理人: 王錫麟;王桂忠

1.一種表面Co基微納米針狀晶布陣結構的制備方法，其特征在于，包括步驟如下：

(1)將表面需要形成微納米針晶布陣結構的銅板基材進行除油、除銹及活化前處理；

(2)將經步驟(1)前處理好的基材置于下述電鍍溶液中，并將基材作為陰極，將鈷板或不溶性極板作為陽極，并通過導線使基材、鈷板或不溶性極板與電鍍電源構成回路；

(3)通過電鍍電源對基材實施電鍍，電鍍時用直流或用單脈沖或雙脈沖電流。

2.根據權利要求1所述的表面Co基微納米針狀晶布陣結構的制備方法，其特征是，所述的除油，是指將基材表面粘附的油污有機物質去除的處理工序。

3.根據權利要求1所述的表面Co基微納米針狀晶布陣結構的制備方法，其特征是，所述的除銹，是指將基材表面的氧化層無機物質去除的處理工序。

4.根據權利要求1所述的表面Co基微納米針狀晶布陣結構的制備方法，其特征是，所述的活化，是指將基材在具有腐蝕性的溶液中浸泡，通過基材的輕微腐蝕，增加表面活性，提高后續鍍層的結合強度的處理工序。

5.根據權利要求1所述的表面Co基微納米針狀晶布陣結構的制備方法，其特征是，所述的電鍍溶液要求如下：鈷及其合金的沉積金屬離子0.1-2.5mol/L，絡合劑0.1-2mol/L，緩沖劑硼酸0.5mol/L，結晶調整劑1-1000PPM，溶液溫度40-70℃，pH值1.0-7.0。

6.根據權利要求5所述的表面Co基微納米針狀晶布陣結構的制備方法，其特征是，所述的鈷及其合金的沉積金屬離子由硫酸鹽、氯化物或醋酸鹽構成的金屬鹽提供。

7.根據權利要求5所述的表面Co基微納米針狀晶布陣結構的制備方法，其特征是，所述的絡合劑是由檸檬酸鹽、乙二胺四乙酸鹽、醋酸鹽、乙二胺中一種或兩種以上構成。

8.根據權利要求5所述的表面Co基微納米針狀晶布陣結構的制備方法，其特征是，所述的結晶調整劑，由Cu、Ag、Zn、Sn、Ca以及Y、La、Ce、Eu稀土金屬離子構成。

9.根據權利要求1所述的表面Co基微納米針狀晶布陣結構的制備方法，其特征是，所述的電鍍，其電流密度為0.25-5A/dm2，電鍍時間為50-5000s。

10.根據權利要求1所述的表面Co基微納米針狀晶布陣結構的制備方法，其特征是，所述的針狀晶的平均高度為100-2000納米，底部平均直徑為50-600納米。