[發明專利]顯示裝置及制造顯示裝置的方法有效
| 申請號: | 201010141736.2 | 申請日: | 2010-03-29 |
| 公開(公告)號: | CN101859794A | 公開(公告)日: | 2010-10-13 |
| 發明(設計)人: | 佐川裕志 | 申請(專利權)人: | 索尼公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L21/77;H01L21/768;G09G3/32 |
| 代理公司: | 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 11258 | 代理人: | 趙飛;南霆 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 制造 方法 | ||
技術領域
本發明涉及包括自發光型發光元件的顯示裝置及制造顯示裝置的方法,該發光元件包括有機層。
背景技術
近年來,作為替代液晶顯示裝置的顯示裝置,使用包括有機層的自發光型有機EL元件的有機EL(電發光)顯示裝置已經投入實際使用。有機EL顯示裝置屬于自發光型的,于是與液晶顯示裝置相比,有機EL顯示裝置具有廣泛的可視角,并且對于高清晰度高速視頻信號具有合適的響應。
在現有技術中,振蕩構造被引入到有機EL元件中,從而嘗試通過控制發光層來提高顯示性能(例如提高發光顏色的顏色純度或提高發光效率),例如如國際公開No.01/39554所述。例如,在從與襯底相反的表面(頂面)提取光線的頂部發光系統中,在襯底上依次層疊陽極電極、有機層和陰極電極,其中間具有驅動晶體管,并且從有機層發射的光在陽極電極和陰極電極之間多次反射。
在頂部發光的有機EL顯示裝置中,為了確保高孔徑比,位于固定面板側上的陰極電極是共同設置為用于有機EL元件的一層電極層。而且,陰極電極例如由透光導電材料(例如ITO(銦錫氧化物))制成以從頂面提取光線。然而,與通常使用的金屬材料相比,這種透光導電材料的電阻要更大一點。從而,施加到陰極電極的電壓容易在一個面內不均勻,于是產生的問題在于在面內位置中的有機EL元件之間出現發光亮度的變化,因此,難以獲得足夠好的顯示質量。
從而,為了解決這一問題,例如如日本未審查專利公開No.2004-207217所述,提出一種有機EL顯示裝置,其中連接到陰極電極的配線由例如位于驅動面板側上的陽極電極共用的層形成,從而防止陰極電極的面內方向的壓降。配線連接到例如每個有機EL元件的顯示區域外部的陰極電極。從而,配線布置為沿著陰極電極以網孔形式沿面內方向分布,并且連接到陰極電極,從而將上述面內位置中有機EL元件之間的發光亮度的變化減小到一定程度。
在形成具有上述配線的有機EL顯示裝置以簡化制造步驟的情形下,例如希望通過使用同樣的材料一體地形成陽極電極和配線。作為陽極電極的材料,具有高反射率的單質鋁或其化合物是最優選的。然而,在使用這種材料形成輔助電極的情形下,輔助電極的表面在制造步驟期間的氧化就是一個問題。更具體地,當輔助電極的表面氧化時,輔助電極和陰極電極之間的連接電阻增大,從而在輔助電極和陰極電極之間的連接部位產生大壓降。從而,不能有效地降低顯示屏幕中發光亮度分布的不均勻性。
為了解決這一問題,例如如國際公開No.2007/148540所述,本發明的申請人已經提出一種有機EL顯示裝置,事先在其中形成導電接觸部分,然后陽極電極和配線以及陰極電極按順序形成從而與接觸部分接觸。
發明內容
在國際公開No.2007/148540中,即使陽極電極和配線由容易氧化的材料(例如鋁)形成,也能夠通過接觸部分形成良好的導電性。
然而,在國際公開No.2007/148540中,需要足夠的空間來布置接觸部分。在國際公開No.2007/148540中,接觸部分布置在與驅動有機E?L元件進行顯示的驅動元件的布置高度相同的高度。然而,當試圖提高像素密度時,接觸部分和另一導電層(例如驅動元件中的電極層)之間可能出現短路。
希望提供一種具有優秀的顯示性能同時具有高可靠性的顯示裝置及制造該顯示裝置的方法。
根據本發明的一個實施例,提供一種顯示裝置,包括:發光元件,其通過在基體上依次層疊第一電極層、包括發光層的有機層和第二電極層而形成;和輔助布線層,其布置為圍繞所述有機層并電連接到所述第二電極層。在此情形下,輔助布線層包括兩層構造,這兩層構造包括第一導電層和第二導電層,并且與第二導電層相比,第一導電層對于第二電極層具有較小的接觸電阻。而且,輔助布線層中的兩層構造形成為使得所述第二接觸層的端面從所述第一導電層的端面向內凹陷,從而,第一導電層的頂面的一部分與第二電極層接觸。
根據本發明的實施例,提供一種制造顯示裝置的方法,該顯示裝置是根據本發明的實施例的顯示裝置,所述方法包括下列步驟:通過在基體上層疊第一導電層和第二導電層而形成層疊膜,與所述第一導電層相比,所述第二導電層對于所述第二電極層具有較大的接觸電阻;和通過在所述第二導電層中與所述第一導電層相比使用具有更高溶解性的蝕刻溶液蝕刻所述層疊膜圖案而形成所述輔助布線層,從而使得所述第二導電層的端面凹陷并露出所述第一導電層的頂面的一部分。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





