[發明專利]電熔絲電路和電子元件

無效

• 申請號: 201010141743.2
• 申請日: 2007-08-13
• 公開（公告）號: CN101807435A
• 公開（公告）日: 2010-08-18
• 發明（設計）人: 山口秀策
• 申請（專利權）人: 富士通微電子株式會社
• 主分類號: G11C17/16
• 分類號: G11C17/16;G11C17/18;H01L25/065
• 代理公司: 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 11258
• 代理人: 宋鶴;南霆

1.一種電子元件，包括：

包含電熔絲的半導體存儲芯片；

不同于所述半導體存儲芯片的半導體芯片；以及

用于封裝半導體存儲芯片和半導體芯片二者的封裝。

2.如權利要求1所述的電子元件，其中所述半導體存儲芯片具有

電熔絲電路，

包括多個存儲單元的通用存儲單元陣列，以及

包括替代通用存儲單元陣列中存儲單元的存儲單元的冗余存儲單元陣列，

其中所述電熔絲電路在將被代替的通用存儲單元陣列中存儲存儲單元的地址。

3.如權利要求1所述的電子元件，其中所述電熔絲電路具有

形成電熔絲的電容器；

通過響應一個寫入信號施加一個電壓到所述電容器端子而擊穿所述電容器絕緣膜的寫入電路；以及

至少兩個晶體管，包括第一晶體管和第二晶體管，在電容器和寫入電路之間串聯連接。

4.如權利要求1所述的電子元件，其中所述電熔絲電路具有

用于至少兩個電熔絲的第一電容器和第二電容器，以及

基于第一和第二電容器的阻抗輸出一比特數據的輸出電路。

5.如權利要求1所述的電子元件，其中所述半導體芯片具有存儲控制器，用于控制對包含在半導體存儲芯片中的電熔絲的寫入操作。