[發(fā)明專利]顯示裝置及制造顯示裝置的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010141736.2 | 申請日: | 2010-03-29 |
| 公開(公告)號: | CN101859794A | 公開(公告)日: | 2010-10-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 佐川裕志 | 申請(專利權(quán))人: | 索尼公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L21/77;H01L21/768;G09G3/32 |
| 代理公司: | 北京東方億思知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11258 | 代理人: | 趙飛;南霆 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示裝置 制造 方法 | ||
1.一種顯示裝置,包括:
發(fā)光元件,其通過在基體上依次層疊第一電極層、包括發(fā)光層的有機(jī)層和第二電極層而形成;和
輔助布線層,其布置為圍繞所述有機(jī)層并電連接到所述第二電極層,
其中,所述輔助布線層包括具有第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層的兩層構(gòu)造,
與所述第二導(dǎo)電層相比,所述第一導(dǎo)電層對于所述第二電極層具有較小的接觸電阻,
所述輔助布線層中的所述兩層構(gòu)造形成為使得所述第二導(dǎo)電層的端面從所述第一導(dǎo)電層的端面向內(nèi)凹陷,從而,所述第一導(dǎo)電層的頂面的一部分與所述第二電極層接觸。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中
第一電極層也具有兩層構(gòu)造,其包括與所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層的材料分別相同的材料制成的第三導(dǎo)電層和第四導(dǎo)電層,并且
與所述第三導(dǎo)電層相比,所述第四導(dǎo)電層對于來自所述有機(jī)層的光具有更高的反射率。
3.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中
所述第二導(dǎo)電層由與所述第一導(dǎo)電層的材料相比在濕式蝕刻工藝中具有更高蝕刻速率的材料制成。
4.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中
所述第二電極層與所述輔助布線層的所述兩層構(gòu)造中的所述第一導(dǎo)電層的端面以及所述第二導(dǎo)電層的頂面和端面接觸。
5.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中
與所述第二電極層相比,所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層具有更高的導(dǎo)電率。
6.如權(quán)利要求5所述的顯示裝置,其中
與所述第一導(dǎo)電層相比,所述第二導(dǎo)電層具有更高的導(dǎo)電性。
7.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中
第一導(dǎo)電層由單質(zhì)鉬(Mo)或其化合物制成,并且
所述第二導(dǎo)電層由單質(zhì)鋁(Al)或其化合物制成。
8.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中
包括布置在所述基體上的多個發(fā)光元件,
一個所述發(fā)光元件的所述第一電極層和所述有機(jī)層與另一個所述發(fā)光元件的所述第一電極層和所述有機(jī)層由絕緣膜隔開,并且
所述第二電極層布置為由所述多個發(fā)光元件所共用。
9.如權(quán)利要求8所述的顯示裝置,其中
所述輔助布線層布置為在層疊面內(nèi)圍繞多個所述發(fā)光元件的所述第一電極層和所述有機(jī)層,并且布置為將所述絕緣膜分割成與多個所述發(fā)光元件相對應(yīng)的多個部分。
10.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中
所述基體包括基于圖像信號來驅(qū)動所述發(fā)光元件以顯示的驅(qū)動元件。
11.如權(quán)利要求10所述的顯示裝置,其中
所述驅(qū)動元件包括與所述第一電極層中的所述第三導(dǎo)電層電連接的電極,并且
所述電極包括從所述第一電極層依次層疊的由與所述第三導(dǎo)電層的材料相同的材料制成的第一層和具有比所述第一層更高的導(dǎo)電性的第二層。
12.如權(quán)利要求11所述的顯示裝置,其中
與所述第二層相比,所述第一層對于來自所述有機(jī)層的光具有更低的反射率。
13.如權(quán)利要求12所述的顯示裝置,其中
所述第一層由單質(zhì)鉬(Mo)或其化合物制成,并且
所述第二層由單質(zhì)鋁(Al)或其化合物制成。
14.如權(quán)利要求13所述的顯示裝置,其中
所述電極還包括由單質(zhì)鉬(Mo)或鈦(Ti)或其化合物制成的第三層,所述第三層位于所述第二層的與布置有所述第一層的一側(cè)相反的一側(cè)上。
15.一種制造顯示裝置的方法,所述顯示裝置包括發(fā)光元件和輔助布線層,所述發(fā)光元件通過在基體上依次層疊第一電極層、包括發(fā)光層的有機(jī)層和第二電極層而形成,所述輔助布線層布置為圍繞所述有機(jī)層并電連接到所述第二電極層,所述方法包括下列步驟:
通過在所述基體上層疊第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層形成層疊膜,與所述第一導(dǎo)電層相比,所述第二導(dǎo)電層對于所述第二電極層具有更高的接觸電阻;
通過將所述層疊膜圖案化為預(yù)定形狀而形成層疊膜圖案;和
通過使用與對于所述第一導(dǎo)電層相比對于所述第二導(dǎo)電層具有更高溶解性的蝕刻溶液來蝕刻所述層疊膜圖案,從而使所述第二導(dǎo)電層的端面凹陷,并使所述第一導(dǎo)電層的頂面的一部分暴露。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





