[發明專利]一種溴化亞銅晶體的生長方法無效
| 申請號: | 201010139463.8 | 申請日: | 2010-03-08 |
| 公開(公告)號: | CN102191545A | 公開(公告)日: | 2011-09-21 |
| 發明(設計)人: | 潘建國;趙玲燕;崔玉杰;陳素珍;李月寶;楊書穎 | 申請(專利權)人: | 寧波大學 |
| 主分類號: | C30B29/12 | 分類號: | C30B29/12;C30B7/08 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 315211 浙*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 溴化亞銅 晶體 生長 方法 | ||
技術領域:
本發明涉及功能材料技術領域中的人工晶體和晶體生長領域。
背景技術:
溴化亞銅是一種具有優良的導電能力的導體、反常的反磁性能、不同尋常的光致發光半導體材料。廣泛用于有機合成的催化、電池、氣體傳感器和激光器。溴化亞銅共具有α、β、γ三種晶相,其中低溫γ晶相的CuBr是閃鋅礦結構。它是在溫度低于385℃合成的立方結構的p型半導體材料,具有寬的直接能隙。它的空間群為F-43m屬于立方晶系。385-469度是具有纖維鋅礦結構的β相。469-488(熔點)是α相結構。三種晶相都是Cu+的導體。
目前,有關CuBr晶體的應用和開發研究,最大的困難是CuBr大單晶的獲得。由于在溫度高于385℃時CuBr就轉化為α相或β相,所以不能用熔融法生長得到CuBr晶體。另一方面,CuBr在水中的溶解度非常小,也不能用簡單的溶液法生長。報道CuBr晶體生長的文獻很少。2004年萬松明等報道了利用乙二醇生長CuBr晶體(Crystal?Growth&?Design,2004,Vol?4)。這種方法由于無法控制晶體的成核,得到的晶體尺寸都較小。所得到的晶體也都在毫米級。由于尺寸小、質量差,文獻中都沒有對晶體的質量和發光特性作進一步的報道。完整的發光機理、物化性能也都無法獲得。
發明內容:
本發明的目的就在于公開一種新的生長γ相溴化亞銅晶體的方法。
CuBr不溶于水和一些常見的有機溶劑中,但能溶于一些含氮的有機離子溶液中。離子液體又稱室溫離子液體或室溫熔融鹽,也稱非水離子液體、液態有機鹽等,是指在室溫或室溫附近溫度下呈液態,并由陰陽離子組成的物質。具有很多獨特的物理化學性質:(1)蒸汽壓低、不揮發、易于存放、消除了揮發性有機溶劑的污染問題。(2)液體狀態溫度范圍寬,且穩定性大多比較高。(3)能夠溶解許多有機、無機和金屬有機化合物。(4)通過選擇合適的陰離子或陽離子,可以改變離子液體的極性、親水性/親酯性、粘度、密度、酸性等性質。實驗發現CuBr能溶于咪唑型、吡啶型、吡咯烷型、季銨型、季膦型等陰離子為鹵素的離子液體中。因此,我們利用這類離子液體為溶劑,采用高溫溶劑降溫法生長溴化亞銅晶體
生長時采用分析純的鹵素離子液體為生長溶劑,分析純的溴化亞銅粉末為生長原料。降溫法生長設備采用玻璃加工。具體的生長步驟如下:
1、配置溴化亞銅在鹵素離子液體中的飽和溶液。將溴化亞銅溶于鹵素離子液體中,氮氣保護,加熱至150度以上,利用攪拌器攪拌,直到溶液中溴化亞銅不能溶解,過濾飽和溶液。
2、生長籽晶的制備。利用降溫的方法獲得小的籽晶,選擇晶形較好的晶粒為籽晶,把籽晶粘在玻璃制的晶架上。
3、晶體的生長。配置的飽和溶液注入生長裝置中,氮氣保護,升高溫度,對溶液進行一定程序的過熱處理。將制備好的籽晶放入生長器的上方,恒溫5-30分鐘,放入晶種進入生長溶液中,進行“正-停-反”的轉動??刂平禍厮俣龋?0-30天后得到大尺寸的溴化亞銅晶體。
本發明的優點在于,溴化亞銅在鹵素離子液體中有相對較好的溶解性和結晶性。這樣,生長出的晶體的晶形完整。通過控制降溫的速度,能得到尺寸較大的晶體。生長出的晶體純度高,質量好。晶體為無色,透明度高。
將生長出的溴化亞銅晶體,進行X射線粉末衍射測試,證明晶體為γ相的溴化亞銅晶體。
附圖說明:
圖1是溶液降溫方法生長溴化亞銅晶體的裝置圖。
圖中1.熱電偶?2.保溫層?3.加熱器?4.籽晶桿?5.晶體?6.溶液
圖2溴化亞銅晶體的粉末衍射圖譜。
具體實施方式:
實現本發明的具體實施方式優選方案1:
1、飽和溶液的制備:取分析純的溴化1-丁基-3-甲基咪唑200ml于玻璃容器中,加入一定量溴化亞銅粉術。在氮氣保護條件下加熱、攪拌使之溶解,得到150度的溴化亞銅的飽和溶液。
2、生長籽晶的制備:利用降溫的方法獲得小的籽晶,選擇晶形較好的晶粒為籽晶,把籽晶粘在玻璃制的晶架上。
3、晶體的生長:配置的飽和溶液注入生長裝置中,在氮氣保護條件下升高溫度至160度,對溶液進行一定程序的過熱處理,恒溫5-30小時。將制備好的籽晶放入生長器的上方,恒溫10分鐘,放入晶種進入生長溶液中,進行“正-停-反”的轉動。降溫速度2度/天,10天后得到尺寸5×5×5mm的溴化亞銅晶體。
所生長出來的溴化亞銅晶體形貌為規則四面體,無色,透明。
實現本發明的具體實施方式優選方案2:
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于寧波大學,未經寧波大學許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201010139463.8/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





