[發(fā)明專利]單晶電子衍射花樣重構(gòu)未知納米相布拉菲點(diǎn)陣的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201010142362.6 | 申請(qǐng)日: | 2010-04-08 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN101832956A | 公開(kāi)(公告)日: | 2010-09-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 韓明;楊延清;馮宗強(qiáng);黃斌;傅茂森;陳彥 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 西北工業(yè)大學(xué) |
| 主分類號(hào): | G01N23/20 | 分類號(hào): | G01N23/20;G01N23/207 |
| 代理公司: | 西北工業(yè)大學(xué)專利中心 61204 | 代理人: | 王鮮凱 |
| 地址: | 710072 *** | 國(guó)省代碼: | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電子衍射 花樣 未知 納米 相布拉菲 點(diǎn)陣 方法 | ||
1.一種單晶電子衍射花樣重構(gòu)未知納米相布拉菲點(diǎn)陣的方法,其特征在于步驟如下:
步驟1獲取納米相的單晶電子衍射花樣:在透射電子顯微鏡上用雙傾樣品臺(tái)獲取同一晶體的任意兩張連續(xù)傾斜的正帶軸單晶電子衍射花樣,記錄電子衍射時(shí)的相機(jī)常數(shù),并保存這兩張單晶電子衍射花樣的數(shù)字圖像,所述的電子衍射可以采用選區(qū)衍射方法或微衍射方法;
步驟2選擇特征平行四邊形:以透射斑點(diǎn)作為特征平行四邊形的一個(gè)頂點(diǎn),特征平行四邊形的其它三個(gè)頂點(diǎn)為衍射斑點(diǎn),得到單晶電子衍射花樣的數(shù)字圖像的特征平行四邊形;所述的特征平行四邊形內(nèi)部不能含有同一晶體的其它衍射斑點(diǎn);
步驟3測(cè)量納米相的電子衍射數(shù)據(jù):將特征平行四邊形的兩個(gè)邊長(zhǎng)及其對(duì)角線矢量的長(zhǎng)度,分別除以衍射時(shí)使用的相機(jī)常數(shù),得到晶體二維倒易面上的二維初基胞;所述的二維初基胞與特征平行四邊形的方位角一致,原透射斑點(diǎn)成為倒易原點(diǎn)O,上述轉(zhuǎn)換后,原特征平行四邊形兩個(gè)邊長(zhǎng)的矢量成為二維初基胞的基矢和
在第二張單晶電子衍射花樣的數(shù)字圖像中利用步驟2~3得到另一個(gè)二維初基胞;
步驟4確定兩個(gè)二維倒易面的交線矢量:首先以二維初基胞基矢作為坐標(biāo)軸建立坐標(biāo)系,基矢長(zhǎng)度為單位長(zhǎng)度,在兩個(gè)二維倒易面上分別計(jì)算終點(diǎn)坐標(biāo)為(u,v)的單位倒易矢量長(zhǎng)度及其方位角,其中-4≤u,v≤4;然后在每個(gè)二維倒易面上分別選取任意一個(gè)矢量,逐對(duì)比較兩個(gè)二維倒易面上四十四個(gè)矢量的長(zhǎng)度和方位角,當(dāng)不同二維倒易面上的一對(duì)矢量同時(shí)滿足矢量長(zhǎng)度的相對(duì)誤差小于10%、且矢量方位角差的絕對(duì)值小于5°時(shí),判定這一對(duì)矢量就是兩個(gè)二維倒易面的交線矢量;
步驟5計(jì)算二維倒易面的夾角θ:
cosθ=cos(α2-α1)·cos(β2-β1)+2sinα1sinα2sin2((β2-β1)/2)
其中α1、β1為第一張正帶軸單晶電子衍射花樣時(shí)的雙傾樣品臺(tái)傾斜讀數(shù),α2、β2為第二張正帶軸單晶電子衍射花樣時(shí)的雙傾樣品臺(tái)傾斜讀數(shù);
步驟6三維重構(gòu):
將上述兩個(gè)二維倒易面上下重疊,通過(guò)平移使倒易原點(diǎn)重合,然后其中的任意一個(gè)二維倒易面繞倒易原點(diǎn)旋轉(zhuǎn)使兩個(gè)二維倒易面的交線矢量相互重疊,保持重疊的交線矢量不變,傾斜其中的一個(gè)二維倒易面使兩個(gè)二維倒易面之間呈θ角,得到兩個(gè)二維倒易面重構(gòu)的晶體三維倒易空間;
從倒易原點(diǎn)出發(fā),在交線矢量方向選最短矢量作為基矢在任意一個(gè)二維倒易面上先選擇與交線矢量平行且距倒易原點(diǎn)最近的一列倒易陣點(diǎn),然后選取其中的一個(gè)倒易陣點(diǎn),以倒易原點(diǎn)到該倒易陣點(diǎn)的矢量作為基矢
重復(fù)上述過(guò)程,得到另一個(gè)二維倒易面上的基矢
根據(jù)基矢基矢和基矢建立一個(gè)三維倒易晶胞;
利用二維倒易面上矢量之間固有的幾何關(guān)系,得到倒易矢量相對(duì)于所選三維基矢的指數(shù)[hi?ki?li]*;
步驟7利用超定方程組的最小二乘解求三維倒易晶胞的晶胞參數(shù)a0*、b0*、c0*、α0*、β0*和γ0*:設(shè)為五個(gè)待解的未知數(shù),倒易矢量長(zhǎng)度di-1表達(dá)為再由晶向夾角的計(jì)算公式,得出倒易矢量之間夾角滿足
其中:[hi?ki?li]*和[hj?kj?lj]*為同一二維倒易面上倒易矢量相對(duì)于三維基矢的指數(shù),Ai和Aj為同一二維倒易面上倒易矢量的方位角,i和j表示倒易矢量的序號(hào);
在每個(gè)二維倒易面上,根據(jù)矢量長(zhǎng)度公式建立三個(gè)方程,矢量間夾角公式三個(gè)方程,因此兩個(gè)二維倒易面共得到十二個(gè)五元一次方程構(gòu)成的超定方程組;
超定方程組的矩陣形式記為A12×5X5×1=B12×1,其中A12×5和B12×1分別為12行5列和12行1列的常數(shù)矩陣,由此形成法方程組C5×5X5×1=D5×1,其中C5×5=(A12×5)T·A12×5,D5×1=(A12×5)T·B12×1,求解這一法方程組,得出x1、x2、x3、x4和x5的最小二乘解,并進(jìn)而求出三維倒易晶胞的晶胞參數(shù)a0*、b0*、c0*、α0*和β0*;
用下述方法求解晶胞參數(shù)γ0*:采用立體解析幾何的方法,根據(jù)雙傾樣品臺(tái)傾斜讀數(shù)求出兩個(gè)二維倒易面的夾角θ,和晶胞參數(shù)a0*、b0*、c0*、α0*、β0*,計(jì)算得到晶胞參數(shù);
步驟8約化處理:根據(jù)步驟7晶胞參數(shù)得到的三維倒易初基胞,求出三個(gè)不共面的最短倒易矢量,并由短到長(zhǎng)依次設(shè)定為新晶胞的基矢和將單個(gè)或兩個(gè)基矢反向,使新晶胞基矢間夾角變換成全部<90°或者全部≥90°,并使基矢滿足Niggli提出的所有主要約化條件和特殊約化條件,得出倒易約化胞的晶胞參數(shù)、序號(hào)和類型;
步驟9求解未知晶體的倒易布拉菲點(diǎn)陣:利用四十四種Niggli約化胞與十四種布拉菲點(diǎn)陣之間存在的明確對(duì)應(yīng)關(guān)系,由約化胞序號(hào)直接確定對(duì)應(yīng)的布拉菲晶胞類型,從而確定未知晶體在倒易空間中的布拉菲點(diǎn)陣類型,并根據(jù)約化胞基矢與布拉菲胞基矢之間的幾何關(guān)系,由約化胞的晶胞參數(shù)求出倒易空間中未知晶體布拉菲胞的晶胞參數(shù);
步驟10確定晶體正空間的布拉菲點(diǎn)陣:根據(jù)倒易矢量的定義,將倒易空間的布拉菲胞轉(zhuǎn)換成實(shí)際空間的布拉菲胞,轉(zhuǎn)換結(jié)果給出未知晶體在實(shí)際空間中的布拉菲點(diǎn)陣類型及其晶胞參數(shù),并利用倒易晶向指數(shù)標(biāo)定電子衍射花樣中衍射斑點(diǎn)的晶面指數(shù)。
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G01N 借助于測(cè)定材料的化學(xué)或物理性質(zhì)來(lái)測(cè)試或分析材料
G01N23-00 利用未包括在G01N 21/00或G01N 22/00組內(nèi)的波或粒子輻射來(lái)測(cè)試或分析材料,例如X射線、中子
G01N23-02 .通過(guò)使輻射透過(guò)材料
G01N23-20 .利用輻射的衍射,例如,用于測(cè)試晶體結(jié)構(gòu);利用輻射的反射
G01N23-22 .通過(guò)測(cè)量二次發(fā)射
G01N23-221 ..利用活化分析法
G01N23-223 ..通過(guò)用X射線輻照樣品以及測(cè)量X射線熒光
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