[發明專利]曝光機臺、陣列基板、圖案化薄膜、光刻膠層及形成方法

有效

• 申請號: 201010141540.3
• 申請日: 2010-03-26
• 公開（公告）號: CN101846888A
• 公開（公告）日: 2010-09-29
• 發明（設計）人: 蕭祥志;廖達文;楊志敏;陳珊芳;張雅萍;楊啟宏;廖崇源
• 申請（專利權）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;G03F1/14
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 梁揮;祁建國

1.一種曝光機臺，適于對一薄膜上的一光刻膠層進行曝光，以于該光刻膠層上形成多個條狀曝光圖案，其特征在于，該曝光機臺包括：

一光源；

一透鏡組，配置于該光刻膠層與該光源之間，該透鏡組包括多個彼此平行排列的條狀透鏡，其中任二相鄰條狀透鏡的重迭區域定義為一透鏡接合區域，該些透鏡接合區域以外的區域則定義為多個透鏡區域；以及

一光掩模，配置于該光刻膠層與該透鏡組之間，其中該光掩模具有多個遮光圖案，該遮光圖案的外輪廓對應于該條狀曝光圖案，各該遮光圖案分別具有一條狀開口，且該條狀開口的延伸方向平行于該遮光圖案的延伸方向。

2.根據權利要求1所述的曝光機臺，其特征在于，各該遮光圖案的寬度為L，任二相鄰遮光圖案之間的間隔為S，且寬度L與間隔S的總和為6微米。

3.根據權利要求2所述的曝光機臺，其特征在于，寬度L為4微米，間隔S為2微米。

4.根據權利要求2所述的曝光機臺，其特征在于，寬度L為3.5微米，間隔S為2.5微米。

5.根據權利要求1所述的曝光機臺，其特征在于，該光掩模具有多個第一曝光區域以及多個第二曝光區域，該第一曝光區域與該第二曝光區域交替排列，各該第一曝光區域分別對應于其中一透鏡接合區域，且各該第二曝光區域分別對應于其中一透鏡區域。

6.根據權利要求5所述的曝光機臺，其特征在于，位于該第一曝光區域內的遮光圖案包括：

多個第一遮光圖案，各該第一遮光圖案分別具有一第一條狀開口；以及

多個第二遮光圖案，各該第二遮光圖案分別具有一第二條狀開口，其中各該第一條狀開口的寬度為SB1，各該第二條狀開口的寬度為SB2，且寬度SB1小于寬度SB2。

7.根據權利要求6所述的曝光機臺，其特征在于，在該第二曝光區域內，各該遮光圖案的條狀開口的寬度為SB，且寬度SB等于寬度SB1。

8.根據權利要求6所述的曝光機臺，其特征在于，寬度SB1為1.0微米，寬度SB2為1.1微米。

9.根據權利要求6所述的曝光機臺，其特征在于，該第二遮光圖案隨機分布于該第一曝光區域內。

10.根據權利要求9所述的曝光機臺，其特征在于，該第二遮光圖案在該第一曝光區域內的分布密度由中央往兩側遞減。

11.一種圖案化薄膜的形成方法，其特征在于，包括：

于一薄膜上形成一光刻膠層；

將已形成有該光刻膠層的該薄膜置于權利要求1所述的曝光機臺內，對該光刻膠層進行曝光；

對該光刻膠層進行顯影，以于該薄膜上形成一圖案化光刻膠層；以及

以該圖案化光刻膠層為掩模，圖案化該薄膜。

12.一種圖案化光刻膠層的形成方法，其特征在于，包括：

將一光刻膠層置于權利要求1所述的曝光機臺內，對該光刻膠層進行曝光；以及

對該光刻膠層進行顯影，以于該薄膜上形成一圖案化光刻膠層。

13.一種主動元件陣列基板，其特征在于，具有多個第一區域以及多個第二區域，其中該第一區域內的圖案化薄膜的臨界尺寸為CD1，該第二區域包括多個隨機分布的補償區域，分布于該補償區域內的圖案化薄膜的臨界尺寸為CD2，分布于該補償區域以外的圖案化薄膜的臨界尺寸為CD3，且臨界尺寸CD2小于臨界尺寸CD3。

14.根據權利要求13所述的主動元件陣列基板，其特征在于，在該第二區域內，該補償區域所占的面積比率由中央往兩側遞減。

15.根據權利要求13所述的主動元件陣列基板，其特征在于，臨界尺寸CD1等于臨界尺寸CD3。

16.根據權利要求13所述的主動元件陣列基板，其特征在于，臨界尺寸CD1小于臨界尺寸CD3。