[發明專利]一種溴化亞銅晶體的生長方法無效
| 申請號： | 201010139463.8 | 申請日： | 2010-03-08 |
| 公開（公告）號： | CN102191545A | 公開（公告）日： | 2011-09-21 |
| 發明（設計）人： | 潘建國;趙玲燕;崔玉杰;陳素珍;李月寶;楊書穎 | 申請（專利權）人： | 寧波大學 |
| 主分類號： | C30B29/12 | 分類號： | C30B29/12;C30B7/08 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 315211 浙*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 溴化亞銅 晶體 生長 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種溴化亞銅晶體，其特征在于：該晶體的分子式為CuBr，屬于γ相的立方晶系。分子量為：143.45
2.如權利要求1所述的溴化亞銅晶體，該晶體采用降溫法生長，生長的溶劑為含鹵離子的離子液體。
3.如權利要求2所述的含鹵離子的離子液體，其特征在于：陽離子為咪唑、吡啶、吡咯、季銨、季膦等類離子，陰離子為氟、氯、溴、碘等離子。熔點在0-200度之間。
4.如權利要求1所述的溴化亞銅晶體，其特征在于：利用含鹵離子的離子液體配制飽和的溴化亞銅生長溶液。生長的溫度在30-200度之間。降溫速度為1-5度/天。
5.如權利要求1所述的溴化亞銅晶體的用途，其特征在于：該晶體用于激光、光電技術等領域。
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